Układy krystalograficzne wg. Bravais’ego:

1. Trójskośny

2. Jednoskośny

3. Rombowy

4. Tetragonalny

5. Heksagonalny

6. Romboedryczny

7. Regularny

	Komórka prymitywna N=1
	komórka regularna przestrzennie centrowana (RPC) N=2
	Komórka regularna ściennie centrowana (RSC) N=4

Liczba atomów przypadająca na komórkę elementarną – wzór:

$$N = Nc + \frac{1}{2}Ns + \frac{1}{4}Nk + \frac{1}{8}\text{Nw}$$

Nc- w centrum, Ns – na ścianach, Nk – na krawędziach, Nw – na wierzchołkach

Płaszczyzny krystalograficzne wyznaczane są przez wskaźniki Miller’a:

1. Określić długość odcinków jakie płaszczyzna wyznacza na osiach układów współrzędnych

2. Zapisać odwrotności tych liczb

3. Sprowadzić zapisane liczby do wspólnego mianownika

4. Wskaźnikami płaszczyzny są liczby występujące w licznikach

Np.:

1)	X=2	Y=4	Z=4
2)	$$\frac{1}{2}$$	$$\frac{1}{4}$$	$$\frac{1}{4}$$
3)	$$\frac{2}{4}$$	$$\frac{1}{4}$$	$$\frac{1}{4}$$
4)	(2	1	1)

Struktura rzeczywista – jest określana przez defekty struktury:

1. Punktowe – luki powstałe w wyniku ruchu atomów (wakansy)

2. Powierzchniowe – granice ziarna: wąsko kątowe(do 15°), szeroko kątowe (powyżej 15°)

3. Błędy ułożenia – zaburzenia sekwencji występowania struktur

4. Liniowe – dyslokacje: krawędziowe, śrubowe i mieszane