��TECHNIKA MIKROFALOWA Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych (Skr�t roboczy) OpracowaB
: dr in|
. Adam Konrad Rutkowski Warszawa 2007 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) Falow�d prostok
tny Graniczna dB
ugo[

fali. 2 �gr = 2 2 m n �� �� �� �� + �� �� �� �� a b �� �� �� �� Cz
stotliwo[

graniczna. 2 2 c 1 m n �� �� �� �� fgr = = �" + �� �� �� �� �gr a b 2�" � �" � �� �� �� �� DB
ugo[

fali propaguj
cej si
w falowodzie. �o �o � = = f 2 fgr 2 �� �� �� �� �o �� �� 1- �� �� 1- �� �� �� �� f �gr �� �� �� �� Zalecany stosunek dB
ugo[
ci fali do dB
ugo[
ci fali granicznej falowodu prostok
tnego pozwala- j
cy na przesyB
anie fali EM rodzaju podstawowego z jednoczesnym zabezpieczeniem przed mo|
liwo[
ci
wzbudzenia si
wy|
szych rodzaj�w falowodowych. �o 0,8 > > 0,52 �gr 1 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) Linia koncentryczna Impedancja charakterystyczna linii koncentrycznej. 60 a 138 a Zo = �"ln�� �� lub Zo = log�� �� �� �� �� �� b b �r �" �r �r �" �r �� �� �� �� Pr
dko[

propagacji fali EM w linii koncentrycznej. c � = f �r Wsp�B
czynnik fazowy linii koncentrycznej. � = �o �" �r DB
ugo[

fali propaguj
cej si
w linii koncentrycznej. �o � = f �r DB
ugo[

elektryczna linii koncentrycznej. � = � �"l Op�z
nienie fali EM w linii koncentrycznej. l top = �" �r c 2 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) Linia dwuprzewodowa Impedancja charakterystyczna linii dwuprzewodowej. �� 2 �� 120 D 120 D D �� �� Zo = �" ar cosh�� �� = �"ln�� � �� �� �� �� -1�� �� d d d �r �" �r �� �� �r �" �r �� �� �� �� �� �� �� lub �� 2 �� 2 2 2 �� �� �� �� �� �� 60 2�" D2 - d 60 2�" D2 - d 2�" D2 - d �� �� Zo = �" ar cosh�� 2 �� = �"ln � -1 �� �� 2 �� �� �� �� �r �" �r �r �" �r �� d 2 d d �� �� �� �� �� �� �� W obu powy|
szych przypadkach odlegB
o[

pomi
dzy [
rodkami przewod�w D powinna by
wi
ksza ni|
[
rednica przewod�w d. 3 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) Linia mikropaskowa (niesymetryczna linia paskowa) Impedancja charakterystyczna. 60 h w �� Zo = �" ln��8 �" + 0.25 �" dla w/h<�=1, �� �� w h �r �" �r �� �� -1 120�"� �� w w �� Zo = �"�� +1,393+ 0.667 �"ln�� +1.444���� dla w/h>=1 �� ���� h h �r �" �r �� �� �� �� �� Efektywna wzgl
dna staB
a dielektryczna. 1 - �r +1 �r -1 h �� 2 �eff = + �"��1+10�" �� �� 2 2 w �� �� 4 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) Wsp�B
czynnik odbicia impedancji Zk doB

