9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej [tryb zgodności]

Projekt współfinansowany przez Uni

Europejsk

w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

ynieria wytwarzania

Dr in

. Andrzej Kubiak

Definicje mikro- i nanotechnologii

Zagadnienia utrzymania czysto

ci w procesach mikro- i

nanotechnologii

Materiały półprzewodnikowe – własno

ci, wytwarzanie, obróbka

mechaniczna

Trawienie materiałów półprzewodnikowych

Technologia procesów fotolitografii

Domieszkowanie półprzewodników

Wytwarzanie nowych warstw. Tlenek krzemu

Osadzanie pró

niowe cienkich warstw

Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

10. Monta

i hermetyzacja struktur

11. Struktury mechatroniczne

ynieria wytwarzania

Dr in

. Andrzej Kubiak

Definicje mikro- i nanotechnologii

Zagadnienia utrzymania czysto

ci w procesach mikro- i

nanotechnologii

Materiały półprzewodnikowe – własno

ci, wytwarzanie, obróbka

mechaniczna

Trawienie materiałów półprzewodnikowych

Technologia procesów fotolitografii

Domieszkowanie półprzewodników

Wytwarzanie nowych warstw. Tlenek krzemu

Osadzanie pró

niowe cienkich warstw

Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

10. Monta

i hermetyzacja struktur

11. Struktury mechatroniczne

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

Technologia osadzania chemicznego z fazy lotnej (CVD - Chemical Vapour
Deposition) - procesy, w których rozkład termiczny lotnych zwi

zków wyj

ciowych i

reakcje pomi

dzy nimi powoduj

osadzanie si

produktów tych reakcji w postaci

cienkich warstw. W procesie tym podło

e jest zazwyczaj tylko no

nikiem

mechanicznym i nie bierze udziału w reakcji.
Zastosowanie metod osadzania chemicznego jest ograniczone do materiałów, dla
których istniej

wła

ciwe substancje wyj

ciowe (prekursory)

Podczas osadzania mo

liwe s

dwa typy reakcji chemicznej (mog

one

wyst

powa

równolegle):

- heterogeniczne – zachodz

ce bezpo

rednio na podło

u lub w jego otoczeniu

(po

żą

dane)

- homogeniczne – zachodz

ce w fazie gazowej (niepo

żą

dane)

Reakcje homogeniczne mog

powodowa

powstawanie klasterów, powoduj

cych

porowato

ść

, niejednorodno

ść

, słab

adhezj

wytwarzanych warstw.

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

Najwa

niejsze procesy osadzania chemicznego (zachodz

ce szeregowo):

- transport reagentów do powierzchni podło

a (wskutek zachodzenia reakcji

odbywa si

on w

rodowisku zuba

anym w reagenty i wzbogacanym w jego

produkty)
- reakcja chemiczna zachodz

ca na podło

Szybko

ść

osadzania warstwy zawsze jest uzale

niona od wolniejszego z

wymienionych procesów, przy czym w niskich temperaturach krytyczna jest
zazwyczaj szybko

ść

reakcji, za

w wysokich temperaturach – szybko

ść

transportu

reagentów.
Konstruowanie urz

dze

do prowadzenia procesów CVD musi uwzgl

dnia

, który z

podanych czynników b

dzie dominuj

cy w przypadku danej reakcji, co przekłada

na szczególny nacisk na jednorodno

ść

dostarczania reagentów b

wysok

stabilizacj

temperatury procesu.

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

Zastosowanie technologii osadzania chemicznego w mikroelektronice:
- warstwy dielektryczne (tlenek krzemu, azotek krzemu),
- niektóre metale (m.in. metale trudnotopliwe),
- półprzewodniki (krzem w ró

nych formach, zwi

zki pierwiastków grupy III-V).

