Projekty AVT
2954
2954
część 2
część 2
TRX SDR na fale krótkie
TRX SDR na fale krótkie
W tej części artykułu o TRX-ie SDR opisane jako elementu grzejnego. Przyjęte rozwiązanie ogranicza obwód z rezystorami R3-R8 i tran-
zostały dodatkowe bloki tego urządzenia: ma jedną dużą zaletę, nie wymaga stosowa- zystorem Q1 typu pnp  MMBT3906. Zamiast
przetwornica  9V, układ stabilizacji tempe- nia podkładki izolacyjnej, dren tranzystora tranzystora MMBT3906 można wykorzystać
ratury generatora SI570 oraz liniowy wzmac- IRF9Z34 podłączony jest bezpośrednio do dowolny tranzystor małej częstotliwości typu
niacz mocy. Mogą one być wykorzystane metalowej części obudowy TO-220, dzięki pnp. Wartość prądu płynącego przez tran-
również w innych urządzeniach, np. układ czemu może być ona bezpośrednio połączona zystor można obliczyć ze wzoru I = 0,6/R,
stabilizacji temperatury i przetwornica  9V z masą układu. Funkcję czujnika temperatury gdzie R jest wartością wypadkową sześciu
mogÄ… znalez
ć zastosowanie w opisywanym w pełni czujnik krzemowy typu KT81-210. W równolegle połączonych rezystorów R3-R8.
EdW 8/2009 odbiorniku HPSDR (AVT-2909), porównaniu z klasycznymi termistorami NTC W przypadku, gdy wartość spadku napięcia
a wzmacniacz mocy w dowolnym urządzeniu czujniki krzemowe posiadają lepszą stabil- na rezystorach przekroczy wartość 0,6V (spa-
nadawczym na fale krótkie. ność w funkcji czasu. Napięcie zasilające dek napięcia na złączu baza-emiter), tranzy-
czujnik i wytwarzające napięcie odniesienia stor MOSFET przestaje być wysterowywany
Termostat (regulujące temperaturę) wytwarzane jest za (napięcie bramki zwierane jest przez tranzy-
Układ ten służy do stabilizacji temperatu- pomocą stabilizatora 78L09. Porównywanie stor MMBT3906 do +12V), a tranzystor IRF
ry kostki SI570. Schemat modułu pokazany temperatury mierzonej z zadaną odbywa się przestaje podgrzewać układ SI570. W ukła-
jest na rysunku 1. Układ SI570 wykazu- w podwójnym wzmacniaczu operacyjnym dzie ograniczającym prąd użyto oporników
je dość silną zależność między temperatu- typu TLC272. W układzie wykorzystano tylko SMD w rozmiarze 1206. Wartość prądu pod-
rą otoczenia, a generowaną częstotliwością. jedną połówkę tego układu, druga jest niewy- grzewającego powinna mieścić się w zakresie
Zmiany częstotliwości (temperatury) układu korzystana. Wzmocnienie układu ograniczone od 250 1000mA i zależy od zastosowanej
SI570 są najsilniejsze w pierwszych minutach jest przez opornik R10, a szybkość reakcji izolacji termicznej. Większej wartości prądu
od włączenia układu. Zastosowanie układu na zmiany temperatury przez kondensator podgrzewającego wymagają układy gorzej
termostatu pozwala uzyskać po osiągnięciu C4. W układzie tym nie należy spodziewać izolowane termicznie. Proces grzania syg-
zadanej temperatury (parę minut) dużą sta- się szybkich zmian temperatury. Pożądaną nalizowany jest przez świecenie diody LED.
bilność częstotliwości generatora, niezależ- wartość temperatury ustawia się za pomocą Informacja o stopniu wysterowania tranzysto-
nie od temperatury otoczenia. Opisany układ potencjometru wieloobrotowego R13. Sygnał ra grzejącego (świecenie diody LED) zmienia
bazuje na podobnych opisach dostępnych w błędu ze wzmacniacza operacyjnego steruje się w sposób płynny. Po jaskrawości świece-
Internecie. Cechą, która go wyróżnia, jest bramką tranzystora MOSFET przez rezystor nia diody LED jesteśmy w stanie zorientować
użycie tranzystora MOSFET z kanałem P R2. Wartość prądu płynącego przez tranzystor się co do odchyłki pomiędzy temperaturą
ustawionÄ… a temperaturÄ… czujnika.
