Politechnika Wrocławska Instytut Fizyki
|
Sprawozdanie z ćwiczenia nr 57 Temat: Badanie efektu Halla |
Data: 20.06.2000
Ocena: |
Marek Kisilewicz Wydział: Mechaniczny Rok: I |
|
Uwagi końcowe:
|
Cel ćwiczenia:
zjawisko Halla
zapoznanie się ze zjawiskiem Halla poprzez pomiary charakterystyk hallotronu
Wstęp teoretyczny
EFEKT HALLA
Jeżeli płytkę z metalu lub półprzewodnika włączymy w obwód [prądu stałego i umieścimy w polu magnetycznym, którego wektor indukcji B jest prostopadły do powierzchni płytki i do kierunku płynącego prądu elektrycznego, to między punktami na bocznych powierzchniach płytki wytworzy się różnica potencjałów UH, zwana napięciem Halla.
Załóżmy, że nośnikami prądu są elektrony. Jeżeli do płytki przyłożymy napięcie, to w razie braku pola magnetycznego przez próbkę będzie płynął prąd o natężeniu I. Wytworzone w próbce pole elektryczne o natężeniu Ex będzie skierowane zgodnie z kierunkiem płynącego prądu, natomiast elektrony poruszać się będą w kierunku przeciwnym polu z prędkością vx. Gęstość prądu płynącego przez płytkę określona jest wzorem
j = e n vx
Natężenie prądu I można określić jako iloczyn gęstości prądu i powierzchni S prostopadłej do kierunku wektora gęstości prądu j, zatem
I = e n vx S.
W obecności pola magnetycznego o indukcji B, na elektrony poruszające się w tym polu z prędkością vx, działa siła Lorentza
FL = -e (vx B).
Tak więc każdy elektron w płytce poruszający się z prędkością vx, zostaje odchylony od swego początkowego kierunku ruchu. Wskutek zmiany torów elektrony gromadzą się na jednej z krawędzi płytki, natomiast na drugiej wytwarza się niedobór elektronów. Dzięki temu powstaje dodatkowe pole elektryczne o natężeniu Ey. Proces gromadzenia się ładunków trwa tak długo, aż powstałe pole poprzeczne Ey, działające na elektrony z siłą
Fy = -eEy
zrównoważy siłę Lorentza. Dla warunków równowagi możemy zapisać
Fy = FL
skąd możemy otrzymać wyrażenie określające napięcie Halla
UH = I B,
w którym
gdzie d - wysokość płytki.
Mierząc natężenie prądu I płynącego przez płytkę, napięcie Halla UH oraz znając współczynnik , można wyznaczyć indukcję magnetyczną B. Urządzenie służące do wyznaczania indukcji magnetycznej nazywa się hallotronem, współczynnik zaś czułością hallotronu.
Przyrządy pomiarowe:
elektromagnes
zasilacz elektromagnesu
woltomierz cyfrowy
autotransformator
adapter hallotronu
hallotron
Przebieg ćwiczenia:
Na początku należy usunąć ramkę z hallotronem z obszaru nabiegunnika magnesu, włączyć woltomierz i zasilacz. Następnie ustalamy prąd zasilania hallotronu Is=5mA. Potencjometrem P (umieszczonym w adapterze hallotronu) kompensujemy napięcie asymetrii pierwotnej tak aby UH=0. Wprowadzamy ramkę z hallotronem pomiędzy elektromagnes i włączamy zasilacz elektomagnesu. Naprowadzamy pomiar zależności napięcia Halla od indukcji magnetycznej UH=f(B) przy ustalonym prądzie Is. Zależność indukcji magnetycznej B zmieniamy od prądu magnesującego Im odczytujemy na oddzielnym wykresie. Pomiar wykonujemy dla Is=5mA ,a indukcję B zmieniamy od 0,1-0,5T co 0,05T.
Drugim pomiarem jest zbadanie zależności napięcia Halla od prądu sterującego hallotronu UH=f(Is) przy ustalonej indukcji B=0,5T. Prąd Is zmieniamy od 1-5 mA co 0,5mA.
