Ilość atomów domieszki przypadającą

na

jednostkę objętości

półprzewodnika nazywa się koncentracją domieszki. Przez N

D

oznacza się

koncentrację donorów, a przez N

A

koncentrację akceptorów.

Praktycznie w półprzewodnikach występują jednocześnie domieszki

donorowe i akceptorowe.

Jeżeli N

D

> N

A

, to taki półprzewodnik ma więcej elektronów niż dziur.

Półprzewodnik, w którym przeważa koncentracja elektronów lub występują
tylko elektrony nazywa się półprzewodnikiem typu „n”.

Jeżeli N

A

> N

D

, to w takim półprzewodniku jest więcej dziur niż

elektronów. Półprzewodnik, w którym przeważa koncentracja dziur lub
występują tyko dziury nazywa się półprzewodnikiem typu „p”.

Jeżeli N

A

=N

D

, to koncentracja dziur równa jest koncentracji elektronów.

Tego rodzaju materiał nazywa się półprzewodnikiem „skompensowanym”.
W określonych warunkach ma on podobne właściwości do półprzewodnika
samoistnego.

Centra generacyjno – rekombinacyjne

Oprócz wyżej wymienionych można spotkać domieszki, których atomy
lokalizują się w okolicy środka pasma zabronionego.

Lokalizacja atomów centrów generacyjno – rekombinacyjnych na modelu pasmowym.

Pasmo przewodnictwa

Pasmo podstawowe (walencyjne)

Pasmo zabronione

W

c

W

v

W [eV]

x

atomy centrów
generacyjno -
rekombinacyjnych