Rys. 1 Schemat ideowy termostatu
Układ najlepiej zmontować w formie kanapki
+12V
U2
na kształtowniku aluminiowym w kształcie
1 8
OUT IN
litery T lub L. Z jednej strony kształtownika
C5 C6 2 7 C1 C2 C3 C7
8
GND GND
Q2
3 6
przymocowujemy płytkę generatora SI570, z
R5 R3 R4 U1P
GND GND
4 5
10u 100n 10u 10u 100n 100n
3,6 3,6 3,6 4
nc nc
drugiej strony płytkę termostatu. Obie płytki
skręcone są ze sobą za pomocą śrub typu
78L09
R9 M3. W celu jak najlepszego przekazywania
R8 R6 R7
5
+ U1B
1k
3,6 3,6 3,6
ciepła z tranzystora do płaskownika obudowę
R12
7
2,4k
tranzystora IRF należy posmarować smarem
6
LED R
L
E
D
R
Q1
3 termoprzewodzącym. Otwór pod tranzystor
+ U1A
1 mocy uzyskujemy po wyłamaniu wstępnie
TLC272CP
R11
2 R2 zaznaczonego otworami obszaru na płytce
2,2k
R13
TLC272CP
Q3
680
C4
5k
drukowanej, a otrzymany otwór wygładza-
IRF9Z34
100n
my za pomocą pilnika. Cały układ należy
R10
100k
W
r
z
e
s
i
e
Å„
2
0
1
0
El ekt roni ka dl a Wszyst ki ch Wrzesień 2010
19
MMBT3906
R1
KTY81-210
MMBT3906
Projekty AVT
+5V na  12V. Napięcie  12V obniżane
jest do -9V za pomocÄ… stabilizatora napiÄ™-
cia ujemnego typu 7909. Stabilizator ten
pełni funkcję aktywnego filtru redukującego
poziom tętnień (zakłóceń) na wyjściu prze-
twornicy. Należy zwrócić uwagę na fakt, że
stabilizatory napięcia ujemnego niektórych
producentów wymagają pojemności na wej-
ściu i wyjściu stabilizatora ponad 100źF,
Fot. 1
gdyż w przeciwnym wypadku wzbudzają
Rys. 2 Schemat montażowy termostatu
się. W układzie zastosowano kilka filtrów
dolnoprzepustowych, zbudowanych na
Fot. 2
rdzeniach ferrytowych typu F1001, połą-
czonych z kondensatorami. Rys. 4 Schemat montażowy
W celu zapewnienia dobrego tyle mały, że nadaje
przetwornicy  9V
odsprzężenia układu w szero- się do zastosowa-
kim zakresie częstotliwości, nia w urządzeniach
w układzie wykorzystano sze- radiowych i innych
reg kondensatorów, różnią- układów wymagają-
cych się wartościami pojem- cych użycia ujemne-
ności. Pewnego wyjaśnienia go napięcia zasilania
zaizolować termicznie za pomocą styropianu wymaga dławik L3, ponieważ o niskim poziomie
(wystarczy grubość 1cm). Czujnik tempe- właśnie ten element przyspo- zakłóceń. Wartość
ratury należy przykleić do obudowy układu rzył najwięcej problemów pod- napięcia wyjściowe-
SI570, a połączenia pomiędzy czujnikiem a czas pierwszego uruchomienia go może być zmie-
płytką wykonać za pomocą dwóch skręconych układu. Pierwotnie jego funkcję niana za pomocą
z sobą przewodów. Temperatura pracy termo- pełnił dławik o takiej wartości elementów towarzy-
statu powinna wynosić okoÅ‚o 45°C. Opisany (330uH), nawiniÄ™ty na rdzeniu szÄ…cych ukÅ‚adowi
układ może być użyty w odbiorniku HPSDR, toroidalnym F1001 (jego war- MC34063 i wymiany
jak również w dowolnym innym układzie tość sprawdzono za pomocą stabilizatora szere-
stabilizacji temperatury np. generatora kwar- miernika indukcyjności), układ jednak z
le sta- gowego. Odpowiedni kalkulator wyliczajÄ…cy
cowego. Zmontowany układ widoczny jest na bilizował napięcie wyjściowe i bardzo silnie żądane wartości elementów układu MC34063
fotografii 1. Schemat montażowy pokazano reagował nawet na niewielkie zmiany obcią- w zależności od żądanego napięcia wyjścio-
na rysunku 2. żenia, zmieniając napięcie na swoim wyjściu. wego, prądu i częstotliwości pracy przetwor-
Problem całkowicie rozwiązało zastosowanie nicy można znalez
ć pod adresem http://www.
