300 (38)

- 300

Tranzystor bipolarny

z rozdziału 3. W rozdziale 3 wyprowadzono zależność pojemności złączowej od napięcia, którą teraz zapiszemy oddzielnie dla złączy E-B i B-G:

przy czym: C_je0, C_Jc0 — pojemności warstw zaporowych złączy E-B i B-G dla zerowych napięć polaryzacji; <p_B, <p_c — napięcia dyfuzyjne złączy E-B i B-G\ n_B, ⁿc — liczby przyjmujące wartości od 1/2 (złącze skokowe) do 1/3 (złącze liniowe).

Po wprowadzeniu pojęcia pojemności złączowych można teraz wrócić do określenia czasu opóźnienia t_d związanego z ładowaniem tych pojemności.

W przybliżeniu

(Gjeir + O_{jc ir}) ln

(5.81)

przy czym G_Jeir, C_Jcir — wartości średnie pojemności C_Je, C_jc w określonych przedziałach zmian napięć U_BE, U_CB.

Pojemności dyfuzyjne

Pojęcie pojemności dyfuzyjnej jest również znane z teorii złącza p-n. Pojemność dyfuzyjna jest ogólnie definiowana jako parametr przyrostowy, określający stosunek przyrostu ładunku nośników mniejszościowych nadmiarowych do odpowiedniego przyrostu napięcia

AQ,

mniej, nadm

AU

Można wymienić dwie przyczyny zmian ładunku nośników mniejszościowych nadmiarowych w^r tranzystorze:

—    wstrzykiwanie nośników (pojemność dyfuzyjną związaną z tym zjawiskiem nazwiemy pojemnością iniekcyjną C_d);

—    modulacja efektywnej szerokości bazy (pojemność dyfuzyjną związaną z tym zjawiskiem nazwiemy pojemnością modulacyjną C_d ).

Pojemność iniekcyjną występuje w przypadku polaryzacji złącza w kierunku przew odzenia niezależnie od rodzaju polaryzacji drugiego złącza, pojemność modulacyjna— w przypadku polaryzacji złącza w kierunku zaporowymi przy polaryzacji drugiego złącza w kierunku przewodzenia. Zatem pojemność dyfuzyjna emitera

II a *0	+	riM '-'dc	(5.82)
dla zakresów		dla zakresu
normalnego		inwersyjnego
i nasycenia
i kolektora
C<ic = Crfc	+	rtM °dc	(5.83)
dla zakresów		dla zakresu
inwersyjnego		normalnego
i nasycenia

W zakresie zatkania pojemności dyfuzyjne nie występują. Uwzględniając wnioski sformułowane w rozważaniach zawartych na początku p. 5.8 można w' następujący spo-