Szczególnym

zastosowaniem

techniki osadzania

jest

wytwarzanie

warstwy

monokrystalicznej krzemu na podło

u krzemowym, zwana epitaksj

. Uzupełniona o

reakcje zapewniaj

ce obecno

ść

domieszek donorowych b

akceptorowych,

epitaksja jest ch

tnie stosowan

technik

otrzymywania warstw krzemu o bardzo

dobrej jako

ci i wysokiej rezystywno

ci.

W niektórych przypadkach osadzanie chemiczne jest jedyn

metod

otrzymywania

cienkich warstw dost

w mikrotechnologii (np. krzem, polikrzem). Ogromn

zalet

tej techniki jest równie

a szybko

ść

wzrostu ró

norodnych warstw

osi

gana przy niskiej temperaturze procesu, co jest szczególnie istotne w

przypadku ko

cowych etapów wytwarzania struktur (eliminacja mo

liwo

ci redyfuzji

domieszek w procesach wysokotemperaturowych)

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

Reaktory do osadzania chemicznego

Reaktory do osadzania chemicznego pracuj

ce pod ci

nieniem atmosferycznym

(APCVD – Atmospheric Pressure CVD):
- konstrukcje wyposa

one w ta

moci

g, na którym podło

a układane s

cznie

automatycznie.

- podło

a przesuwane s

przez obszar o podwy

szonej temperaturze, a

nast

pnie przemieszczaj

pod dyszami doprowadzaj

cymi gazy zapewniaj

zachodzenie po

żą

danych reakcji

- obszar wylotu gazów roboczych jest otoczony obszarami o intensywnym
nadmuchu azotu w celu zapewnienia bezpiecze

stwa obsługi tego typu

reaktorów.

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

Reaktory do osadzania chemicznego

W reaktorach APCVD kluczowym parametrem procesu jest jednorodno

ść

szybko

ci przesuwu ta

moci

gu oraz nadmuchu gazów roboczych.

Jednorodno

ść

temperatury podczas procesu jest znacznie mniej istotna.

Zalety:
- prostota konstrukcji,
- du

a szybko

ść

osadzania,

- niska temperatura procesu,
- niskie koszty eksploatacji
Jest wykorzystywane we współczesnych procesach technologicznych, m.in. do
wytwarzania pasywuj

cej warstwy tlenku krzemu w ko

cowym etapie produkcji.

Wady
- trudno

ci w otrzymywania warstw o wysokiej czysto

ci (zapylenie reaktora)

- słabe pokrywanie podło

y zawieraj

cych powierzchnie pionowe (uskoki

wynikaj

ce z obecno

ci innych warstw poddanych cz

ęś

ciowemu usuni

ciu).

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

Reaktory do osadzania chemicznego pod obni

onym ci

nieniem (LPCVD- Low

Pressure CVD):
- reaktor jest elementem systemu pró

niowego

- procesy osadzania prowadzone s

przy ci

nieniu około 1mbara i w

temperaturze od 300 do 900

C (w przypadku osadzania krzemu

monokrystalicznego do 1400

- wyst

puj

konstrukcje o gor

cych i zimnych

cianach

https://www.dowcorning.co.jp

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

Procesy w urz

dzeniu LPCVD s

ograniczone reakcjami powierzchniowymi, czyli

dla dobrej kontroli procesu najistotniejsza jest stabilizacja temperatury podło

Zalety:
• du

a wydajno

ść

(mo

liwo

ść

załadunku du

ej partii podło

• wysoka czysto

ść

i jednorodno

ść

otrzymywanych warstw

• dobre pokrycie uskoków

Wady:
• wysoka temperatura procesu
• mała szybko

ść

osadzania.

