398 (16)

Trnazystory połowę

a diody i),, D₂ reprezentują złącza p⁺-n istniejące między źródłem a podłożem oraz między drenem a podłożem. W modelu tym uwzględniono również rezystancje szeregowe źródła r_s, drenu r_D i podłoża r_B.

6.3.3

Praca dynamiczna nieliniowa

Model dynamiczny nieliniowy tranzystora MIS otrzymuje się identycznie jak dla tranzystora PNFET przez dołączenie do modelu statycznego pojemności między elektrodowych.

tranzystora (tzw. tranzystor idealny) zgodnie z podziałem struktury tranzystora przedstawionym na rys. 6.31. Następnie uwzględnimy elementy reprezentujące część zewnętrzną, otrzymując w ten sposób model tzw. tranzsytora rzeczy-wistego.

Rozważania przeprowadzimy dwustopniowo. Najpierw rozpatrzymy część wewnętrzną

Si-n

Część wewnętrzna (tranzystor idealny)

Rys. 6.31

Struktura tranzystora MIS, w której wydzielono część wewnętrzną oraz zaznaczono pojemności wewnętrzno i zewnętrzne

Tak jak dla tranzystora PNFET zakłada się, że zmiany ładunków w^r tranzystorze MIS (Q_g, Q_c , Q_B) są quasi-równowagowe, czyli wartości tych ładunków' są funkcjami wartości chwilowych napięć na elektrodach, nie zależą zaś od szybkości zmian tych napięć. Szybkie zmiany napięć polaryzacji powodują przepływy prądów przesunięcia między poszczególnymi parami elektrod (prądy' bramka-źródło, bramka-dren, podłoże-źródło itd.). W dokładnym schemacie zastępczym tranzystora idealnego należałoby zatem uwzględnić pięć pojemności (C_gsi,

C_hsi, C_Mi i Cgn) — rys. 6.32a. W uproszczonej analizie uwzględnia się tylko pojemności O_gsi, G_qdi, C_gbl, zdefiniowane następująco:

SQo

(6.80!