392 (18)

- 392

Tranzystory połowę

przy czym współczynnik

_ ]/2 e,qN_D

^k—CT~

Stąd wynika, że wpływ polaryzacji elektrody podłoża jest tym mniejszy, im jest większa rezystywność podłoża (mniejsza koncentracja domieszek). Wraz ze wzrostem rezystywności podłoża warstwa ładunku przestrzennego złącza kanał--podłoże znacznie głębiej rozszerza się w stronę słabo domieszkowanego podłoża niż w stronę kanału. Wówczas modulacja grubości kanału jest słabsza.

Charakterystyki i parametry statyczne — analiza ilościowa    6.3.2

Rozpatrzymy statyczne charakterystyki prądowo-napięciowe oddzielnie dla zakresów nienasycenia i nasycenia. Przeprowadzimy uproszczoną analizę ładunkowy, podobną jak dla tranzystora PNFET o szpilkowym rozkładzie domieszek w kanale.

Zakres nienasycenia (0 < U_DS <: U_Dsat)    6.3.2.I

Punktem wyjścia jest zależność (6.19), którą przepisujemy jako słuszną również dla tranzystora MIS.

(6.69)

W pierwszym przybliżeniu przyjmuje się, że natężenie pola elektrycznego nie zmienia się wzdłuż kanału, czyli nie zmienia się również szybkość unoszenia nośników. Stąd czas przelotu nośników' przez kanał

(6.70)

L _    Z,²

y„ E_y    fi„ V _DS

Najpierw rozpatrzymy ogólny przypadek polaryzacji źródła, bramki i drenu w stosunku do uziemionego podłoża (t/_s # 0, U_c 0, U_D ^ 0, U_B = 0). Jeżeli U_s    U_D (inaczej U_DS # 0), to istnieje określony rozkład potencjału

U(y) wzdłuż kanału. Ładunek (y) zaindukowany w kanale (w jednostce powierzchni) dla współrzędnej y

(6.71)

Q*c{y) = C,[U_G-U_T-U(y)]

Założono, że potencjał U (y) zmienia się liniowo, można zatem wprowadzić pojęcie średniego potencjału w kanale

U_S + U_D

(6.72)

Qc = C_g\U_G-U_T~-

Wówczas całkowity ładunek kanału U_S + U_D\

2