„Metody badania
materiałów
półprzewodnikowych”
(
pytanie 24)
Grzegorz Smyczyński 129000
Półprzewodniki
Półprzewodniki są materiałami, których rezystywność
jest większa niż rezystywność przewodników i
mniejsza niż rezystywność dielektryków.
Pomiędzy przewodnikami a półprzewodnikami
istnieje istotna różnica jakościowa; dielektryki z
półprzewodnikami odróżnia się na podstawie
umownego kryterium ilościowego, a nie różnic
jakościowych.
Rezystywność w półprzewodnikach jest silnie zależna
od zanieczyszczeń (zwanych domieszkami – jeśli
obecność obcych substancji zamierzona), a także
od różnego rodzaju promieniowania.
TWR półprzewodników ma wartość ujemną (ok. -5…-
10%/°C); w przypadku przewodników jest to
wartość dodatnia (0,3…0,6 %/°C).
Parametry półprzewodników
PARAMETRY ELEKTRYCZNE: rezystywność, typ
przewodnictwa, koncentracja nośników, ruchliwość
ładunków, stała dielektryczna, szerokość przerwy
energetycznej;
PARAMETRY OPTYCZNE: współczynnik załamania,
współczynnik transmisji, tłumienność, charakterystyka
spektralna, szerokość przerwy energetycznej;
PARAMETRY STRUKTURALNE: skład, rozmiary komórki
elementarnej, gradient stałej sieciowej, szerokość
przerwy energetycznej, mozaikowatość, morfologia,
naprężenia w materiale, poziom zdefektowania, rodzaje
defektów, klasa krystalograficzna,
PARAMETRY TERMICZNE: TWR, przewodność cieplna,
Metody badania – klasyfikacje
(1)
• ze względu na badany obszar:
– punktowe – ostrzowe
– skaningowe,
– objętościowe,
• ze względu na rodzaj otrzymywanych
informacji:
– jakościowe,
– ilościowe,
• ze względu na metodę pomiarową:
– fizyczne,
- optyczne,
– chemiczne, - rentgenowskie,
– elektryczne, - elektronowe,
Metody badania – klasyfikacje
(2)
• ze względu na rodzaj czynnika pobudzającego:
– fotony (met. optyczne, met. rentgenowskie),
– elektrony,
– jony (met. spektroskopowe, met. dyfrakcyjne, FIM),
– atomy (met. neutronowe, met. rozpraszania
atomowego),
– pole elektryczne,
– pole magnetyczne,
– energia cieplna,
– energia mechaniczna,
• ze względu na zakres energii czynnika
pobudzającego:
– wysokoenergetyczne,
– niskoenergetyczne,
Metody badania – klasyfikacje
(3)
Ze względu na PARAMETRY
PÓŁPRZEWODNIKA:
• pomiar parametrów elektrycznych
– pomiary metodami stykowymi (sonda
czteroostrzowa, sonda trójostrzowa,
pomiar rezystancji rozpływu, pomiary
pojemnościowe)
– pomiary metodami bezstykowymi
(pomiary mikrofalowe, rezonans
elektronowy EPR, rezonans magnetyczny
MPR, pomiary współczynnika Halla)
Metody badania – klasyfikacje
(4)
• pomiar parametrów optycznych
– mikroskopia (IR, widzialne, UV),
– spektroskopia (UV, widzialne, IR, FIR),
– fotoluminescencja (pomiar widma emisyjnego
materiału pobudzonego do świecenia),
– fotoodbicie (wyznaczanie pochodnej widma
optycznego ze względu na wybrany parametr),
– refraktometria (pomiary na podstawie ugięcia fali
świetlnej),
– elipsometria (badanie zmian polaryzacji światła przy
oddziaływaniu z warstwami półprzewodnika, np.
