- 390
Uwzględniając zależność na UFB otrzymuje się napięcie progowe w postaci
U T = cpms—+2ę?F— (6.64)
przy czym ładunek Qa można wyznaczyć posługując się zależnością znaną z teorii złącza p-n
Qb — (2esguVD "2ę?f)'/2 (6.65)
Na rysunku 6.25c przedstawiono sytuację dla |(/GS| > |Ł7r|. Ponieważ bardzo małe przyrosty potencjału powierzchniowego powodują duże przyrosty ładunku kanału (zależność wykładnicza), zatem — praktycznie biorąc — cały przyrost napięcia |C7GS| powyżej wartości |Z7T| odkłada się na dielektryku, a (ps pozostaje niemal stałe i równe 2cpF. Można zatem napisać proste wyrażenie na ładunek kanału
Qc = Cg(UGS-UT) (6.66)
przy czym Gg = C\ZL — pojemność kondensatora, którego okładki stanowi kanał i elektroda bramki.
Ponieważ Qc zależy liniowo od napięcia UGS, prąd drenu jest również liniową funkcją napięcia UGS (przy UDS 0).
Wyrażenie na charakterystykę przejściową dla dowolnych wartości napięcia UDS otrzymamy w analizie ilościowej (p. 6.3.2).
Charakterystyka wyjściowa 6.3.1.3
Jeżeli napięcie drenu UDS jest małe w porównaniu z napięciem bramki UGS, to kanał spełnia, funkcję rezystora liniowego, łączącego źródło z drenem (rys. 6.26a i odpowiadający' mu punkt a na charakterystyce /D(t/DS)). W tym zakresie
|Ł/ssj>jt/r| g<j> Obszar zubożonij\
osj^-l^o saf |
b) S G 0
/Obszar zubożony
Rys. 6.26
Schematyczne ilustracje stanów w tranzystorze MIS, objaśniające przebieg charakterystyki wyjściowej: a) zakres nienasycenia; b) odcięcie kanału; c) zakres nasycenia; d) charakterystyka ID{UDS)