Przetwornica  9V jako tej indukcyjności fabrycznego dławika z nomad.ee/micros/mc34063a/index.shtml.
W celu optymalnej pracy wzmacniaczy ope- otwartym strumieniem. Winę za złe działanie Zmontowany układ pokazano na fotografii 2,
racyjnych układu TRX i odbiornika HPSDR układu w przypadku zastosowania rdzenia schemat montażowy na rysunku 4.
wskazane jest ich zasilenie napięciem syme- toroidalnego ponosiło najprawdopodobniej
trycznym, co wymaga zastosowania trans- zjawisko nasycania siÄ™ rdzenia. Rdzenie toro- Wzmacniacz mocy w.cz.
formatora sieciowego z dwoma niezależny- idalne nasycają się znacznie szybciej niż Opisany wzmacniacz mocy jest konstrukcją
mi uzwojeniami. Mimo że zdobycie takiego układy z otwartym strumieniem magnetycz- szerokopasmową i pracuje w całym zakresie
transformatora nie jest trudne, wiele osób nym. Zaletą rdzeni toroidalnych jest mały fal krótkich. W układzie tym użyto szeregu
uznaje konieczność jego użycia za poważną poziom zakłóceń generowanych przez pole ciekawych rozwiązań. Mimo, że układ prze-
wadę. Pomijając możliwość wykorzystania rozproszone. Jako L3 można użyć oczywiście znaczony został do urządzeń SDR, praktycz-
zwykłego transformatora i podwajacza jed- dławika innego niż podany w spisie ele- nie bez żadnych modyfikacji może znalez
ć
nopołówkowego, problem można też rozwią- mentów, ale uwzględniając podane wcześniej zastosowanie w każdym urządzeniu nadaw-
zać za pomocą odpowiedniej przetwornicy. zastrzeżenia. Zastosowany dławik powinien czym na fale krótkie. Impedancja wejścia i
Schemat proponowanej przetwornicy poka- dodatkowo mieć możliwie maÅ‚Ä… wartość rezy- wyjÅ›cia ukÅ‚adu zbliżona jest do 50©. Niektóre
zany jest na rysunku 3. Opisana w artykule stancji szeregowej. Masa tego układu powin- elementy nie muszą być montowane, o tym
przetwornica zbudowana jest na dość starym, na być połączona tylko w jednym punkcie jednak póz
niej. Schemat ideowy widzimy jest
ale powszechnie dostępnym i tanim układzie oznaczonym literą x na płytce drukowanej na rysunku 5. Szerokopasmowość układu
scalonym MC34063. Całość pracuje w ukła- z resztą mas (np. przez metalową tulejkę uzyskano dzięki zastosowaniu transforma-
dzie przetwornicy podwyższającej, zmienia- dystansową), reszta tulejek powinna być torów sprzęgających poszczególne stopnie-
jącej polaryzację napięcia i zamienia napięcie plastikowa. Układ dobrze jest zaekranować nie wzmocnienia ze sobą. Pierwsze dwa
cienką blachą stalową. Poziom zakłóceń transformatory obniżają impedancję, ostatni
Rys. 3 Schemat ideowy przetwornicy  9V
generowanych przez ten układ jest na pracuje jako transformator podwyższający
R1 0,47
R
1
0
,
4
7
impedancjÄ™. To, czy dany transformator
L2
obniża, czy podwyższa impedancję, zależy
15zw. F1001 S
rednica 8mm
1
5
z
w
.
F
1
0
0
1
S

r
e
d
n
i
c
a
8
m
m
R
2
0
,
4
7
+5V R2 0,47
8 1
DriverCollector SwitchCollector
tylko od połączenia uzwojeń transformatora.
C2
C5 C8 C9 7 2
IpkSense SwitchEmitter
C7 6 3
Stosowanie transformatorów obniżających
VCC TimingCapacitor
D1
5 4 C6
100n
1n 10u L3
10u 470u
ComparatorInvIn GND
rezystancjÄ™ ma na celu zapewnienie odpo-
330uH
GND
R8 1,5n wiednio dobrego wysterowania tranzysto-
U2 MC34063
1N5819
8,2k
R3
rów polowych, szczególnie na wyższych
1k
C1
C3 częstotliwościach. Zastosowane tranzystory
U1 L1
1
5
z
w
.
