86361 Untitled Scanned 57

- 116 -

wyjścia szeregowego y_p. Przy a^*0 i 8^1 informacja przesuwana jest od wejścia x-j w kierunku wyjścia y₁₍.

Przykład rejestru rewersyjnego z wpisaniem równoległym synchronicznym, zerowaniem asynchronicznym oraz z wyprowadzeniem równoległym wyjść, pokazano na rys.4.20. W rejestrze tym wyjścia równoległe y_Q i y^ pełnią również rolę wyjść szeregowych.

4.2.2. Pamięci

Pamięci służą do przechowywania większej ilości informacji - wielu słów - niż umożliwiają to rejestry. Długość pojedynczego słowa (liczba bitów w słowie) określona jest przez liczbę wyjść pamięci. Pojemność pamięci równa jest iloczynowi liczby pamiętanych słów i liczby bitów w pojedynczym słowie. Stosowane są różne rodzaje pamięci. Przedstawiono tu cztery podziały pamięci, uwzględniające najważniejsze ich cechy. Pierwszy podział wyróżnia:

-    pamięci typu zapis-odczyt, umożliwiające realizację zarówno mikrooperacji wpisywania ołów jak i mikrooperacji odczytywania (przesłania na wyjścia pamięci wybranego słowa),

-    pamięci typu wyłącznie odczyt.

Drugi podział wyróżnia:

-    pamięci o dostępie swobodnym (przypadkowym),

-    pamięci o dostępie sekwencyjnym.

W pamięciach o dostępie swobodnym czas potrzebny na odczytanie dowolnego słowa jest zawsze Jednakowy. W pamięciach o dostępie eekwencyjnym (np, pamięci magnetyczne z taśmą, bębnem, tarczą, pamięci z taśmą dziurkowaną, a także niektóre typy pamięci zbudowane przy wykorzystaniu rejestrów przesuwających) czas odczytania potrzebnego słowo zależy od jego usytuowania w pamięci względem słowa odczytywanego poprzednio.

Trzeci podział wyróżnia:

-    pamięci, w których odczytanie słowa następuje na poćBtawie znajomości adresu słowa (informacji określającej usytuowanie słowa w pamięci),

-    pamięci skojarzeniowe (asocjacyjne, typu CAM, od ang. con-tent addreasamble memory), w których wyszukiwanie informacji odbywa się nie na podstawie adresu, lecz pewnych cech szukanej informacji.

Podział czwarty (dotyczy tylko pamięci zapis-odczyt) wyróżnia:

-    pamięci statyczne,

-    pamięci dynamiczne.

Pamięci statyczne przechowują informacje w sposób trwały, o ile zachowane są warunki umożliwiające ich działanie (np. nie ma zaniku zasilania). W pamięciach dynamicznych wykorzystuje się elementy pamięciowe przechowujące informacje przez krótki okres. Dłuższe przechowywanie tej samej informacji wymaga wielokrotnego wpisywania.

W dalszym ciągu omawiana będzie jedynie zasada budowy półprzewodnikowych pamięci o dostępie swobodnym typu zapis-od-czyt, zwanych również pamięciami RAM (od ang. random access memory) oraz pamięci wyłącznie odczyt, zwanych pamięciami ROM (od ang. rc-ad-only memory).

Model funkcjonalny pamięci typu zapis-odczyt (RAM) pokazano na rys.4.21.

Podstawowym zespołem funkcjonalnym pamięci RAM jest matryca pamięciowa 1, złożona z szesnastu (w przykładzie pokazanym na rysunku) czterobitowych rejestrów równoległych. Pojemność tej pamięci wynosi zatem szesnaście słów czterobitowych. Informację o numerze rejestru, do którego ma być wpisane słowo wejściowe ^x0^xi^x2*3» lub z którego ma pochodzić słowo wyjścio-we y_oy₁y₂y₃. Wprowadza się óo pamięci w postaci słowa adresowego (adresu) A^A^k^Ay Jeżeli sygnał strobująey S dekodera 2 będzie zerem, na wszystkich wyjściach dekodera pojawią się sygnały zerowe i nie będzie możliwe ani wpisywanie, ani odczytywanie pamięci. Wpisanie słowa wejściowego następuje w stanie gdy S«*1 i L=1. W stanie tym na jednym z wyjść dekodera,‘określonym przez adres, np. na wyjściu 15, jest sygnał jedynkowy, który po przejściu przez bramkę 3, powoduje wpisenie słowa wejściowego do rejestru 15. Sygnał ten otwiera również bramki 4, umożliwiając przekazanie stanu wyjść rejestru 15 do elementów alternatywy 5. Odczyt (przesłanie na wyjścia pamięci)