376 377 (4)

wartość 3.15 pF jest przyłączona równolegle do obciążenia (rys. 4-19).

Ponieważ 1/St ma małą wartość, wartości R,j i R„_a we wtórniku katodowym wynoszą kilkaset, a nawet kilkadziesiąt omów. W wyniku tego charakterystyki: częstotliwościowa i fazowa wtórnika na dolnych częstotliwościach są nieco tylko gorsze niż konwencjonalnego stopnia oporowego, zaś na górnych częstotliwościach są tak dobre, że nie wymagają korekcji do częstotliwości kilkudziesięciu megaherców.

Mały współczynnik zawartości harmonicznych wtórnika katodowego jest związany z istnieniem ujemnego sprzężenia zwrotnego, brakiem wysokiego potencjału dodatniego w przewodach wyjściowych, małą opornością wyjściową, możliwością uzyskania dobrej częstotliwościowej, fazowej i przejściowej charakterystyk bez bocznikowania obciążenia małą opornością czynną, pozwalającą na zastosowanie w układzie lampy mniejszej mocy niż przy obciążeniu anodowym (L27, str. 39). Zmusza to niekiedy do stosowania wtórnika katodowego jako stopnia wyjściowego z szerokopasmowych wzmacniaczy sygnałów harmonicznych i impulsowych, obciążonych znaczną pojemnością lub kablem współosiowym, łączącym poszczególne części urządzenia.

Współczynnik wzmocnienia wtórnika katodowego na średnich częstotliwościach h'_utr oraz jego współczynnik zawartości harmonicznych h są określone zależnościami wynikającymi z (4.53) i (7.10).

S_kR 1 +S_kR

h = -^K-1 +S_kR

(7.98)

gdzie: h. — współczynnik zawartości harmonicznych stopnia z obciążeniem anodowym przy równej amplitudzie zmiennej składowej prądu anodowego,

R — cporńoćć obciążenia stopnia w zakresie średnic częstotliwości dla układu przedstawionego na rys. 7-22 i równe

R =

R_k+R*

(7.99)

Współczynnik wzmocnienia napięcia k_ult oraz współczynnik wzmocnienia prądowego k_l(r wtórnika emiterowego na średnich c ęstotliwościach oraz oporność wejściowa i wyjściowa tranzystora w tym zakresie częstotliwości są określone zależnościami (4.105), (4.106), 4.107) i (4.108). Przy oporności obciążenia obwodu emitera dla prądu zmiennego Rf_ oraz oporności wejściowej wtórnika, dużo mniejszymi opornościami złącza kolektorowego r_c, co zazwyczaj występuje przy obliczaniu wtórnika emiterowego, można stosować bardziej dla celów praktycznych dogodne wzory przybliżone otrzymane z wymienionych zależności:

1

1-a ^:

Re.

Kir***

Rw<j ‘

R wc/b+Re.

1—a

Ru-y/*^ RweJBT Ri(l—a) (7.100)

gdzie R„,i# i a — wejściowa oporność tranzystora obliczona na podstawie jego statycznej charakterystyki wejściowej i punktu pracy dla układu OB oraz statyczny współczynnik wzmocnienia prądowego dla tego samego układu; R_t — oporność źródła sygnału dla prądu zmiennego.

W celu zmniejszenia napięcia na anodzie lampy, ochrony jej przed sprzężeniami pasożytniczymi oraz wygładzenia tętnień w obwód anody wtórnika włącza się niekiedy układ C/R/ (rys. 7-23a). Dołączenie takiego układu jest tutaj wykonywane nie w celu korekcji charakterystyk, jak to się działo w stopniu oporowym, a przeciwnie w celu wprowadzenia zniekształceń częstotliwościowych i przesunięć fazy na dolnych częstotliwościach oraz spadku wierzchołka impulsu.

Zakładając, ze oporność obwodu anodowego równa się sumie oporności wewnętrznej lampy i oporności układu C/R/, otrzymamy następujące zależności dla wzmocnienia względnego, współczynnika zniekształceń częstotliwościowych. kąta przesunięcia fazy w zakresie dolnych częstotliwości i spadku, wywołanych układem C/R/ we wtórniku katodowym:

Y, =

l + ifoCjR, l+b^+ia>CfRj

gdzie:

/(l+l

~~i

<f_t = aretg

A,

+ b,)*+(wC_/R_/)^s +(oi C, Rjf cabfCfRf T+bj (ojCjRj)*

T

C,e_a(l+S_kR)

b/ =

R =

«/

£>.<t+S₄R)

R_tR,

R_k + R,

(7.101)

(7.102)

377