Wzmocnienie napięciowe jest odpowiednio równe
(1.21)
« {/, Rc R,
K= — = P— = P —
U
U, r h
Ku = P
Rr
(1.22)
Rezystory R{ i R^ (rys. 1.8) polaryzują bazę i jednocześnie zmniejszają rezystancję wyjściową.
Oznaczmy rezystancję „widzianą” z zacisków wejściowych wzmacniacza przez Rwe. Wówczas
= ~~ d-23)
RB + 'we
W celu zapewnienia dobrej stabilizacji punktu pracy wzmacniacza należy (jak wspomniano wcześniej) dobierać małe RB, co z kolei zmniejsza niekorzystnie rezystancję wejściową wzmacniacza. Rozwiązanie kompromisowe wskazuje na podaną wyżej wartość współczynnika stabilizacji. Wzmocnienie skuteczne Kusk zależy również od rezystancji wejściowej i zmniejsza się wraz z obciążeniem źródła sygnału.
Spotykane są również inne rozwiązania, z których należy wymienić układy przedstawione na rys. 1.9. Układ z rys. 1.9a, choć nie wprowadza żadnej stabilizacji
Rys. 1.9. Przykłady zasilania układów tranzystorowych: a) układ bez sprzężenia emiterowego, b) układ ze sprzężeniem emiterowym, c) układ ze sprzężeniem kolektorowym, d) układ ze sprzężeniem kolektorowym i emiterowym [1]
prądu kolektora, jest nieraz stosowany ze względu na swą prostotę. Może pracować w stałych warunkach cieplnych. Układ z rys. 1.9b słabo stabilizuje prąd kolektora, lecz nie powoduje dużych strat wzmocnienia przez bocznikowanie wejścia wzmacniacza. Układ z rys. 1.9c nie obciąża źródła rezystorami polaryzującymi bazę. Przez rezystor Rj napięcie wyjściowe o fazie przeciwnej jest podawane na wejście. Występuje więc ujemne sprzężenie zwrotne dla składowej stałej i dla składowej zmiennej. Układ ze sprzężeniem kolektorowym i emiterowym przedstawiony na rys. 1.9d umożliwia dosyć dobrą stabilizację punktu pracy i często jest stosowany. Obwód ujemnego sprzężenia zwrotnego prądowego i napięciowego zawiera rezystory Rf i Rj, od których rezystancji zależą zmiany prądu kolektora. Szczegółową analizę wymienionych układów zawierają publikacje [2, 4 i 5].
Przykład przybliżonej metody doboru elementów zasilania
Zaprojektować układ zasilania i stabilizacji punktu pracy wzmacniacza (rys. 1.10) z tranzystorem krzemowym NPN przy założeniach: Ez = 12 V, UCE = 5 V,
UBE = 0,7 V, Ic = 2 mA, St = 4, P0 = 100.
Rys. 1.10. Wzmacniacz jednostopniowy - ilustracja do przykładu obliczeniowego: a) schemat ideowy.
b) analiza graficzna [1]
Si * Tę,.
1. Dla przyjętego St obliczamy wartość stosunku RE/RB ze wzoru (1.17) i otrzymujemy ReIRb = 1/3.
2. Wyznaczamy wartość RC + RE ze wzoru Ez = UCE + ICRC + 1ERE ~ UCE + Ic(Rc + RFy Rc + Re - 3,5 kO .
3 Ze wzoru RE = (0,1-*-0,3)EJIC wyznaczamy Re. Załóżmy, że RE = 0,1 EJ1C, wówczas Re = 0,6 kQ.
Dobór większej wartości RE zapewnia lepszą stabilizację punktu pracy, lecz powoduje konieczność zmniejszenia rezystancji Rc, a w konsekwencji zmniejszenia wzmocnienia.
4. Obliczamy wartość rezystancji Rc = 3,5 - 0,6 = 2,9 kQ.
5. Określamy wartość wypadkowej rezystancji RB zgodnie z punktem 1 Rb = 3-0,6 = 1,8 kO. '
6. Określamy potencjał bazy UB = UBE + IERE = 0,7 +2 0,6 = 1,9 V.
15