czonej do linii transmisyjnej o impedancji charakte- rystycznej Zo. Zk - Zo ( Rk - Zo ) + jX k �k = = = Zk + Zo ( Rk + Zo ) + j �" X k ( Rk - Zo )�"( Rk + Zo ) + X �" X ( Rk + Zo )�" X - ( Rk - Zo )�" X k k k k = + j �" 2 2 ( Rk + Zo )2 + X ( Rk + Zo )2 + X k k ( Rk - Zo )�"( Rk + Zo ) + X �" X ( Rk + Zo )�" X - ( Rk - Zo )�" X k k k k R�k = , X = �k 2 2 ( Rk + Zo )2 + X ( Rk + Zo )2 + X k k �� �� X 2 2 �� �� �k = R�k + X , � = arctan�� �k �� �k R�k �� �� Wsp�B
czynnik odbicia na wej[
ciu stratnej linii transmisyjnej zakoD
czonej impedancj
opisan
wsp�B
czynnikiem odbicia �k. j�"( -2�"� �"l +��k ) �we( l ) = �k �"e-2�"� �"l = �k �"e-2�"� �"l �"e RozkB
ad amplitudy napi
cia wzdB
u|
bezstratnej linii transmisyjnej zakoD
czonej impedancj
opisan
wsp�B
czynnikiem odbicia �k. + U( l ) = Uo �" 1+ �k 2 + 2 �" �k �" cos( 2 �" � �" l -� ) RozkB
ad amplitudy pr
du wzdB
u|
bezstratnej linii transmisyjnej zakoD
czonej impedancj
opi- san
wsp�B
czynnikiem odbicia �k. + I( l ) = Io �" 1+ �k 2 - 2 �" �k �" cos( 2 �" � �" l -� ) Impedancja wej[
ciowa linii transmisyjnej zakoD
czonej impedancj
Zk Zk + j �" Zo �" tg( � �" l ) Zwe = Zo �" Zo + j �" Zk �" tg( � �" l ) Rk �" [ Zo - Xk �" tg( � �" l )] + [ Xk + Zo �" tg( � �" l )] �" [ Rk �" tg( � �" l )] Rwe = Zo �" [ Zo - Xk �" tg( � �" l )]2 + [ Rk �" tg( � �" l )]2 [ Zo - Xk �" tg( � �" l )] �" [ Xk + Zo �" tg( � �" l )] - [ Rk �" Rk �" tg( � �" l )] Xwe = Zo �" [ Zo - Xk �" tg( � �" l )]2 + [ Rk �" tg( � �" l )]2 5 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) MACIERZE ROZPROSZENIA WYBRANYCH PODZESPOA
�W Macierz rozproszenia jednowrotnika (impedancji): Z - Z0 S11 = Z + z0 Macierz rozproszenia szeregowej impedancji wB

czonej pomi
dzy dwie linie transmisyjne: Z02 + Z - Z01 S11 = Z02 + Z + Z01 2 �" Z02 �" Z01 S21 = Z02 + Z01 + Z Macierz rozproszenia admitancji (impedancji) wB

czonej r�wnolegle do linii transmisyjnej: Y S11 = - Y + 2 �"Y0 2 �"Y0 S21 = Y + 2 �"Y0 6 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) Macierz rozproszenia rozgaB

zienia Y linii transmisyjnych (bez uwzgl
dniania reaktancji na styku linii) 3 2 Z3 Z2 Z1 1 Rys. 1. Struktura rozgaB

zienia. (Z1, Z2, Z3  impedancje charakterystyczne prowadnic mikrofalowych). Z 2 �" Z3 - Z1 Z 2 + Z3 Re S11 = Im S11 = 0 Z 2 �" Z3 + Z1 Z 2 + Z3 Z1�" Z3 - Z 2 Z1+ Z3 Re S22 = Im S22 = 0 Z1�" Z3 + Z 2 Z1+ Z3 Z1�" Z 2 - Z3 Z1+ Z 2 Re S33 = Im S33 = 0 Z1�" Z 2 + Z3 Z1+ Z 2 Z3 Re S21 = (1- S112 )�" Im S21 = 0 Z 2 + Z3 Z3 2 Re S12 = (1- S22 )�" Im S12 = 0 Z1+ Z3 7 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) Z 2 Re S31 = (1- S112 )�" Im S31 = 0 Z 2 + Z3 Z 2 2 Re S13 = (1- S33 )�" Im S13 = 0 Z1+ Z 2 Z1 2 Re S32 = (1- S22 )�" Im S32 = 0 Z1+ Z3 Z1 2 Re S23 = (1- S33 )�" Im S23 = 0 Z1+ Z 2 8 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) A
AC
CUCHOWA MACIERZ ROZPROSZENIA b1 TS11 TS12 a2 �� �� �� �� �� �� = ��a �� ��T TS22�� �" ��b �� �� 1�� �� S 21 �� �� 2 �� - S11 �" S22 + S12 �" S21 TS11 = S21 S11 TS12 = S21 S22 TS 21 = - S21 1 TS 22 = S21 Musi by
speB
niony warunek: S21 `" 0 . TS12 S11 = TS 22 �� �� TS12 �"TS21 �� S12 = TS11 - �� �� TS22 �� �� �� 1 S21 = TS22 TS21 S22 = - TS22 Musi by
speB
niony warunek: TS22 `" 0 . 9 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) Grafy przepB
ywu sygnaB
�w a 1 U3 b a) b) Rys. 1. Jednowrotnik a) symbol, b) graf przepB
ywu sygnaB
�w jednowrotnika idealizowanego (bezodbiciowego, n.p. obci
|
enia dopasowanego) a S11 1 U3 b a) b) Rys. 2. Jednowrotnik a) symbol, b) graf przepB
ywu sygnaB
�w jednowrotnika rzeczywistego ab S21 12 U1 S12 cd a) b) Rys. 3. Dwuwrotnik a) symbol, b) graf przepB
ywu sygnaB
�w dwuwrotnika idealizowanego (idealnie dopasowane- go) 10 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) ab S21 S11 S22 12 U1 S12 cd a) b) Rys. 4. Dwuwrotnik a) symbol, b) graf przepB
ywu sygnaB
�w dwuwrotnika rzeczywistego ab S21 S23 S31 S12 cd S13 S32 ef 12 U4 3 a) b) Rys. 5. Tr�jwrotnik a) symbol, b) graf przepB
ywu sygnaB
�w tr�jwrotnika idealizowanego (idealnie dopasowane- go) ab S21 S23 S22 S11 S31 S12 cd S13 S32 e 12 S33 f U4 3 a) b) Rys. 6. Tr�jwrotnik a) symbol, b) graf przepB
ywu sygnaB
�w tr�jwrotnika rzeczywistego 11 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) UkB
ady zB
o|
one (zbudowane z podzespoB
�w) 12 12 U1 U2 a) 12 12 12 U1 U2 b) a S21U1 b S21U2 e S12U1 S12U2 f cd c) 12 U1, U2 d) ab S 21 S 12 cd e) Rys. 7. UkB
ad (dwuwrotnik) zB
o|
ony z dw�ch dwuwrotnik�w poB

