296 -
297 -
R(IT -
C5R2 - g^ju) - 0.
cu* c
Przyrównując część rzeczywistą i urojoną równania (4) do zera rl
u°ataai(
6
CU-0*
lub co
trZyaBć schemat zastępczy tranzystora przedstawiony na rys.
5R‘
lub
'Siu
29.
h
I*
Przykład ten pokazuje, że jest możliwe otrzymanie drgań sinusoidalnjcjj obwodzie składającym się z rezyocorów, kondensatorów i źródła sterowanej W praktyce źródło sterowane jesc realizowane przez wzmacniacz.
Zadanie 3.55
Zadanie to można rozwiązać trzema różnymi metodami.
1 . Metoda pierwsza polega na zastąpieniu tranzystora schematem zastępczy*, powstałym z zależności wynikających z jego opisu parametrami macierzy hybrydowej. Tak otrzymany obwód rozwiązuje się jedną ze znanych metod analizy obwodów złożonych.
2. Metoda druga polega na tym, że tranzystor traktujemy jak wielobiegunnik, opisany macierzą admitancyjną 1' Parametry jej oblicza aię na podstawie znajomości parametrów macierzy hybrydowej h. To pozwala na ros-wiązanie obwodu metodą P°
tencjałów węzłowych dla obwodów z wielobiegunnikami.
3. W metodzie trzeciej traktuje się obwód z rys. 3.55 Jako połączenie ? ^
wnych czwórników, co pozwala na zredukowanie go do postaci za"1
ęsTj 3 o p®*^
cej jeden czwórnik wypadkowy. Jest on zasilany zastępczą z ' w
nej impedancji Z2 i obciążony admitancją 'CQ, tak jak przedsta rys. 3.55.1.
Zadanie rozwiążemy kolejno wszystkimi metodami.
A<* 1) aoi „sei|r
Jeśli tranzystor traktuje się jako czwórnik opisany parametru rzy h (irys. 3.55.2a^ to na podstawie znanych zależności:
U1 - h11Z1 + &i2U2»
I- =
^21^1 + ^22^2*
?o sprowadzeniu schematu zastępczego tranzystora w obwodzie z rys. 3.55 otrzymamy obwód, przedstawiony na irys. 3.55.3. Otrzymany obwód jest obwo-ze źródłami sterowanymi, który możemy rozwiązać, stosując metodę po-■‘ccjałów węzłowych. Przyjmując oznaczenia potencjałów węzłowych, takie J6k na 3.55.3, otrzymamy następujący układ równań
(jj- + Ł22^V2 -h2',v'1 =
22 3 ” 21 1
(D
-h00y2 (J- + h22 + + j"C)73
22