F
1
0
0
1
S

r
e
d
n
i
c
a
8
m
m
7909 15zw. F1001 S
rednica 8mm
-9V
10u
470u
OUT IN
C12 C4
C14 C13 C15 C11 C10
GND
El ekt roni ka dl a Wszyst ki ch
1n 10u 100n 100n 10u
470u 470u
+
Projekty AVT
Rys. 5 Schemat ideowy wzmacniacza mocy
polowe mają dość duże pojemności wejścio-
we. Ostatni z transformatorów nawinięty jest
na dwóch sklejonych ze sobą rdzeniach ze
starych symetryzatorów telewizyjnych. Do
sklejenia rdzeni należy użyć kleju epoksydo-
wego (dwuskładnikowego), a rdzenie powin-
ny ściśle przylegać do siebie. Klej wykorzy-
stany do sklejenia rdzeni nie powinien być
koloru czarnego ani szarego, ze względu na
użycie jako barwnika sproszkowanego gra-
fitu. Przyjęte rozwiązanie pozwala przenieść
przez rdzeń większą moc, niż gdybyśmy użyli
pojedynczego rdzenia. Dwa pierwsze wzmac-
niacze pracujÄ… w klasie A, odpowiednio z
prÄ…dami spoczynkowymi 40mA BFG591 i
70mA (IRF510), tranzystor końcowy pracuje
w klasie AB z prądem spoczynkowym około
250mA (IRF530). Kondensator o wartości
100pF w z
ródle tranzystora IRF510 zwięk-
sza wzmocnienie wzmacniacza dla wyższych
częstotliwości (tranzystory mają mniejsze
wzmocnienie mocy dla większych częstotli-
wości). Dobrą liniowość wzmacniacza osiąg-
nięto dzięki stosowaniu ujemnych sprzężeń
zwrotnych zarówno w obwodzie emitera
(z
ródła), jak i pomiędzy kolektorem a bazą
(drenem a bramką). Większą moc wyjściową
ze wzmacniacza można uzyskać, zasilając
tranzystor IRF530 z napięcia wyższego niż
12V (do 24V), po rozłączeniu odpowiedniej
zwory na płytce i wymianie kondensatora
elektrolitycznego na inny, o wyższym napię-
ciu pracy. Rezystory o wartości paru omów w
bazie (bramkach) tranzystorów zapobiegają
wzbudzeniom pasożytniczym wzmacniacza.
Tranzystor BFG591 w celu poprawy chło-
dzenia wymaga przylutowania z obu stron
plastikowej obudowy kawałka foli miedzia-
nej, która styka się z powierzchnią plastikową
tranzystora. W przypadku tranzystora IRF510
wystarczy kawałek blachy aluminiowej o
powierzchni około 10 15 cm kwadratowych.
Tranzystor IRF530 wymaga dość dużego
radiatora, przy czym musi być on przykręco-
ny do niego za pomocą podkładki izolacyjnej
(minimum 100 150 cm2). Do radiatora tranzy-
stora IRF530 powinny być też przymocowane
dwie diody D4, D5, które pod wpływem wzro-
stu temperatury obniżają napięcie polaryzują-
ce bramkę, a tym samym zmniejszają wartość
prÄ…du spoczynkowego tranzystora wraz ze
wzrostem jego tempera-
tury. Wartość prądu spo-
czynkowego regulowana
jest za pomocÄ… potencjo-
metru wieloobrotowe-
go. Przełączanie w stan
nadawania uzyskane jest
dzięki zastosowaniu prze-
Å‚Ä…cznika HMC190MS8,
przekaz
nika elektrome-
chanicznego, układu
CD4093, tranzystora z
kanałem P oraz tranzy-
stora MMBT3904. Na
W
r
z
e
s
i
e
Å„
2
0
1
0
El ekt roni ka dl a Wszyst ki ch Wrzesień 2010
21
21
OUT
BU1
BNC-50
330
R34
22n
C43
8
C27
22n
L1
L2
Q6
D3
2,2u
2,2u
14,85MHz
+5V
nc
GND OUT
7
14
1
C33
C36
C38
0pF
0pF
680pF
C34
C35
C37
680p
1500p
0p
C26
10n
C22
C23
33n
100n
C24
C26
C40
C41
C42
C30
470u
100n
10n
100n
10n
10u
TR3
IRF530
Q1
Rel1
7805
C50
100n
GND
IN
OUT
m
U3
c
D2
C3V9
D5
1
R28
330
C21
22n
100n
C20
a
m
i
c
C39
m
100n
Ä™
i
5
,
n
i
0
R24
1k
H
w
u
u
a
t
R26
2
n
u
,
r
2
a
d
M1BS-12HAW
1
c
.
a
i
k
n
w
.