czonych kaskadowo a) symbole dwuwrotnik�w skB
adowych, b) schemat dwuwrotnika zB
o|
onego, c) graf dwuwrotnika zB
o|
onego z dw�ch dwuwrotnik�w idealizowanych (idealnie dopasowanych), d) symbol dwuwrotnika zB
o|
onego, e) wypadkowy graf przepB
ywu dwuwrotnika zB
o|
onego. ab S21 S21Ant g S12Ant 2 1 1 U4 2 cd h Antena S13 S32 3 ef 1 Odb a) b) Rys. 8. UkB
ad zB
o|
ony z tr�jwrotnika, dwuwrotnika i jednowrotnika a) schemat ukB
adu, b) graf ukB
adu zB
o|
onego, zbudowanego z element�w idealizowanych (idealnie dpasowanych). 12 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) 12 12 U1 U2 a) 12 12 12 U1 U2 b) a S21U1 b S21U2 e S11U1 S22U1 S11U2 S22U2 S12U1 S12U2 f cd c) 12 U1, U2 d) ab S21 S11 S22 S12 cd e) Rys. 9. UkB
ad (dwuwrotnik) zB
o|
ony z dw�ch dwuwrotnik�w poB

czonych kaskadowo a) symbole dwuwrotnik�w skB
adowych, b) schemat dwuwrotnika zB
o|
onego, c) graf dwuwrotnika zB
o|
onego z dw�ch dwuwrotnik�w rzeczywistych, d) symbol dwuwrotnika zB
o|
onego, e) wypadkowy graf przepB
ywu dwuwrotnika zB
o|
onego. ReguB
a Mason a. �� �� �� �� "��T �" [1+ "( -1) j �""L(kij ) ]�� i �� �� ik j �� �� TWP _WK = 1+ -1) �" "( j "L(k j ) j k 13 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) ab S21 S21Ant g S11Ant S22Ant S23 S11 S31 2 S12 S22 S12Ant 1 1 U4 2 cd h Antena 3 S13 S32 S33 ef 1 Odb S11Odb a) b) Rys. 10. UkB
ad zB
o|
ony z tr�jwrotnika, dwuwrotnika i jednowrotnika a) schemat ukB
adu, b) graf ukB
adu zB
o|
onego, zbudowanego z element�w rzeczywistych. 14 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) UkB
ad rozdziaB
u i sumowania sygnaB
�w mikrofalowych (dzielnik mocy  sumator wektorowy) �t l = 4 �t l = 4 2 Z02 Z02A Zo Zo RD 1 Z03 Zo Z03A 3 �t l = 4 Rys. 1. Og�lna struktura mikrofalowego dzielnika mocy Wilkinson a (wersja w technice NLP, widok od strony [
cie|
ek). 3 �� �� P3 P3 �� �� Z02 = Zo �" + (1) �� �� P2 P2 �� �� �� �� P2 P2 �� �� Z03 = Zo �" �" 4 (2) ��1+ P3 �� P3 �� �� P3 Z02A = Zo �" 4 (3) P2 P2 Z03A = Zo �" 4 (4) P3 �� P2 P3 �� �� �� RD = Zo �" + (5) �� P3 P2 �� �� �� 15 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) �t l = 4 2 Z02 Zo Zo RD = 2 �" Z0 1 Z03 Zo Z02 = Z03 = Z0 �" 2 3 Rys. 2. Struktura mikrofalowego dzielnika mocy Wilkinson a z r�wnym (3 dB) podziaB
em mocy, (wersja w technice NLP, widok od strony [
cie|
ek). Transmitancja idealizowanego 3dB dzielnika mocy Wilkinson a 2 SDW = (6) 3�" cos� + j �" 2 �" 2 �" sin� gdzie: � f � = �" - dB
ugo[