zmiany polaryzacji wskutek odbicia od
półprzewodnika),
Metody badania – klasyfikacje
(5)
• pomiar parametrów strukturalnych:
– dyfraktometria rentgenowska,
– wyznaczanie mapy węzłów sieci
odwrotnej,
– mikroskopia elektronowa lub
mikroskopia sił atomowych (AFM),
Pomiar rezystywności (1)
•
metoda sondy czteroostrzowej
metoda sondy czteroostrzowej – najprostsza i
najpowszechniej stosowana metoda pomiaru
rezystywności; głowica pomiarowa zaopatrzona
jest w 4 ostrza ustawione wzdłuż jednej prostej
w jednakowej odległości od siebie; przez
zewnętrzne ostrza płynie prąd I; spadek
napięcia U mierzy się między wewnętrznymi
ostrzami; rezystywność oblicza się ze wzoru:
m
d
I
U
K
gdzie d – grubość warstwy [m],
K – współczynnik korekcyjny (dla
płytek o grubości co najmniej 3x
mniejszej niż odległość miedzy
ostrzami K=4,53)
Pomiar rezystywności (2)
•
metoda sondy trójostrzowej
metoda sondy trójostrzowej – podstawą pomiaru
rezystywności tą metodą jest zależność napięcia
przebicia U
P
diody ostrzowej od rezystywności
półprzewodnika;
ostrze metalowe, będące elementem sondy
trójostrzowej, stykając się z powierzchnią warstwy,
stanowi diodę ostrzową, której napięcie przebicia
jest funkcją rezystywności warstwy epitaksjalnej; do
ostrzy 1 i 3 doprowadza się napięcie zewnętrzne
polaryzujące zaporowo diodę wytworzoną z badanej
warstwy i ostrza diodowego 3; w pobliżu ostrza 3
wytwarza się obszar ładunku przestrzennego;
napięcie przebicia diody ostrzowej mierzy się
między ostrzami 2 i 3.
Pomiar rezystywności (3)
• metoda pomiaru rezystancji rozpływu –
umożliwia zwiększenie rozdzielczości
przestrzennej, której stosunkowo małą
wartość ma metoda czteroostrzowa
(jest to uwarunkowane rozstawem
ostrzy sondy);
• w pomiarze tym również korzysta się z
ostrzowego złącza metal -
półprzewodnik
Pomiar rezystywności (4)
• korzysta się również z metod
bezkontaktowych, które polegają na
sprzęgnięciu badanej próbki z aparaturą
pomiarową przy pomocy fal
elektromagnetycznych
– metoda rezonansowa – polega na pomiarze
tłumienia rezonatora wnękowego, w którym
znajduje się próbka o określonym kształcie;
– metoda pomiaru współczynnika odbicia
wiązki mikrofalowej padającej na badaną
próbkę;
Pomiar koncentracji nośników
(1)
• pomiar z wykorzystaniem efektu Halla,
w przewodniku z prądem umieszczonym w polu
magnetycznym powstaje poprzeczne do prądu i pola
magnetycznego napięcie elektryczne, które wynosi:
gdzie
n – koncentracja nośników
n – koncentracja nośników, e – ładunek elementarny,
d – grubość płytki, B – indukcja pola magnetycznego, R –
stała materiałowa, I – natężenie przepływającego prądu, V
H
–
napięcie Halla
• metody magnetooporowe – pomiar zależności
temperaturowego współczynnika Halla i
rezystywności oraz zmian współczynnika Halla w
polu magnetycznym w temperaturze ciekłego azotu
d
RIB
ned
IB
V
H
Pomiar koncentracji nośników
(2)
• metoda CV
– wygodna, nieniszcząca metoda określania
rozkładu koncentracji domieszki w
półprzewodniku, zwana też profilowaniem
półprzewodnika;
– metoda ta jest analizą pojemnościowo –
napięciową obszaru zubożonego w zaporowo
spolaryzowanym złączu Schottky’ego;
– wadą metody jest ograniczona głębokość
profilowania spowodowana przebiciem
elektrycznym złącza przy zbyt wysokim
napięciu wstecznym;
Pomiar koncentracji nośników
(3)
• metoda ECV
– metoda eliminująca główną wadę metody CV,
w której do utworzenia złącza Schottky’ego
wykorzystuje się elektrolit; złącze powstaje
w miejscu zwilżania powierzchni badanej
próbki przez elektrolit i jest jednocześnie
drugim kontaktem pomiarowym;
– elektrolit musi tworzyć poprawne złącze
Schottky’ego z badanymi półprzewodnikami
oraz skutecznie trawić ich tlenki;
– jest to metoda niszcząca(!), jej głównym
ograniczeniem jest trudność określenia
powierzchni złącza elektrolit - półprzewodnik
Metody pomiaru koncentracji
domieszki
na podst. opracowania dr. Marka Panka (1)
1.