Reaktory LPCVD s

stosowane do wytwarzania tlenku krzemu, azotku krzemu,

warstw krzemu poli- i monokrystalicznego

Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

Reaktory do osadzania wspomaganego plazm

(PECVD – Plasma Enchanced

CVD):
- wyst

puj

ce w formie reaktorów rurowych oraz planarnych

- wprowadzenie plazmy pozwala na prowadzenie wybranych reakcji chemicznych
przy znacznie ni

szych temperaturach (rz

du 400

C) ni

w przypadku

konwencjonalnego ogrzewania.
- jest to bardzo korzystne w mikroelektronice, poniewa

pozwala na bezpieczne

prowadzenie procesów wytwarzania warstw bez niepo

żą

danego efektu

redystrybucji domieszek.
- rozwi

zanie to komplikuje jednak proces

osadzania, poniewa

oprócz parametrów

typowych dla osadzania (temperatura,
ci

nienie, skład gazów roboczych) nale

jeszcze kontrolowa

parametry plazmy,

takie jak moc elektryczna, cz

stotliwo

ść

pobudzania, rodzaj i geometria elektrod.

https://www.dowcorning.co.jp

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

- odmian

metody PECVD jest

system HDP CVD (High Density
Plasma CVD)

- zastosowanie plazmy o
wysokiej g

sto

ci powoduje. i

wraz z procesami osadzania
warstw zachodz

procesy jej

trawienia w miejscach, w których
narasta ona najszybciej

- HDP CVD pozwala na znacznie
skuteczniejsze wypełnienie
gł

bokich uskoków

PECVD

HDPCVD

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

Epitaksja

Epitaksja jest procesem tworzenia pojedynczych warstw monokryształu na
monokrystalicznym podło

.
W przypadku osadzania warstw z materiału identycznego z podło

em mówimy o

homoepitaksji, za

w przypadku materiałów ró

cych si

w jakikolwiek sposób –

heteroepitaksji (pojawia si

wówczas niedopasowanie sieci krystalicznej)

Homoepitaksja

Heteroepitaksja

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

Epitaksja

Zalety:
- zwi

ksza zakres mo

liwo

ci projektowania i optymalizacji charakterystyk urz

dze

- pozwala na łatwiejsz

kontrol

grubo

ci warstw, poziomu i profilu domieszkowania

w przypadku dyfuzji czy implantacji domieszek

- umo

liwia tworzenie warstw zagrzebanych i warstw słabo domieszkowanych na

silnie domieszkowanym podło

u (szczególnie istotne dla technologii bipolarnych)

- pozwala na otrzymywanie heterozł

czy (GaAs, InP, AlGaAs, InGaAsP, CdSe,

HgCdTe) pozwalaj

cych na konstrukcj

takich przyrz

dów jak czujniki

podczerwieni, LED, lasery półprzewodnikowe, HBT (Heterojunction Bipolar
Transistor)

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

CVD - epitaksjalne warstwy krzemowe

Dyfuzja i implantacja jonowa pozwala tylko zmniejsza

rezystywno

ść

krzemu (zwi

ksza

koncentracj

domieszek) – epitaksja umo

liwia

zarówno zmniejszanie, jak i zwi

kszanie rezystywno

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

Epitaksja krzemu

Homoepitaksja - proces wytwarzania monokrystalicznej warstwy krzemu
na podło

u krzemowym. Najcz

ęś

ciej stosowanym gazem jest silan (SiCl

który podczas procesu mo

e powodowa

zachodzeniu kilku kolejnych

reakcji:

SiCl

+ 2H

⇒

(1200

⇒

Si + 4HCl

SiCl

+ H

↔

SiHCl

+ HCl

SiHCl

+ H2

↔

SiH

+ HCl

SiH

↔

SiCl

+ H

SiHCl

↔

SiCl

+ HCl

SiCl

+ H

↔

Si + 2HCl

Wymienione reakcje mog

przebiega

w obu kierunkach, zatem w pewnych

warunkach zamiast osadzania krzemu mo

e nast

powa

jego trawienie.

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

Epitaksja krzemu

Domieszki s

wprowadzane do warstwy epitaksjalnej równolegle lub naprzemiennie

z jej tworzeniem.

Typowymi zwi

zkami u

ywanymi do domieszkowania s

– u

ywany do wprowadzania domieszek typu p (B)

, AsH

- u

ywany do wprowadzania domieszek typu n (P, As)

Substancje te s

silnie toksyczne i niestabilne w wy

szych temperaturach. Stosuje

mieszanin

tych

gazów

wodorem

niewielkim

ęż

eniu.