.
.
R23
D4
10k
680
8
R25
z
d
1
1
w
w
w
w
1
e
e
2
z
z
z
r
R18 1
R
Cewka 2,2uH
C
22 zw. drutu 0,5mm
2
S
rednica nawinięcia 1cm
S

7
5
4
R27
-
-
-
e
e
e
n
n
n
r
r
r
C19
C18
C17
100n
1n
100n
ó
ó
ó
t
t
t
C8
33n
C49
22n
w
w
w
C1
100p
,
,
,
.
.
.
w
w
w
z
z
z
7
4
4
-
-
-
e
e
e
Q2
IRF510
TR2
n
n
n
t
t
t
o
o
o
w
w
w
r
r
r
e
e
e
i
i
i
R22
1
R21
1
p
p
p
:
:
:
1
2
3
C7
22n
R
R
R
TR1: pierwotne - 7zw., wtórne - 7zw.
T
TR2: pierwotne - 4zw., wtórne - 5zw.
T
TR3: pierwotne - 4zw., wtórne - 4zw.
T
Q5
IRF9530
C13
C12
R16
R17
4,7k
330
C14
22u
100n
1n
R15
R9
R8
R35
2,7k
22
22
22
+12V
C15
4,7
R14
C2
C6
22n
C16
22u
100n
7
TR1
Q3
33n
R20
1
R19
1
U1
R4
R5
15
15
R6
R7
15
15
C3
22n
R12
330
BFG591
TX_bias
C29
C28
14
C10
C9
R11
680
R10
150
10
C25
22u
100n
1n
C11
22u
100n
1n
U1C
4,7
U1A
R13
n
7
C4
22n
4
8
9
3
8
2
1
4
C5
47n
C48 47n
C
U1D
U1B
11
R33
2,2k
4
22n
C32
12
13
R3
8,2k
Q4
6
5
S2
y
3
8_RS232
s
9
a
R1
47k
0
m
4
8
7
6
5
-
o
R29
100
d
R32
2,2k
1
a
U1 - 4093
U
D1
n
o
z
c
Ä…
Å‚
d
TX/RX
R36
R37
2,4k
2,4k
3_RS232
o
C46
22n
C44 C45
47n
47n
a
4_RS232
A
B
p
IN
GND
GND
GND
OUT1 OUT2
U2
HMC190
k
-
s
1
2
3
4
2
e
r
3
k
2
-
S
R2
R
a
22n
C31
47n
_
k
C47
5_RS232 - podłączona do masy
5
p
S1
o
r
Manipulator
kropka - kreska
k
7_RS232
RX/TX
PTT
8,2k
6_RS232
u
r
t
l
i
f
R31
2,2k
R30
2,2k
Z filtru
Z
TRX
8
4
1
4
L
L
e
n
r
ó
t
w
+
r
t
l
i
F
.
w
r
e
i
p
8
4
1
4
N
1
x
2
e
n
r
ó
t
w
.
w
r
e
i
p
+
e
n
r
ó
t
w
+
.
w
r
e
i
p
+
+
4
0
9
3
T
B
M
M
8
4
1
4
L
L
Projekty AVT


wejściu wzmacniacza mocy nie zakłócają pracy Zmontowany układ przedstawiono na foto-

znajduje się układ prze- odbiornika. Stanem grafii 3, schemat montażowy na rysunku 7.
