DSCF0795 (2)

DSCF0795 (2)



170


4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne

Pasmo przenoszenia wzmacniaczy niskich częstotliwości z pojemnościowym sprzężeniem między stopniowym ma ograniczoną dolną częstotliwość graniczną.

Zmiana napięcia wejściowego AŁ/1 wywołuje zmiany napięcia wyjściowego AU2- Jednocześnie następuje inwersja faz pomiędzy napięciem sterującym i wyjściowym. Oznacza to, że wzrostowi napięcia sterującego towarzyszy zmniejszenie napięcia wyjściowego i odwrotnie.

W jednostopniowym, tranzystorowym przedwzmacniaczu napięciowym następuje przesunięcie fazowe o 180° sygnału wyjściowego względem sygnału wejściowego.

Dla prawidłowej pracy przedwzmacniacza w zakresie liniowym konieczne jest spolaryzowanie napięciem stałym zarówno wejścia (napięcie UBeo = 0,6 V). jak i wyjścia wzmacniacza (napięcie UCE0 = 4,5 V). Napięcie UBeo jest stabilizowane dodatkowo przez ujemne prądowe sprzężenie zwrotne w układzie złożonym z rezystora R5 i kondensatora C3. Wzrost prądu emitera tranzystora T1, wywołany np. wzrostem temperatury otoczenia, powoduje wzrost napięcia emitera UE, a za

tem prowadzi do automatycznego zmniejszenia napięcia UBE0, które w rezultacie zmniejsza prąd emitera do wartości nominalnej. Kondensator C3 filtruje tętnienia i wysokoczęstotliwościowe składowe sygnału sprzężenia. Kondensator C2, stanowiący sprzężenie międzystopniowe, pozwala na wyeliminowanie składowej stałej napięcia wyjściowego stopnia pierwszego.

Drugi stopień wzmacniacza (rys. 1 na poprzedniej stronie) pracuje w układzie wspólnego kolektora.

Układ ten charakteryzuje się dużą impedancją wejściową i niską impedancją wyjściową. Zatem niewielkie zmiany impedancji wejściowej nie będą wywoływały istotnych zmian rezystancji obciążenia stopnia pierwszego. W tym sensie oba stopnie są odseparowane impedancyjnie. Niewielka rezystancja wyjściowa stopnia wyjściowego umożliwia uzyskanie stanu dopasowania energetycznego źródła sygnału i odbiornika.


Przykład:

Określić współczynnik wzmocnienia napięciowego pierwszego stopnia wzmacniającego przedstawionego na rys. 1 na poprzedniej stronie.

Rozwiązanie:

Z rysunku 2 na poprzedniej stronie możliwe są do odczytania zmiany wartości międzyszczyto-wych napięcia wejściowego AUi = 0.06 V i napięcia wyjściowego AU2 = 5,4 V. Stąd współczynnik wzmocnienia napięciowego wynosi


k., =


A U2 A U,


5,4 V 0,06 V


= 90.


Dopasowanie energetyczne polegające na dostarczeniu maksymalnej mocy ze źródła do odbiornika występuje wówczas, gdy impedancje źródła i odbiornika sygnału są identyczne.

Zatem w przykładzie z rys. 1 przedstawionym na poprzedniej stronie pożądaną rezystancją wyjściową drugiego stopnia wzmacniającego jest rezystancja 50 Q.

katoda bramka

Podziałka 1:1


pastylka półprzewodnika krzemowego

anoda


4.2.4 Tyrystory

Jednokierunkowy tyrystor triodowy blokujący wstecznie

Tyrystory są półprzewodnikowymi wielozłączowymi przyrządami elektronicznymi zbudowanymi z czterech warstw półprzewodnika o różnym typie przewodnictwa, np. PNPN (rys. 1).

Nazwa tyrystor jest tworem sztucznym i pochodzi od złożenia wyrazów: thyratron - trioda i resistor - rezystor.

Jedna skrajna warstwa półprzewodnika tyrystora o przewodnictwie typu P nazywana jest anodą, natomiast druga skrajna warstwa półprzewodnika tyrystora o przewodnictwie typu N nazywana jest katodą.

tyrystor z bramką z materiału o przewodnictwie P

katoda t    j

lo i

złącza półprzewodnikowe typu PN

tyrystor z bramką z materiału o przewodnictwie N

i

Rys. 1. Schemat konstrukcyjny tyrystora o maksymalnym prądzie przewodzenia 50 A i maksymalnym napięciu zaporowym 750 V


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
DSCF0761 (2) 136 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczny Rozróżnienie układów o stałym
DSCF0762 (2) WĘ 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nym wprowadzeniu (domieszkowani
DSCF0763 (2) 138 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektrony dla uproszczenia atomy przedstawio
DSCF0764 139 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne lencyjnego) do pasma przewodzenia
DSCF0765 140 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne krzem o przewodnictwie typu N elek
DSCF0768 (2) 14; 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nego wynika ze zjawiska przewo
DSCF0771 146 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Diody mocy Do konstrukcji diod
DSCF0772 147 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niewielka zmiana napięcia polaryzu
DSCF0773 148 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niem termicznym diody. Najprostszy
DSCF0774 149 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Janoda Si02 —.warstwa zaporowa Rys
DSCF0775 150 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Tab. 1. Półprzewodnikowe diody
DSCF0777 152 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczny4.2.3 Tranzystory4.2.3.1 Tranzystor
DSCF0779 154 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Charakterystyka wejściowa
DSCF0781 156 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Rys. 1. Obszar pracy tranzystora N
DSCF0783 158 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Rys. 1. Współczynniki korekcyjne p
DSCF0784 159 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Fototranzystory Rys. 1. Charaktery
DSCF0785 160 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 160 4.2 Półprzewodnikowe elementy
DSCF0787 (2) 162 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 162 4.2 Półprzewodnikowe eleme
DSCF0789 (2) 164 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne pach kanałów sterowanych ze ws

więcej podobnych podstron