400 (20)

- 400

Tranzystory połowę

Rys. 6.33

Zależność pojemności bramki od napięcia U as- a) pojemność C,t i jej składowe; b) wpływ napięcia U_DS na przebieg charakterystyki O_gt(Uos) krzywej C_gi(U_GS) dla różnych wartości napięcia U_DS. Pojemność bramki zdefiniowano następująco;

c_9i = C_gsi+C_gbl+C_gdl    (6.88)

Na wykresie przedstawionym na rys. 6.33a można wyróżnić trzy obszary odpowiadające pracy tranzystora w zakresie: zatkania, nasycenia, nienasycenia.

W zakresie zatkania pojemność bramki tworzy tylko jedna składowa C_gbl, która zależy od napięcia w identyczny sposób jak pojemność kondensatora MIS w' zakresie akumulacji i zubożenia. Gdy napięcie U_GS przekroczy wartość napięcia progowego U _T, pojawda się ładunek kanału, a wraz z nim pojawia się pojemność C_gsi, czyli pojemność G_gt wzrasta tak jak w kondensatorze MIS dla stanu inworsji. Jednak nie osiąga ona takiej samej wartości jak w stanie akumulacji (tak byłoby w kondensatorze MIS), gdyż dla \U_GS— U_T\ < [f7_0S| tranzystor pracuje w zakresie nasycenia i kanał zwężając się na drodze od źródła do drenu nierównomiernie ekranuje głębsze warstwy półprzewodnika. W zakresie nienasycenia, tj. dla |t/_GS| > | U_DS + U_T\ pojawia się pojemność G_gdi, gdyż przy drenie pojawia się ładunek kanału. W miarę dalszego wzrostu napięcia U_es różnice w sterowaniu ładunku kanału napięciem źródła i drenu są coraz mniejsze

i pojemność C_gi dzieli się’ symetrycznie na składowe C_gsixC_gdiK--C_iZL,\

Z

natomiast pojemność C_gbi znika wskutek silnego ekranowania głębszych w^raretw półprzewodnika przez kanał.

W uproszczonej analizie można zastosow^rać następujące wyrażenia analityczne, opisujące

w sposób przybliżony poszczególne pojemności:    jH H

Zakres zatkania \U_CS\ < \U_T\

Cg,i = 0

^C«ⁱⁱ = 0    (6.89)

ZLei

^c°^bi - ~dT

i