Tabele pomiarowe
a) Obliczenia są wykonywane dla IS=5mA, ΔIS= 0,1. 10-4 A
WYZNAZCZANIE CHARAKTERYSTYKI UH=f(B) (wykres 1)
Lp. |
B |
UH |
Im |
ΔB |
ΔUH |
|
Δ |
|
[T] |
[V] |
[mA] |
[T] |
[10-6 V] |
[V/AT] |
[V/AT] |
1 |
0,1 |
0,048 |
30 |
0,002 |
24 |
96 |
3,9 |
2 |
0,15 |
0,073 |
45 |
0,003 |
36,5 |
97 |
3,9 |
3 |
0,2 |
0,1 |
60 |
0,004 |
50 |
100 |
4,1 |
4 |
0,25 |
0,123 |
75 |
0,005 |
61,5 |
98,4 |
4 |
5 |
0,3 |
0,152 |
90 |
0,006 |
76 |
101 |
4,1 |
6 |
0,35 |
0,18 |
105 |
0,007 |
90 |
103 |
4,1 |
7 |
0,4 |
0,201 |
118 |
0,008 |
100 |
100 |
4,1 |
8 |
0,45 |
0,225 |
132 |
0,009 |
112 |
100 |
4,1 |
9 |
0,5 |
0,251 |
147 |
0,01 |
125 |
100 |
4,1 |
WZORY I PRZYKŁADOWE OBLICZENIA
Wszystkie obliczenia są wykonywane na wartościach w wierszu pierwszym (Lp.1):
a) błąd cechowania elektromagnesu B, gdzie B/B = 2% :
B = B · 2% = 0,1 0,02 = 0,002 T
b) błąd prądu magnesującego Im:
Im = ( klasa · zakres) / 100 = ( 0,5 · 0,3 ) / 100 = 0,0015 A = 1,5mA
c) błąd napięcia Halla UH:
UH = UH · 0,05%=0,048 · 0,0005 = 24·10-6 V
d) czułość hallotronu :
= UH / IS B = 0,002 / ( 0,005 · 0,1 ) = 4 V/AT
e) błąd czułości hallotronu wyznaczony metodą różniczki logarytmcznej:
b) Obliczenia są wykonywane dla B=0.5T, ΔB=0,01T
WYZNAZCZANIE CHARAKTERYSTYKI UH=f(IS) (wykres 2)
Lp. |
IS |
UH |
ΔIS |
ΔUH |
|
Δ |
|
[10 -4A] |
[V] |
[10 -4A] |
[10-4 V] |
[V/AT] |
[V/AT] |
1 |
1 |
0,02 |
0,005 |
0,01 |
40 |
1 |
2 |
1,5 |
0,03 |
0,007 |
0,01 |
40 |
1 |
3 |
2 |
0,04 |
0,01 |
0,02 |
40 |
1 |
4 |
2,5 |
0,05 |
0,01 |
0,02 |
40 |
1 |
5 |
3 |
0,06 |
0,015 |
0,03 |
40 |
1 |
6 |
3,5 |
0,07 |
0,017 |
0,03 |
40 |
1 |
7 |
4 |
0,08 |
0,02 |
0,04 |
40 |
1 |
8 |
4,5 |
0,09 |
0,02 |
0,04 |
40 |
1 |
9 |
5 |
0,1 |
0,025 |
0,05 |
40 |
1 |
WZORY I PRZYKŁADOWE OBLICZENIA
Wszystkie obliczenia są wykonywane na wartościach w wierszu pierwszym (Lp.1):
a) przyjmujemy na podstawie klasy użytych mierników
ΔIS/IS=0,5%
ΔIS=0,005⋅ IS=0,005⋅0,001=0,005⋅10-4 [A]
b) błąd napięcia Halla UH:
UH = UH · 0,05%=0,02 · 0,0005 = 0,01·10-4 V
c) czułość hallotronu :
= UH / IS B = 0,02 / ( 0,001 · 0,5 ) = 40 V/AT
d) błąd czułości hallotronu wyznaczony metodą różniczki logarytmcznej:
e) korzystając z otrzymanych danych obliczono koncentrację elektronów swobodnych ze wzoru :
d- grubość płytki
d=0,1mm
-czułość hallotronu
e-ładunek elektronu
e = 1,6 10-19
e) obliczanie wartości błędu bezwzględnego n metodą różniczki logarytmicznej:
d/d=1%
d=0,05⋅0,0001=0,000005m=0,005⋅10-4m
e/e=6%
e=0,06⋅1,6 10-19=0,096 10-19
n/n = ( / + d/d + e/e)
n = ( / + d/d + e/e) n
0,06)
=0,02 10 -21
Wnioski
Efekt Halla zachodzi w metalach i półprzewodnikach. W metalach i półprzewodnikach typu n nośnikami są elektrony, one są więc odpowiedzialne za powstanie napięci Halla. W półprzewodnikach typu p nośnikami są dziury ( ładunki dodatnie ). W takim przypadku zmieni się polaryzacja napięcia Halla, ze względu na przeciwnie skierowaną siłę Lorentza i równoważącą ją siłą wynikłą z pola poprzecznego ( napięcia Halla).
W przypadku płytki metalowej i wykonanej z półprzewodnika typu n różnice z zachowaniu się układu będą spowodowane różną ilością elektronów swobodnych w tych materiałach.
Ze wzoru na czułość hallotronu wynika, iż przy wzroście koncentracji elektronów czułość maleje, w rezultacie mamy do czynienia z mniejszym poziomen napięć Halla.