SIMS – Secondary Ion Mass Spectroscopy – tą
metodą określa się całkowitą aktywną elektrycznie
i nieaktywną, sumaryczną ilość domieszki w
trakcie trawienia jonowego półprzewodnika
2.
Pomiary rezystancji powierzchniowej
półprzewodnika sondą czteroostrzową
z następującym po każdym pomiarze trawieniem
chemicznym
3.
Pomiary rezystancji rozpływu prądu dokonywane
za pomocą przesuwanego po powierzchni szlifu
skośnego ostrza
4.
Pomiary efektu Halla metodą van der Pauwa
z sekwencyjnym trawieniem anodowym – tutaj
dodatkowo określa się ruchliwość nośników
Metody pomiaru koncentracji
domieszki
na podst. opracowania dr. Marka Panka (2)
5. Obliczenia komputerowe przy pomocy licznych
symulatorów procesów technologicznych
(np. rodzina
SUPREM)
6. Badania radiometryczne produktów trawienia półprz.
domieszkowanego radioaktywnym izotopem domieszki
7. Niskoczęstotliwościowe (kilka – kilkadzies. kHz)
pomiary pojemnościowe struktury elektrolit –
półprzewodnik przy stałej, z reguły małej polaryzacji w
kierunku zaporowym, przy czym elektrolit używany
jest naprzemiennie raz jako elektroda pomiarowa, a
drugi jako agent trawiący półprzewodnik
8. Ogólnie rozumiane metody pomiarów
pojemnościowych, bazujące na fakcie, że głębokość
obszaru wymiecionego z ładunku przestrzennego
jest funkcją wartości napięcia polaryzacji w kierunku
zaporowym struktury z półprzewodnikiem (CV i ECV)
Pomiar ruchliwości nośników
• metoda van der Pauwa
– udoskonalona metoda czteroostrzowa; sondy
przykłada się do brzegu struktury testowanej,
– polega ona na jednoczesnym wyznaczeniu
konduktywności i współczynnika Halla dla danej
warstwy epitaksjalnej; pomiar jest możliwy dla
warstw epitaksjalnych osadzonych na podłożu
o przeciwnym typie przewodnictwa
– pomiar ww. parametrów umożliwia określenie
zarówno koncentracji nośników jak również ich
ruchliwości
– bez wykorzystania pola magnetycznego metodę
można wykorzystać do pomiaru rezystywności
próbek płaskich
Pomiar typu przewodnictwa
• metoda gorącej sondy
– przyłożenie gorącej i zimnej sondy do próbki
i pomiar różnicy potencjałów (napięcia)
umożliwia ocenę typu przewodnictwa:
jeśli na gorącej sondzie jest potencjał
dodatni, to próbka jest typu p;
jeśli natomiast ujemny – próbka jest typu n,
– występuje tu zjawisko odpływu nośników
większościowych od gorącego obszaru;
• charakterystyka I-U styku metal –
półprzewodnik
• CV
Pomiar stałej dielektrycznej
• pomiary mikrofalowe
– tłumienie i przesunięcie fazy
– dobroć
– częstotliwość rezonansowa
• EPR i MPR – rezonanse: elektronowy
i magnetyczny
Pomiar przerwy energetycznej
(1)
• metoda dyfrakcji rentgenowskiej (XRD)
• na podstawie nachylenia prostej
gdzie
- przewodność
• spektroskopia fotoodbiciowa (
PR
PR) – nieniszcząca
metoda badania właściwości optycznych; metoda
modulacyjna – wyznaczanie pochodnej widma
optycznego ze względu na wybrany parametr;
modulacja przez wzbudzenie par elektron – dziura
na skutek oświetlenia wiązką pompującą
• fotoluminescencja (
PL
PL) – próbka oświetlana jest falą
wystarczająco krótką do wzbudzenia swobodnych
nośników; mierzy się widmo emisyjne sygnału;
kT
E
g
ln
ln
Pomiar przerwy energetycznej
(2)
na podst. pracy K.Rudno-Rudzińskiego
Spektroskopia fotoodbiciowa (PR)
•
Fotoodbicie jest metodą optyczną (nieniszczącą) badania
struktur półprzewodnikowych należącą do grupy
modulacyjnych, czyli takich, w których wyznacza się widma
optyczne o charakterze różniczkowym otrzymane dzięki
modulacji (periodycznym zmianom) jakiegoś parametru;
•
W przypadku pomiarów fotoodbiciowych struktur
półprzewodnikowych modulację uzyskuje się dzięki
oświetlaniu próbki przerywaną periodycznie wiązką światła
laserowego o energii większej (w większości przypadków) od
energii charakterystycznej układu, zazwyczaj największej
przerwy wzbronionej w badanej strukturze. Światło wiązki
pompującej jest absorbowane i generowane są pary elektron-
dziura, które są następnie separowane przestrzennie przez
pole elektryczne wbudowane w strukturę, wynikające z
istnienia powierzchni i/lub interfejsów w układzie.
