III EiT gw zag& 10 04


MIKROELEKTRONIKA (III EiT/W12) - warstwy grube 26.10.2004

Zagadnienia do kolokwium

  1. Zalety i wady technologii grubowarstwowej.

  2. Porównanie właściwości warstw cienkich i grubych.

  3. Podłoża dla układów wysokotemperaturowych - materiały, właściwości.

  4. Skład past cermetowych (wysokotemperaturowych) - rodzaje składników i ich rola.

  5. Definicje i wartości parametrów elektrycznych rezystorów cermetowych (R, ZTWR, GTWR, GF, pr, pp ).

  6. Warstwy przewodzące wysokotemperaturowe - materiały, właściwości, zastosowania.

  7. Sita - materiały, oznaczenia, stosowane gęstości, sposoby maskowania.

  8. Sposoby wykonywania precyzyjnych wzorów (FODEL, trawienie, offset, sitodruk precyzyjny, laser).

  9. Ogólne zasady projektowania układu grubowarstwowego,

  10. Projektowanie rezystorów grubowarstwowych. Zależność RŸ od wymiarów.

  11. Proces sitodruku. Właściwości reologiczne past.

  12. Wypalanie warstw grubych - piec, krzywa wypalania, procesy fizykochemiczne zachodzące w warstwie podczas wypalania..

  13. Korekcja laserowa - opis stanowiska, rodzaje nacięć, zalety, wady.

  14. Korekcja piaskowa - opis, zalety, wady.

  15. Budowa warstwy rezystywnej cermetowej. Typowe charakterystyki rezystorów cermetowych (log R = f (v), R = f (T), ΔR/R= f (Δl/l), szumy.

  16. Mechanizmy przewodnictwa opisujące charakterystykę R = f(v) rezystorów cermetowych.

  17. Mechanizmy przewodnictwa opisujące charakterystykę R = f(T) rezystorów cermetowych

  18. Skład past polimerowych. Właściwości typowych polimerowych warstw grubych.

  19. Zalety i wady polimerowych warstw grubych.

  20. Przykłady zastosowań polimerowych warstw grubych.

  21. Grubowarstwowe elementy elektroluminescencyjne.

  22. Podział układów MCM (Multichip Module).

  23. Układy typu MCM-C - sposób wytwarzania, podstawowe właściwości. Porównanie układów TFM, HTCC i LTCC.

  24. Układy typu MCM-L - sposób wytwarzania, podstawowe właściwości..

  25. Układy typu MCM-D - sposób wytwarzania, podstawowe właściwości..

  26. Etapy wytwarzania układów LTCC.

  27. Właściwości fizykochemiczne ceramiki LTCC. Zalety i wady technologii.

  28. Elementy bierne wykonywane techniką LTCC - rezystory, cewki, kondensatory.

  29. Czujniki i mikrosystemy wykonywane techniką LTCC (cz. temperatury, ciśnienia, zbliżeniowe, gazu, mikrozawory, mikropompy, układy chłodzące i grzejne, mikroreaktory chemiczne, ogniwa paliwowe).

30. Obudowy LTCC.



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Smolensk Katastrofa ktorej nie bylo, SMOLENSKN 10 04 2010 MORDERSTWO W IMIE GLOBALIZACJI
klamstwo smolenskie MIEDZYNARODOWY SPISEK, SMOLENSKN 10 04 2010 MORDERSTWO W IMIE GLOBALIZACJI
65 lat temu NKWD aresztowało 16 przywódców Polskiego Państwa Podziemnego, SMOLENSKN 10 04 2010 MORD
Sprawozdanie 9 10 04 2012
10 04
TPL WYK 13 10 04 Trwałość zawiesin
KPC Wykład (10) 04 12 2012
notatki pracownia przebicie 10 04 11
2010.10.04 prawdopodobie stwo i statystyka
2001 10 04
10 04 28 chkol2id 10703
Smoleńsk - katastrofa Tupolewa. Fakty czy mity. Prawdy czy hipotezy, Katastrofa Smoleńsk 10.04.10
SMIERC PISLUDZKIEGO- PODOBIENSTWA I PRZEPOWIEDNIE, SMOLENSKN 10 04 2010 MORDERSTWO W IMIE GLOBALI
wyklad 8 10.04.2008, Administracja UŁ, Administracja I rok, Ustrój organów ochrony prawnej
wyk III intensywna terapia 19 10

więcej podobnych podstron