Tranzystory unipolarne

Tranzystorem unipolarnym nazywa się element półprzewodnikowy,

w którego działaniu biorą udział nośniki jednego rodzaju – nośniki
większościowe.

W tego rodzaju przyrządach półprzewodnikowych nie ma efektów

bezwładnościowych

związanych

ze

wstrzykiwaniem,

gromadzeniem,

a następnie zanikaniem nośników mniejszościowych.

W przewodzeniu prądu biorą udział tylko nośniki jednego rodzaju –

nośniki większościowe.

W tranzystorach bipolarnych sterowanie odbywa się przy pomocy prądu

wejściowego (I

E

w układzie OB lub I

B

w układzie OE).

Tranzystory unipolarne są sterowane przy pomocy pola elektrycznego,

związanego z napięciem przykładanym do jego obwodu wejściowego.
W związku z tym, tego rodzaju tranzystory nazywa się także tranzystorami
polowymi.

Tranzystory unipolarne dzieli się na:

złączowe – JFET (Junction Field Effect Transistor) = PNFET,

z barierą Schottky’ego – MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect
Transistor),

z izolowaną bramką – MIS (Metal Insulator Semiconductor), MOS (Metal
Oxide Semiconductor),

cienkowarstwowe z izolowaną bramką – TFT (Thin Film Transistor).