Na ko

cowy poziom domieszkowania maj

wpływ temperatura, szybko

ść

wzrostu

warstwy, st

ęż

enie domieszek w gazie, geometria reaktora. Zało

ony poziom

domieszkowania uzyskuje si

na bazie wcze

niejszych eksperymentów.

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

CVD - epitaksjalne warstwy krzemowe

Parametry procesu epitaksji:

• perfekcyjnie czysta powierzchnia (tzn. brak nawet

naturalnego tlenku, który musi by

usuni

ty tu

przed procesem epitaksji)

• bardzo dokładna stabilizacja temperatury na

poziomie 1-2

• grzanie realizowane np. poprzez intensywne

wietlenie lampami o mocy do 150kW

• bardzo dokładnie kontrolowane przepływy

gazów, (rz

du 200 l/min H

, 5 l/min SiCl

)

• niezb

dne jest stosowanie kosztownych

systemów oczyszczania gazów wylotowych

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

CVD - epitaksjalne warstwy krzemowe

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

W przypadku du

ych szybko

ci osadzania powstaj

ca warstwa ma charakter

polikrystaliczny (osadzanie zachodzi szybciej ni

porz

dkowanie materiału)

CVD - epitaksjalne warstwy krzemowe

100

10000

1400 ºC

1200 ºC

1000 ºC

polikryształ

monokryształ

(

)

Temperatura

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

CVD - polikrzem

Wytwarzanie polikrzemu: wykorzystywana jest reakcja pirolizy silanu w temp.
580-650

C w reaktorach typu LPCVD

Podło

em mo

e by

nie tylko monokrystaliczny krzem, lecz np. tlenek krzemu,

azotek krzemu, metal.

Cechy krzemu polikrystalicznego:
• dobra przewodno

ść

elektryczna

• kompatybilno

ść

z krzemem (m.in. wsp. rozszerzalno

ci cieplnej)

• łatwo

ść

trawienia, domieszkowania, utleniania

SiH

=> Si + 2H

Zastosowanie:
•

cie

ki przewodz

• rezystory o du

ej warto

• elektrody bramkowe w przyrz

dach MOS

• kontakty omowe do krzemu
•

ródła dyfuzji do wytwarzania płytkich zł

czy

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

CVD - polikrzem

Warstwy polikrzemowe mog

domieszkowane w trakcie wzrostu lub pó

niej,

klasycznymi metodami dyfuzji termicznej lub implantacji jonowej

W zale

ci od temperatury procesu osadzania mo

na otrzymywa

polikrzem

o zró

nicowanej

rednicy ziaren:

- w temp. < 580

C powstaje struktura amorficzna

- w temp 580 – 650

C powstaje warstw struktura drobno – i

rednioziarnista

- w temp >650

C powstaje struktura gruboziarnista

W mikroelektronice najcz

ęś

ciej po

żą

dana jest struktura polikrystaliczna o

liwie drobnych ziarnach (dobre pokrywanie powierzchni, jednorodno

ść

lecz nie amorficzna (charakteryzuj

ca si

wysok

rezystywno

)

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

CVD – tlenek krzemu

Tlenek krzemu jest wytwarzany metod

CVD wtedy, gdy nie mo

na uzyska

metod

utleniania termicznego, np. na powierzchniach gotowych struktur

półprzewodnikowych

Zastosowanie:

- izolacja mi

dzy poziomami metalizacji

- maskowanie podczas implantacji i dyfuzji

- warstwa pasywuj

- warstwa zabezpieczaj

ca przed redyfuzj

domieszki do atmosfery podczas

procesów termicznych

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

CVD – tlenek krzemu

Stosowane s

równie

tlenki zawieraj

ce dodatki w postaci fosforu (szkliwo

fosforowe, Phosphorus Silicon Glass, PSG) ora fosforu i boru (szkliwo fosforowe-
borowe, Boron-Phosphorus Silicon Glass, BPSG), które w podwy

szonych

temperaturach rozpływaj

na powierzchni i s

stosowane do:

