Częstotliwości graniczne tranzystora Wzrost

czę stotliwoś ci

sygnału

zmiennego

powoduje

zmiany

małosygnałowych parametrów tranzystora.

Współczynnik wzmocnienia prądowego przyjmuje wartość zespoloną.

Ze wzrostem czę stotliwoś ci, przy okreś lonej amplitudzie prą du wejś ciowego, maleje amplituda prą du wyjś ciowego w stosunku do swojej wartoś ci przy małej czę stotliwoś ci.

Wystę puje również opóź nienie zmian prą du wyjś ciowego wzglę dem zmian prą du wejś ciowego.

Reasumując: sygnał wyjś ciowy jest zmniejszony i opóź niony w stosunku do sygnału wejś ciowego. Przyczynami tych zjawisk są: konieczność ładowania pojemności złączowych (złącz E-B i C-B) w określonym czasie oraz skończony czas przelotu nośników przez obszar bazy. Zmiany napięcia na złączu E-B

powodują zmiany rozkładów koncentracji nośników mniejszościowych w bazie.

Przy wzroś cie czę stotliwoś ci „rozkłady koncentracji noś ników w bazie nie nadąż ają za zmianami napięć ” na złą czu emiterowym.

h 

21b

0,707 h21b0

0

f

f

α

Przebieg modułu współczynnika wzmocnienia prą dowego tranzystora w układzie OB w funkcji czę stotliwoś ci (skala logarytmiczna)

h21b0 – wzmocnienie prą dowe dla małych czę stotliwoś ci f ≈ 0.

fα – jest to czę stotliwość , przy której moduł zwarciowego współczynnika

wzmocnienia prą dowego w układzie OB maleje o 3 dB.