124867

92. Określić kryterium dla małosygnałow e pracy MOSFETA jako aktywnego elementu liniowego.

Model małosygnałowy uwzględnia małe linearyzowane zmiany prądu drenu wokół jego stałej wartości l_D w punkcie pracy (Uds,U_Gs)-

Kryterium - Rozwinięcie prądu drenu jako funkcji 2 zmiennych w szereg MacLaurina oraz pominięcie wyrazów innych niż liniowe.

/(*) = /(«)+ ^/^(,)(<0+^^L=pV^>(‘*)+- • ■+    ^f<"\a) + R_n(x,a).

przy czym a=0.

Dla funkcji dwóch zmiennych rozwinięcie przyjmie postać:

2 i²9 ¥

„ d'<p

xt-t + 2xy—^- + y

J    ^-1    -v2_    -»2

bx² dxdy

2!

(p[x,y) = ę[ 0,0| + -

w

b - ~rPCox

(“es “ Vr)“ns

W-szerokość kanału, L-dł.kanału, ^-ruchliwość nośników w kanale,C_ox-poj. Warstwy tlenkowej bramki

i_D(U_cs,U_DS) = ‘o(0,0) + i (t/«    + t/os+ -

93. Jak zmieniają się parametry małosygnałowe g,„ i go w zakresie liniowym i nasycenia MOSFET?

d iD

g_m —-

Transkonduktancja - ^dUGS

9o - ^diD

konduktancja wyjściowa - ^dUDS

Prąd drenu w zakresie liniowym:

^W „

b = JA*^cox

(“es ^_ VT^^UDS 2~

Prąd drenu w zakresie nasycenia: ^l°^aat ~    ^

I teraz różniczkujemy.

94. Określić możliwości sterowania małosygnałowego MOSFET-a od strony podłoża - porównać z właściwymi parametrami sterowania od strony bramki

trzeba poczytać to samo co przy efekcie objętościowy co do wpływu na parametry to takie sterownianie jest tyiko pomocnicze bo nie zapewnia pełnej regulacji szer kanału a poza tym są problemy technologiczne (trzeba npodp domieszkować) Konrad

nie jestem do końca pewien, ale możliwe że o to chodzi:

koper str 66 ??

Nie wiem co z porównaniem z modulowaniem od strony bramki ale od strony podłoża ładnie ujęte w Marciniaku, podrozdział 6.3.1.4. (u mnie strona 391)