- izolacji warstw metalicznych
- ostatecznej pasywacji gotowego przyrz

- warstwa getteruj

ca („wyci

gaj

ca” zanieczyszczenia z obszaru na którym si

znajduje w wyniku ich b. wysokiej rozpuszczalno

ci w szkliwe)

SiO

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

Osadzanie w niskiej temperaturze (300 - 450

C) mo

e by

prowadzone w

reaktorach APCVD, LPCVD oraz PECVD za pomoc

reakcji:

SiH

+ O

=> SiO

+ 2H

W celu otrzymania szkliwa PSG reakcja uzupełniaj

ca ma posta

4PH

+ 5O

=> 2P

+ 6 H

W obecno

ci plazmy (reaktory PECVD) mo

liwa jest równie

reakcja prowadzona w

temperaturach 200 – 400

SiH

+ 2N

O => SiO

+ 2N

+ 2H

Osadzanie w

redniej temperaturze (650 - 750

C) mo

e by

prowadzone w

reaktorach LPCVD za pomoc

rozkładu tetraetylosilanu (TEOS) :

Si(C

⇒

SiO

+ 2H

O + C

Osadzanie w wysokiej temperaturze (900

C) mo

e by

prowadzone w reaktorach

LPCVD za pomoc

reakcji dwuchlorosilanu z tlenkiem azotu:

SiH

+ 2NO

⇒

SiO

+ 2HCl + 2N

CVD – tlenek krzemu

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

CVD – tlenek krzemu

Szkliwo BPSG zastosowane na module pami

ci: wyra

ne wyrównanie

powierzchni, jednak dalekie od całkowitej planaryzacji

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

CVD - epitaksjalne warstwy krzemowe

Metoda osadzania SiO

PECVD

LPCVD/APCVD

(SiH

)

LPCVD

(TEOS)

LPCVD

SiH

+2NO

Temperatura [

350

400 - 450

700

900

Pokrywanie

uskoków

nierównomierne

równomierne

Stabilno

ść

termiczna

traci H

stnieje

stabilny

traci Cl

sto

ść

[g/cm

]

2,3

2,1

2,2

Wsp. załamania

wiatła

1,47

1,44

1,46

wytrzymało

ść

przebicie [Mv/cm

3-6

Szybko

ść

trawienia

1%HF w H

[nm/min]

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

CVD – azotek krzemu

Azotek krzemu (Si

) - CVD to praktycznie jedyna metoda wytwarzania

(azotkowanie termiczne daje warstwy o grubo

ci najwy

ej kilku nm)

• stanowi skuteczn

barier

dla wody, pary wodnej, tlenu, wszelkich domieszek,

sodu i innych metali ziem alkalicznych

• stosowany jako bariera dla procesów dyfuzji, izolator, warstwa pasywuj

gotowe struktury, warstwa pmaskuj

ca w procesach utleniania termicznego

• wymaga zastosowania tlenku buforowego ze wzgl

du na ró

nic

współczynnika rozszerzalno

ci cieplnej

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

CVD – azotek krzemu

Osadzanie w niskiej temperaturze (200 - 400

C) mo

e by

prowadzone w

reaktorach PECVD za pomoc

reakcji:

SiH

+ NH

(lub N

) => Si

+ H

W wyniku tego procesu powstaj

ca warstw azotku krzemu jest silnie

niestechiometryczna, ze wzgl

du na nisk

temperatur

procesu mo

e by

nakładana na warstw

glinu

Osadzanie w wysokiej temperaturze (700-800

C) mo

e by

prowadzone w

reaktorach LPCVD za pomoc

reakcji :

SiH

+ 4NH

⇒

+ 6H

+ 6HCl

Powstaj

ca warstwa azotku krzemu jest stechimetryczna, mo

e by

nakładana

np. na tlenek krzemu w procesie LOCOS

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

CVD – azotek krzemu

Metoda osadzania Si

PECVD

LPCVD

Temperatura [

250 -350

700-900

Skład

(H)

stosunek krzem/azot

0,8 – 1,2

0,75

Ilo

ść

wodoru (%)