Å‚Ä…cznika elektroniczne- aktywujÄ…cym nadawa-
go w.cz. firmy Hittite nie jest stan wysoki na Uruchomienie układu
typu HMC190MS8. złączu PTT wzmacnia- W układzie powinny być zastosowane ele-
Zaletą zastosowane- cza mocy. Zastosowane menty o mocy strat i napięciu pracy podanym
go układu jest bardzo rozwiązanie umożliwia w wykazie elementów. Zastosowane rezysto-
niska cena wynosząca sterowanie wzmacnia- ry przewlekane powinny być bezindukcyjne,
około 1,5zł za sztukę, czem zarówno za pomo- z możliwie krótkimi wyprowadzeniami. Na
zdolność przenoszenia cą poziomów logicznych wstępie wykonujemy połączenie odcinków
dużych mocy nawet TTL (procesor ATtiny45 A i B za pomocą krótkiego odcinka kabla
do 1W (nigdy nie bÄ™dÄ… ukÅ‚adu SI570), jak i koncentrycznego o impedancji 50© oraz
występowały w tym sygnałów o poziomów montujemy resztę elementów, nie wlutowu-
miejscu moce większe logicznych standardu jąc zwory podającej zasilanie na dren tran-
niż 10mW) i doskonała RS232 (sterowanie z zystora IRF530. Punkt pracy tranzystorów
odporność intermodu- wykorzystaniem progra- powinien być skorygowany ze względu na


lacyjna. Parametr IP3+ mu autorstwa M0KGK). dość duży rozrzut parametrów użytych tran-

mówiący o odporno- Dioda L4148 (1N4148 w zystorów (doświadczenie z paroma tego typu

ści intermodulacyjnej obudowie SMD) zabez- układami). Zmianę punktu pracy dokonuje


wynosi aż +50dBm. piecza układ przed zbyt się, zmieniając wartość rezystorów polary-

Izolacja pomiędzy wro- Rys. 6 Charakterystyka filtru
dużym ujemnym napię- zujących bazę (bramkę) tranzystora. W tym
pracujÄ…cego podczas
tami przełącznika do ciem pochodzącym od czasie układ powinien być obciążony od
nadawania i odbioru
30MHz wynosi ponad portu RS232, ogranicza- strony wejÅ›cia i wyjÅ›cia rezystorami 50© o
35dB. Układy tego typu jąc ujemne napięcie do odpowiedniej mocy (na wejściu wystarczy
produkuje wielu producentów. Pewną wadą poziomu  0,6V. Dodatkowa  wolna bramka zwykły rezystor o rozmiarze 0805). Wartość
w tych układach jest konieczność usunię- układu CD4093 umożliwia sterowanie pracą prądu płynącego przez tranzystor może być
cia składowej stałej (zastosowanie konden- zewnętrznego wzmacniacza przeciwsobnego mierzona za pomocą pomiaru spadku napię-
satorów separujących na wszystkich wro- na MOSFET--ach przez zwieranie napięcia cia na opornikach emiterowych (z
ródłowych)
tach przełącznika mimo podawania przez ich bramek do masy za pomocą zewnętrz-  prawo Ohma. W celu uruchomienia nadaj-
producentów, że układy pracują od napięć nego tranzystora npn. Dodatkowe elementy nika, podajemy napięcie od 5 do 12V na złą-
stałych) oraz konieczność sterowania prze- na złączu RS232 służą do sterowania klu- cze sterujące trybem pracy nadawanie-odbiór
łącznika dwoma sygnałami naraz. Układ ma czem telegraficznym (emisja CW)
dwa wejścia sterujące oznaczone jako A i z programu PowerSDR. Pokazany
B, stany na tych wejściach powinny być na schemacie filtr dolnoprzepusto-
zawsze przeciwne, tzn. jeśli na jednym z wy może być zastosowany tylko
wejść występuje stan niski, na drugim musi w wersji jednopasmowej, podane
być stan wysoki. Poziom stanu wysokiego pojemności na schemacie dotyczą
może wynosić maksymalnie 8V. Większym pasma 80m. Pojemności oznaczo-
wartościom napięć sterujących odpowiada ne jako 0 pozwalają złożyć kon-
większa wartość odporności na modulację densator o żądanej pojemności
skrośną. Odpowiednie napięcia sterujące z paru kondensatorów o mniej-
pracą przełącznika wytwarzane są przez dwa szej pojemności. Filtr ten pracu-
inwertery Schmitta układu CD4093. Sygnał je zarówno podczas nadawania
z wyjścia nadajnika (duża moc) przełączany i odbioru. Charakterystykę tego
jest już za pomocą zwykłego przekaz
nika filtru pokazano na rysunku 6. W
Fot. 3
elektromechanicznego. Przekaz
nik półprze- wersji na cały zakres KF filtr ten
Rys. 7 Schemat montażowy wzmacniacza. Skala 50%
wodnikowy zastosowanego typu nie jest w nie jest montowany. PÅ‚ytka dru-
stanie przenieść mocy naszego wzmacniacza. kowana ma dodatkowe miejsce
Na uwagę zasługuje w tym układzie fakt, że na generator kwarcowy i stabi-
dwa pierwsze stopnie i polaryzacja trzeciego lizator scalony, który może być
stopnia wzmacniacza załączane są tylko pod- użyty w urządzeniu SDR (wer-
czas nadawania. Funkcję klucza załączające- sja przewlekana), montowanie
go napięcia zasilania tych tranzystorów pełni jego nie jest jednak koniecz-
tranzystor MOSFET z kanałem typu p. Dzięki ne, gdyż analogiczne elementy
przyjętemu rozwiązaniu szumy wzmacniacza znajdują się na płytce TRX-a.
