Budowa i działanie: Składa się z 3, wytworzonych w płytce półprzewodnika, warstw, kolejno n-p- n (tranztstor typu N) lub p- n-p (tranztstor typu P), stanowiących elektrody nazywane zgodnie z ich działaniem: emiter E - dostarczająca mniejszościowych nośników ładunku (N- elektrony, P- dziury) do bazy; baza B -warstwa wspólna (podstawa) i kolektor C zbierający nośniki wstrzykiwane z emitera do bazy. Strumień nośników wstrzykiwanych z emitera do bazy stanowi prąd emitera IE, strumień nośników odbieranych przez kolektor — prąd kolektora IC . Stosunek wartości obu prądów określa tzw. współczynnik wzmocnienia prądowego α = IC/IE. Działanie: umożliwia wzmacnianie mocy sygnałów elektr., tj. stanowi element czynny układów elektron.; pełni funkcję wzmacniacza, przełącznika, detektora itp. Parametry: Pojemność złącza kolektorowego; Czas wyłączenia; Prąd zerowy, Napięcie nasycenia,
Wzmocnienie prądowe, Maksymalna moc wydzielana, Częstotliwość graniczna;
Zastosowanie: radioodbiorniki, telewizory, komputery, czujniki fotoelektr., w układach pomiarowych, w połączeniu z kondensatorem stanowi element pamięci półprzewodnikowej. Definicja wzmocnienia prądowego: Strumień nośników wstrzykiwanych z emitera do bazy stanowi prąd emitera IE, strumień nośników odbieranych przez kolektor — prąd kolektora IC . Stosunek wartości obu prądów określa tzw. współczynnik wzmocnienia prądowego α = IC/IE . Jeśli oznaczyć natężenia prądów emitera, bazy i kolektora odpowiednio jako Ie,Ib,Ic, to Ie=Ib+Ic, parametrów wzmocnienie prądowe wynosi Ic/Ie.
Porównanie tr. bip. i pol.: Tr. bipolarny: Rezystancja wejściowa (OC-duża; OE- średnia; OB.- mała); Wzmocnienie napięciowe(OC- mniejsze od jedności; OE- duże; OB.- średnie); Wzmocnienie prądowe (OC-duże; OE- średnie; OB.- mniejsze od jedności); Oporność wyjściowa(OC- mała; OE- duża; OB.- duża);
Ze względu na budowę tranzystory polowe charakteryzują się bardzo dużą rezystancją wejściową.