20-25

4-8

sto

ść

[g/cm

]

2,5-2,8

2,8-3,1

Wsp. załamania

wiatła

1,8-2,5

2,0-2,1

Stała dielektryczna

6-9

6-7

Rezystywno

ść

[

Ω

cm]

-10

Wytrzymało

ść

na przebicie

[MV/cm]

pokrywanie uskoków

nierównomierne

równomierne

stabilno

ść

chemiczna

niestabilny dla T>400

bardzo stabilny

Szybko

ść

trawienia

49% HF w H

O [nm/min]

150 - 300

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

CVD – wolfram

Osadzanie wolframu w poł

czeniu z technik

polerowania jest stosowane w

celu osi

gni

cia pierwszej płaskiej warstwy metalizacji

Osadzanie wolframu musi zosta

poprzedzone osadzeniem cienkiej warstwy

tytanu metod

PVD lub CVD w celu wytworzenia centrów nukleacji dla

wolframu.

Warstwa wolframu pokrywaj

ca tytan otrzymywana jest poprzez redukcj

silanu zgodnie z reakcj

+ SiH

+ H

-> W + SiH

+ HF

Warstwa ta bardzo słabo pokrywa uskoki, dlatego jest szybko przerywana, a
dalszy osadzanie wolframu jest realizowane za pomoc

reakcji redukcji

wodorem:

+ 3H

-> W + 6HF

Ten ostatni proces jest stosunkowo powolny, jednak zapewnia dobre
pokrywanie uskoków

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

CVD – wolfram

Po zako

czeniu osadzania wolframu wykonywane jest polerowanie chmieczno-

mechaniczne (CMP), dzi

ki któremu przywracana jest płaska powierzchnia

struktury. Umo

liwia to wykonywanie kolejnych warstw metalizacji za pomoc

miedzi (pokrywanie galwaniczne) lub glinu (PVD) izolowanych szkliwem PSG
lub BPSG.
Mo

liwe wady po procesie polerowania: kału

e wolframu, wydarcia, wypełnione

i niewypełnione rysy i wydr

ąż

enia, zwarcia kontaktów, resztki pasty

ciernej.

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

- Mied

jest osadzana metodami

galwanicznymi lub za pomoc

CVD

- ze wzgl

du na wysok

dyfuzyjno

ść

miedzi oraz słab

adhezj

do SiO

stosuje si

dodatkow

warstw

TaN

(azotku tantalu)

- warstwy metalizacji s

wykonywane za pomoc

tzw.

podwójnego procesu
damasce

skiego, obejmuj

cego 1

proces fotolitografii dla przej

ść

pomi

dzy poziomami (via) oraz 1

proces fotolitografii dla danego
poziomu matelizacji

- podobnie jak w przypadku
metalizacji wolframem do ka

dej

warstwy stosowane jest polerowanie
chemiczno -mechaniczn

CVD – mied

pasywacja

mied

SiO

półprzewodnik

bariera trawienia

bariera dyfuzji

wolfram

polisilikon

9. Osadzanie chemiczne z fazy lotnej

Porównanie zastosowa

metod osadzania

Porównanie zastosowa

metod osadzania

Metoda osadzania

PECVD

APCVD

LPCVD

Temp. procesu

[

100 - 350

300 - 500

500 - 900

Materiały

SiO

BPSG

SiO

PSG

BPSG

SiO

PSG

poli-Si, W,

SiO

PSG/BPSG

SiN

Zastosowanie

pasywacja

izolacja

pasywacja

izolacja

pasywacja

izolacja

metal bramki

pasywacja

izolacja

Wydajno

ść

mała

Pokrycie uskoków

słabe

równomierne

Wtr

cenia

liczne

nieliczne

Jako

ść

warstw

słaba

dobra

b. dobra