spr z cw 2

Politechnika Lubelska

Laboratorium elektroniki

Badanie właściwości impulsowych tranzystora.

Skład grupy:

  1. Szkoda Arkadiusz

  2. Kozdrój Mariusz

  3. Kędziora Grzegorz

Data wykonania ćwiczenia:

30.03.2014r.

  1. Cele ćwiczenia

Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z charakterem pracy tranzystora zastosowanego jako przełącznik. Należy określić punkty pracy tranzystora, odpowiadające granicy stanu zatkania i granicy stanu nasycenia. Badana jest praca tranzystora w układzie przełączającym, oraz wpływ stosowanych w praktyce układów w celu korekcji przebiegu wyjściowego.

  1. Wyznaczanie wartości prądu bazy na granicy nasycenia .

Układ pomiarowy do wyznaczania prądu bazy w funkcji współczynnika przesterowania

Zestawienie wyników pomiaru.

IB UCE
mA V
0 11
0,15 0,5

Wartość prądu bazy Ib = 0,15 mA przy napięciu odcięcia UCE =0,5 V

  1. Wyznaczenie wartości napięć sterujących przy których współczynnik przesterowania osiąga wartości.

Tabela pomiarowa nr. 2

KF IB UZ
- mA V
1 0,15 0,58
2 0,30 1,11
4 0,60 2,08
8 1,20 3,95
16 2,40 7,90

Wartość prądu bazy wyznaczona jest w punkcie 1 i została przemnożona przez współczynnik Kf celem określenia prądu bazy który posłużył do odczytania napięcia przesterowania Uz.

  1. Praca tranzystora w układzie przełącznika przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym.

Po ustawieniu napięcia przesterowania dla odpowiedniego współczynnika odczytywaliśmy czasy przebiegu wyjściowego tranzystora, czasy te zawarte są w tabeli poniżej.

Tabela pomiarowa nr. 3

KF UZ td tn tp to
- V ms ms ms ms
1 0,58 0,004 0,082 0,010 0,060
2 1,11 0,002 0,021 0,019 0,059
4 2,08 0,002 0,021 0,020 0,059
8 3,95 0,001 0,011 0,042 0,060
16 7,90 5*10-5 0,005 0,049 0,059

td - czas opóźnienia tp – czas przeciągania

tn - czas narastania to – czas opadania

Rysunek 1: Wykres dla wspólnych zależności: td/tn/tp/to=f(K) przy pracy napięciem jednobiegunowym.

Na podstawie tabeli na wspólnym wykresie podano zależności : td/tn/tp/to=f(K)

  1. Praca przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym. Badanie wpływu pojemności c przyśpieszającej na czas przełączania tranzystora.

Na podstawie tabeli na wspólnym wykresie podano zależności : td/tn/tp/to=f(K)

CB KF td tn tp to
pf - μs μs μs μs
100 1 1,1 22 22 28
2 2,1 13 6 17
4 4,3 10 25 7
8 0,4 2,9 7 1,6
16 0 1,5 1 1,6
500 1 1,2 17 3 15
2 1 11 4 9
4 0,6 7 8 6
8 0,3 1,5 9 4
16 0,2 1,5 8 2

Rysunek 1 : Wykres dla wspólnych zależności: td/tn/tp/to=f(K) przy wartości kondensatora Cb=100pF.

Rysunek 2: Wykres dla wspólnych zależności: td/tn/tp/to=f(K) przy wartości kondensatora Cb=500pF.

  1. Wyznaczanie wartości prądu wejściowego obwodu sterującego na granicy nasycenia tranzystora.

Wyznaczanie wartości napięć sterujących przy których współczynnik przesterowania osiąga złożone wartości.

KF IWE UZ
- mA V
1 0,5 11,3
2 2 8,5
4 7,8 0,01
8 8 0
16 9,5 0

Wnioski :

Wartości czasów trwania poszczególnych faz stanów przejściowych w procesie włączania i wyłączani zależą od właściwości dynamicznych tranzystora jak też od sposobu jego sterowania.

Stosując więc pewne modyfikacje układów można uzyskiwać skracanie poszczególnych czasów wiąże się to z użyciem pojemności przyśpieszającej która to polepsza przebiegi wyjściowe tranzystora.

Obecność pojemności w układzie bazy tranzystora powoduje skrócenie czasu opóźnienia oraz narastania i powoduje wydłużenie czasu przeciągania spowodowane to jest tym iż kondensator posiada pewien czas ładowani oraz rozładowywania który wpływa na pracę tranzystora. Wraz ze wzrostem pojemności czas włączania tranzystora ulega proporcjonalnemu skróceniu

Przełączanie tranzystora polega na przejściu chwilowego punktu pracy tranzystora ze stanu zatkania do stanu nasycenia , lub w kierunku odwrotnym wzdłuż linii prostej pracy tranzystora. Zależnie od kierunku, zmiana punktu pracy rozróżnia procesy włączania i wyłączania czyli przejścia z stanu zatkania do stanu nasycenia i odwrotnie.

Włącznie tranzystora polega na ładowaniu pojemności złączowych CjC i CjE tak, że napięcie na bazie przechodzi przez stan progowy z pewnym późnieniem, po osiągnięciu maksymalnej wartości tego napięcia prąd kolektora zaczyna gwałtownie narastać co wiąże się z pewnym opóźnieniem w stosunku do momentu skoku napięcia sterującego. Narastanie prądu kolektora ma charter wykładniczy , ze stała czasową określoną przez okres życia nośników


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
spr cw 11, Technologia chemiczna, semestr 2, Fizyka, Laboratorium, laboratoria fizyka bincia
spr cw 13
spr cw 11
spr cw 00
Spr Ćw 4
ZiP stacj spr ćw 9
ZiP stacj spr ćw 6
Sprawozdania z analizy instrumentalnej, ASA spr, Ćw
ZiP stacj spr ćw 9
ZiP stacj spr ćw 10
spr cw 51
spr ćw 3
spr cw 36, MIBM WIP PW, fizyka 2, FIZ 2, sprawka innych, 36 5pkt
spr cw 5 i 6, inzynieria chemiczna
PA spr ćw 3, Semestr 3, PA, Laboratoria
spraw. 1str ćw 5, Akademia Morska Szczecin Nawigacja, uczelnia, AM, AM, fizyka 1 semestr, xzz, Fizyk

więcej podobnych podstron