Rozsunięcie się nośników o przeciwnych znakach prowadzi do
zmiany zakrzywienia pasm, czyli w do zmiany pól
elektrycznych wewnątrz próbki;
Pomiar współczynnika
załamania
•
spektroskop pryzmatyczny
spektroskop pryzmatyczny, który wykorzystuje zjawisko
rozszczepienia (dyspersji) światła przy przejściu przez
pryzmat; ponieważ współczynnik załamania n jest funkcją
długości fali, zatem każdy ze składników promieniowania
światła białego załamuje się pod nieco innym kątem;
– W spektroskopach wykorzystuje się występowanie
dyspersji normalnej (gdy n rośnie, maleje)
•
refraktometr interferencyjny
refraktometr interferencyjny – wytwarza się dwie
rozdzielone, spójne wiązki świetlne na jednakowych
odcinkach z tym, że na drodze jednej wiązki znajduje się
przezroczyste ciało o określonej długości l i
współczynniku n; liczba obserwowanych prążków zależna
jest od n i wynosi
(n
0
– współczynnik otoczenia)
0
n
n
l
Pomiar PARAMETRÓW
STRUKTURALNYCH (1)
• głównie dyfrakcja rentgenowska (XRD – X-ray Diffraction)
– metoda wykorzystująca zjawisko interferencji fal
wtórnych rozpraszanych przez elektrony ośrodka bez
zmiany długości fali;
• pomiar:
– niedopasowania parametrów warstwy, epitaksjalnej i podłoża,
– grubości warstw epitaksjalnych,
– gradient rozkładu poszczególnych składników,
– doskonałość warstw (gęstość dyslokacji),
– naprężenia w strukturze,
– preferowana orientacja kryształów,
– periody w supersieciach,
– zawartość procentowa składników w związkach potrójnych
i poczwórnych.
Pomiar PARAMETRÓW
STRUKTURALNYCH (2)
• poza tym do badania parametrów strukturalnych
stosuje się również metody diagnostyki
optycznej, np.:
– do badania naprężeń w strukturze -
spektroskopię
spektroskopię
fotoodbiciową
fotoodbiciową (patrz pomiar przerwy energetycznej)
– do badania powierzchni –
metody mikroskopowe
metody mikroskopowe
(AFM),
(AFM), a także
elektronowe (LEED –
elektronowe (LEED –
Low Energy
Low Energy
Electron Difraction
Electron Difraction
)
)
• LEED: czystość powierzchni, odległości między
zaadsorbowanymi na powierzchni cząsteczkami,
ocena powierzchni w zakresie występujących na niej
stopni itp.
Pomiar PARAMETRÓW
STRUKTURALNYCH (3)
•
AES
AES –
Auger Electron Spectroscopy
Auger Electron Spectroscopy –
metoda wykorzystująca zjawisko
bezradiacyjnego przejścia elektronu
z wyższej powłoki na niższą, któremu
towarzyszy emisja wolnego elektronu.
– pomiar składu chemicznego, stechiometrii
związków, struktury pasmowej, rozkładu
stężenia pierwiastków na powierzchni,
badanie zanieczyszczeń powierzchniowych
Pomiar defektów, stanów
pułapkowych, zanieczyszczeń
• analiza chemiczna,
• analiza radioaktywna,
• widma fotoluminescencji,
• pomiar przezroczystości i dwójłomności
w widmie podczerwonym (czysty kryształ
jest przezroczysty dla podczerwieni),
• spektroskopia fotoadmitancyjna - badanie
zachowania się wzbudzonych światłem
nadmiarowych nośników, które pozwala
ocenić procesy pułapkowania i rekombinacji
nośników w przerwie energetycznej
Zakończenie
DZIĘKUJĘ ZA
DZIĘKUJĘ ZA
UWAGĘ
UWAGĘ