elektryczna gaB

zi dzielnika mocy, (7) 2 fo fo  cz
stotliwo[

[
rodkowa pasma pracy dzielnika mocy. 16 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) Sprz
gacz kierunkowy Rys. 1. Og�lna struktura mikrofalowego kierunkowego sprz
gacza zbli|
eniowego  dwie linie sprz
|
one (wersja w technice NLP, widok od strony [
cie|
ek). Rys. 2. Jedna z wersji struktury mikrofalowego kierunkowego sprz
gacza zbli|
eniowego Lange a  dwie pary linii sprz
|
onych (wersja w technice NLP, widok od strony [
cie|
ek). 1- k2 j �" k �" sin� S21 = Sb = , S41 = Ss = 1- k2 �" cos� + j �" sin� 1- k2 �"cos� + j �" sin� gdzie: k  wsp�B
czynnik sprz
|
enia wyra|
ony w mierze liniowej [V/V], Uwaga: Nie myli
poj

: sprz
|
enie i wsp�B
czynnik sprz
|
enia. Z0e - Z0o 1+ k 1- k k = , Z0e = Z0 �" , Z0o = Z0 �" Z0e + Z0o 1- k 1+ k Je|
eli Z0 = Z0e �" Z0o to sprz
gacz jest idealnie dopasowany i posiada nieskoD
czenie du|

izolacj
. 17 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) Wzmacniacz mikrofalowy �S �L ZS Element aktywny S ZL �WE �WY Rys. 1. Og�lna struktura wzmacniacza mikrofalowego. Warunki bezwzgl
dnej stabilno[
ci elementu aktywnego: S21 �" �L �" S12 �WE = S11 + <� 1 dla �L <� 1 (1) 1- �L �" S22 i S12 �" �S �" S21 �WY = S22 + <� 1 dla �S <� 1 (2) 1- �S �" S11 lub inaczej: S11 <�1 (3) i S22 <� 1 (4) i 2 1- S11 2 - S22 2 + " K = > 1 (5) 2 �" S12 �" S21 gdzie: K  wsp�B
czynnik stabilno[
ci, " = S11 �" S22 - S12 �" S21 (6) lub jeszcze inaczej: K > 1 (7) i " <�1 (8) 18 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) Okr
g stabilno[
ci na pB
aszczyz
nie parametr�w obci
|
enia: S12 �" S21 promieD
okr
gu stabilno[
ci rL = (9) 2 S22 2 - " * ( S22 - " �" S11 )* [
rodek okr
gu stabilno[
ci cL = (10) 2 S22 2 - " gdzie: " = S11 �" S22 - S12 �" S21 (11) Okr
g stabilno[
ci na pB
aszczyz
nie parametr�w generatora: S12 �" S21 promieD
okr
gu stabilno[
ci rS = (12) 2 S11 2 - " ( S11 - " �" S* )* 22 [
rodek okr
gu stabilno[
ci cS = (13) 2 S11 2 - " gdzie: " = S11 �" S22 - S12 �" S21 (14) 19 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) Obszary stabilno[
ci elementu aktywnego na pB
aszczyz
nie parametr�w obci
|
enia rL cL Tranzystor bezwzgl
dnie stabilny K>1, I S11I <�1 Rys. 2. Rys. 3. rL cL rL cL Tranzystor potencjalnie Tranzystor potencjalnie niestabilny niestabilny K<�1, I S11I <�1 K<�1, I S11I <�1 Rys. 4. Rys. 5. rL rL cL cL Tranzystor potencjalnie Tranzystor potencjalnie niestabilny niestabilny K<�1, I S11I >1 K<�1, I S11I >1 Rys. 6. Rys. 7. 20 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) Parametry robocze wzmacniacza mikrofalowego * Skuteczne wzmocnienie mocy ( �S `" �WE , a wi
c PWE <� PSA ): S21 2 �"(1- �S 2 )�"(1- �L 2 ) PL GT = = (15) PSA (1- S11 �" �S )�"(1- S22 �" �L ) - S21 �" S12 �" �L �" �S 2 * Dysponowane wzmocnienie mocy (gdy �L = �WY ): S21 2 �"(1- �S 2 ) PWYA GA = = (16) PSA 1- S11 �" �S 2 �WY 2 ) �"(1- * Wzmocnienie mocy (gdy �S = �WE , a wi
c PWE = PSA ): S21 2 �"(1- �L 2 ) PL G = = (17) PSA 1- S22 �" �L 2 �WE 2 ) �"(1- 21 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) Filtry mikrofalowe Filtr prototyp (dolnoprzepustowy) g1 g3 g5 1 g2 g4 2 Zo Zo Rys. 1. Struktura filtru prototypu 5-cio ogniwowego (dolnoprzepustowego). Parametry element�w filtru prototypu o charakterystyce amplitudowej maksymalnie pB
askiej. ( 2 �" k -1)�"� �� gk = 2 �" sin�� k=1, 2, ...n (1) �� �� 2 �" n �� �� gdzie: n  liczba ogniw, k  numer ogniwa Z o Li = �" gi (2) �c 1 Ci = �" gi (3) Zo �"�c gdzie: �c  cz
stotliwo[