R E K L A M A
Projekty AVT
Wykaz elementów L3 . . . . . . . . . . . 330µH rozmiar 1207, C21,C49 . 22nF przewlekany 100V MKT
Termostat
ekranowany C22 . . . . 100nF przewlekany 250V MKT
Rezystory
Wzmacniacz mocy C23 . . . . . . . . . . . . . . .33nF 250V MKT
R1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . .0k© (1206)
Rezystory C26 . . . . . . 10nF przewlekany MKT 63V
R2 . . . . . . . . . . . . . . . . . .680© (0805)
R1 . . . . . . . . . . . . . . . . . .47k© (0805) C30 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 470µF 25V
R3-R8 . . . . . . . . . . . . . . . 3,6© (1206)
R2,R3 . . . . . . . . . . . . . . 8,2k© (0805) C33,C36,C37. . . . . . . . . . . * patrz tekst
R9 . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1k© (0805)
R4-R7 . . . . . . . . . . . . . . . .15© (1206) C34,C38 . . . . . . . . . . . . . .680pF 250V
R10 . . . . . . . . . . . . . . . .100k© (0805)
R8,R9,R35 . . . . . . . . . . . . .22© (1206) przewlekany, patrz tekst
R11 . . . . . . . . . . . . . . . . 2,2k© (1206)
R10 . . . . . . . . . . . . . . . . .150© (0805) C35 . . . . . . . . . . . . . . . . .1500pF 250V
R12 . . . . . . . . . . . . . . . . 2,4k© (0805)
R11,R25 . . . . . . . . . . . . .680© (0805) przewlekany, patrz tekst
R13 . . . . . . . . . . . 5k© (wieloobrotowy)
R12,R34 . . . . . . . . . . . . .330© (0805) C41 . . . . . . . . . . . . . . . . . 10nF (0805)
Kondensatory
R13,R14 . . . . . . . . . . . . . 4,7© (1206) C42 . . . . . . . . 10µF ceramiczny (1206)
C1,C2,C5. . . . 10µF ceramiczny (1206)
R15 . . . . . . . . . . . . . . . . 2,7k© (0805) C44,C45 . . . . . . . . . . . . . 47nF (0805)
C3,C4,C6,C7 . . . . . . . . . 100nF (0805)
R16 . . . . . . . . . . . . . . . . 4,7k© (0805) Półprzewodniki
Półprzewodniki
R17 . . . . . . . . . . . . . . . . .330© (1206) D4,D5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1N4148
D1 . . . . . . . . . . . .LED czerwona (0805)
R18,R26,R27 . . . . . . . . . . . . . . 1© 2W D1,D3 . . . . . . . . . . . . LL4148 minimelf
Q1, Q2. . . . . . . . . . . . . . . . MMBT3906
R19-R22 . . . . . . . . . . . . . . .1© (1206) D2 . . . . . . . . . . . . . . . . .C3V9 minimelf
Q3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .IRF9Z34
R23 . . . . . . . . . . . . 10k© potencjometr lub przewlekana
U1 . . . . . . . . . . . . . . TLC272CP (SMD)
wieloobrotowy Q1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .IRF530
U2 . . . . . . . . . . . . . . . . . 78L09 (SMD)
R24 . . . . . . . . 1k© przewlekany 0,25W Q2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .IRF510
Przetwornica
R28 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 330© 2W Q3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . BFG591
Rezystory
R29 . . . . . . . . . . . . . . . . .100© (0805) Q4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . MMBT3904
R1,R2 . . . . . . . . . . . . . 0,47© (1206)
R30-R33 . . . . . . . . . . . . 2,2k© (0805) Q5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .IRF9530
R3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1k© (0805)
R36,R37 . . . . . . . . . . . . 2,4k© (0805) Q6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14,85MHz
R4 . . . . . . . . . . . . . . . . . 8,2k© (0805)
Kondensatory (generator kwarcowy, patrz tekst)
Kondensatory
C1 . . . . . . . . . . . . . . . . . 100pF (1206) U1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .CD4093
C1,C2,C4,C12 . . . . . . . . . . 470µF 16V
C2-C4,C27,C31,C32,C43,C46. . . . . . . U2 . . . . . . . . . . . . . . . . . .HMC190MS8
C3,C5,C8,C10,C13 . . . . . . . . . . . 10µF
