sieciowej. Nadmiar energii atomu na powierzchni względem energii atomu w sieci liczymy, biorąc pod uwagę różne liczby koordynacyjne tych atomów (odpowiednio lks i lkv). Dla uproszczenia zakładamy, że energia wiązania atom - atom jest taka sama dla wiązania z udziałem atomu na powierzclmi jak energia wiązania pary atomów wewnątrz sieci:
ai/M
Uc = uv = u = —— (11.2.81)
0,5 lkvNA
gdzie: A//* - molowa entalpia sublimacji (związana ze zrywaniem wiązań),
0,5 lkvNA - liczba wiązań na 1 mol kryształu.
Przecięcie kryształu prowadzi do zerwama wiązań chemicznycli, przy czym ilość zerwanych wiązań zależy od miejsca przecięcia. Ponieważ w efekcie przecięcia powstają dwie powierzchnie (s), to możemy napisać, że energia zerwanych wiązań w przeliczeniu na jeden atom wynosi:
(11.2.82)
Atfs Iky-lks
0.5 lkyNA 2
i stąd:
AW
lky-lks N J
5 lkvNA
(11.2.83)
gdzie lkv~lk* jest liczbą zerwanych wiązań w prze li czemu na jeden atom na powierzclmi, a iloraz - to ilość atomów w jednostce powielzcluii (gęstość powierzclmiowra). Wielkość yp.
obliczona w (II.2.83), to jednostkowa energia swobodnej powierzclmi, utożsamiana z jednostkową energią powierzclmiową.
Knergia powierzchniowa jest rótnicą pomiędzy- całkowitą energią wszystkich atomów' lub cząsteczek warstwy powierzchniowej a energią, którą by te atomy cząsteczki miały wewnątrz fazy. Miarą energii powierzchniowej jest praca, którą trzeba wykonać, aby przenieść atomy lub cząsteczki z wnętrza fazy na jej powierzchnię.
Zgodnie z wzorem (II.2.83), wielkość jednostkowej energii swobodnej powierzchni kryształu zależy od tego, która płaszczyzna krystalograficzna tworzy tę powierzcluiię. Przykładowo, dla kryształu o strukturze regularnej gęsto upakowanej fcc. mamy: lkv = 12 oraz lks( ni) = 9 i lkS(ioo) = 8. Liczby atomów na jednostkę powierzchni wynoszą odpowiednio (Rys. II.2.3):
(-) =—T7= oraz (-) =-^r, gdzie a0 jest parametrem sieci. Porównanie
's' (111) ao2V3 ^(lOO) Oo2 jednostkowej energii powierzchni (100) i (111) kryształu o strukturze fcc daje: yP(100) =
rp(m)