graniczna filtru (na poziomie  3dB). Filtr g�rnoprzepustowy g1W g3W g5W 1 g2W g4W 2 Zo Zo Rys. 2. Struktura filtru g�rnoprzepustowego 5-cio ogniwowego uzyskanego po przeksztaB
ce- niu filtru prototypu. Dla filtru g�rnoprzepustowego o charakterystyce amplitudowej maksymalnie pB
askiej. 1 giW = (4) gi Z o LiW = �" giW (5) �c 1 CiW = �" giW (6) Zo �"�c gdzie: �c  cz
stotliwo[

graniczna filtru (na poziomie  3dB). 22 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) Realizacja element�w reaktancyjnych quasiskupionych (przykB
ady) Indukcyjno[

szeregowa: lL Zo Zo 1 2 Zo1L Zo1L > Zo a) lL Zo1L Zo1L > Zo Zo Zo 1 2 b) L 1 CpL CpL 2 c) Rys. 3. Indukcyjno[

skupiona szeregowa a), b) konstrukcje w technologii NLP (widok od strony druku), c) schemat zast
pczy (liniami przerywanymi zaznaczono paso|
ytnicze pojemno[
ci). Z 2 �"� �" fc �t 01L L = �" sin�� �" �eff �" lL �� dla lL <�<� (7) �� �� 2 �"� �" fc �� c 4 �� 1 � �" fc �t C = �" tg�� �" �eff �" lL �� dla lL <�<� (8) �� �� pL 2 �"� �" fc �" Z01L �� c 4 �� �� �� L �" 2 �"� �" fc �� �� arcsin�� Z01L �� �t �� �� lL = tylko wtedy gdy lL <�<� (9) 2 �"� �" fc 4 �" �eff c 23 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) Pojemno[

r�wnolegB
a: lC Zo Zo 1 Zo1C Zo1C <� Zo a) LpC LpC 1 C 2 b) Rys. 4. Pojemno[

skupiona r�wnolegB
a a) konstrukcja w technologii NLP (widok od strony druku), b) schemat zast
pczy (liniami przerywanymi zaznaczono paso|
ytnicze indukcyjno[
ci). 1 2 �"� �" fc �t C = �" sin�� �" �eff �"lC �� dla lC <�<� (10) �� �� 2 �"� �" fc �" Z01C �� c 4 �� Z01C � �" fc �t LpC = �"tg�� �" �eff �"lC �� dla lC <�<� (11) �� �� 2 �"� �" fc �� c 4 �� arcsin(C �" 2 �"� �" fc �" Z01C ) tylko wtedy gdy lC <�<� �t lC = (12) 2 �"� �" fc 4 �" �eff c 24 Adam K. Rutkowski: Technika mikrofalowa. Wybrane materiaB
y pomocnicze do 
wiczeD
rachunkowych. (Skr�t roboczy) Pojemno[

szeregowa: l 1 2 a) C dielektryk wyprowadzenia lutownicze b) C 1 2 Zo Zo c) Rys. 5. Pojemno[

skupiona szeregowa a) konstrukcja w technologii NLP (widok od strony druku), b) element montowany, c) schemat zast
pczy. 25