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22nF (0805) U3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7805
C6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1,5nF
C5,C47,C48 47nF (0805) najlepiej NPO Pozostałe
C7,C14 . . . . . . . . . . . 1nF NPO (0805)
C6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33n (0806) L1,L2. . . . . . . . . . . .2,2µH (patrz tekst)
C9,C11,C15. . . . . . . . . . . . . . . . 100nF
C7 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22nF (1206) Tr1. . . . . . . . . . . . . 2*7 zwojów F1001
Półprzewodniki
C8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33nF (1206) średnica 10mm
D1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1N5819
C9,C12,C18,C28 . . . . . . . . . . 1nF NPO Tr2 . . . . . . . . . .2*5 zwojów na rdzeniu
U1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7909
C10,C13,C15,C17,C19,C29,C39,C40,C50. z symetryzatora telewizyjnego
U2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . MC34063
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100nF (0805) Tr3. . . . . . 4 zw. pierwotne, 4 wtórne na
Pozostałe
C11,C14,C16,C25 . . . . . . . . 22µF 25V dwóch sklejonych rdzeniach, patrz tekst
L1,L2. . . .15 zw. F1001, średnica 8mm
C20,C24 100nF przewlekany 100V MKT Rel1. . . . . . . przekaz
nik M1BS-12HAW
Płytki drukowane są dostępne w sieci handlowej AVT jako kit szkolny:
AVT-2954  TRX SDR, AVT2954/1  Termostat, AVT2954/2  Przetwornica -9V, AVT2954/3  Wzmacniacz.
(PTT). Po podaniu napięcia powinniśmy usły- napięciu zasilania tranzystora IRF530 rów-
szeć charakterystyczne pyknięcie załączanego nego 24V. Wzmocnienie tego układu wynosi
przekaz
nika. Korekta punktów pracy powinna około 35 40dB, a moc wyjściowa około 5W
być dokonywana po przykręceniu do radiato- i zależy od parametrów zastosowanych tran-
rów, po paru minutach ciągłego wygrzewania zystorów mocy, napięcia zasilającego ostat-
urządzenia. Trochę większego nakładu pracy niego stopnia i wysterowania wzmacniacza.
wymaga ustawienie punktu pracy trzeciego Wzmacniacz pracuje bardzo stabilnie i nie
stopnia. Ustawiamy zerowe napięcie bram- wzbudza się nawet po odłączeniu obciążenia.
ki za pomocą potencjometru wieloobroto- Możliwa jest konfiguracja wzmacniacza za
wego, mocujemy diody stabilizujące punkt pomocą zwór tak, by wzmacniacz załączał
pracy do radiatora w pobliżu tranzystora dwa pierwsze stopnie tylko na czas nadawania
IRF530, przymocowujemy obudowę tranzy- oraz by pracowały one cały czas, a zabierana
stora z użyciem podkładki izolacyjnej i pasty była jedynie polaryzacja stopnia końcowego.
termoprzewodzącej. Wlutowujemy zworę Na schemacie montażowym (i ideowym)
podającą napięcie zasilania na dren, ostroż- pokazana jest praca z kluczowaniem zasilania
nie zwiększamy wartość prądu spoczynko- dwóch wzmacniaczy sterujących i stopnia
wego tranzystora IRF530 potencjometrem końcowego. W przypadku chęci kluczowania
wieloobrotowym, kontrolując go za pomocą tylko stopnia końcowego, kolektor tranzy-
woltomierza (mierząc spadek napięcia na stora BFG591 i dren tranzystora IRF510
rezystorach z
ródłowych). Przy około 3,3V podłączone muszą być na stałe do +12V a
na bramce, tranzystor zacznie przewodzić i układ kluczuje wtedy tylko napięcie bramki
regulację prądu powinniśmy przeprowadzać tranzystora IRF530.
od tego momentu bardzo ostrożnie. Wartość
prądu spoczynkowego wynosi około 250mA Rafał Orodziński SQ4AVS
przy napięciu zasilania +12V i 150mA przy [e-mail]
W
r
z
e
s
i
e
Å„
2
0
1
0
El ekt roni ka dl a Wszyst ki ch Wrzesień 2010
23
R E K L A M A