Wiązania bezkier: jonowe(Kossel), metaliczne, van der Waalsa; układają się tak żeby osiągnąć stan o jak najniższej en i wypełnić najgęściej przestrzeń
Wiąz kier: kowalenc(Lewis), między dipolami trwałymi; przestrzenne rozmieszczenie ligandów wokół atomu centralnego jest uwarunk rozmieszcz orbitali wiążących
Elektroujemność-miara tendencji do przyciągania El przez AT danego pierw. Skala elektrouj wg Paulinga oparta na pomiarach en i polaryz wiązań prostych dwuat zw chem
Wiąz jonowe-at pierw bardziej el-dodatniego traci swoje El na rzecz AT pierw bardziej El-ujemnego; wytworzone jony przyciągają się siłami elektrostat, tworząc w przypadku ciał stałych uporządk strukturę-sieć przestrzenną
En sieciowa kryształu-en wyzwalająca się w czasie tworzenia wiązań łączących elementy strukturalne w sieć krystaliczną. Jako poziom zerowy przyjmuje się stan, w którym elementy strukt są nieskoń oddalone od Sb nie oddz ze Sb
Wiązanie koord-zw kompleksowe, kwasy tlenowe i ich aniony
F rozkł radialnego-szansa znalezienia AT(cząsteczki) w f odległości
ST skupienia: fazy płynne(plazma,gazowa,nadkrytyczna,ciekła: izotropowa, ciekłe kryszt),fazy stałe(krystal,kwazikrysz,amorficzna)
Kryształ-ciało stałe, w którym AT są rozmieszcz w 3 wymiarach w sposób periodyczny, uporządkow daleko zasięgowe oraz symetria translacyjna, co oznacza, że pewien ‘motyw’ zostaje przestrzennie powielony nieskończ wiele razy
Monokryszt-pojedynczy, brak granic międzyziarnowych, cała obj. Ciała posiada identyczne uporządk, choć występują w nim defekty
Polikryszt-ciała stałe zbudow z b.wielu monokryszt(krystalitów), ziarna kryst o przypadkowej orientacji przestrzennej, granice między tymi ziarnami stanowią nieciągłość periodycznej budowy sieci sąsiednich ziaren(defekt płaski)
Krystalit-monokrysz w skali mikro lub Nano, zwykle część polikrys
Materiał wielofazowy-jeśli ziarna w mat polikryst mają różną strukt lub różny skład chem
Granica fazowa-obszar graniczny(nm)pomiędzy dwoma ziarnami. właśc fiz gran faz mogą znacząco różnić się od właśc. Ziaren
Materiał kompozytowy-mat skład się z 2 lub więcej faz o różnych właśc. fiz
Polimorfizm-występ zw chem w różnych odmianach(krystalogr), dla pierw to zjawisko-alotropia
Sieć-matemat abstrakcja, strukturę kryst otrzymujemy gdy do każdego węzła sieci zostanie jednoznacznie przypisana baza AT.
230 grup przestrzennych-jednoznacznie opisujących wszystkie elementy symetrii niesk kryszt
Poprawna identyfikacja strukt krystal-podanie gr przestrzennej, rodzaju, ilości oraz pozycji AT(jonów) w kom elementarnej
Kwazikryszt-ciało stałe, w którym AT układają się w sposób nieperiod, ale i nieprzypadk,brak symetrii translacyjnej, występują niedozwolone dla kryszt 5-cio,8-10,12-krotne osie symetrii, posiadają zwykle niskie przewodnictwo cieplne i El
Ciekłe kryszt(mezofaza)-stan materii posiadający cechy wspólne ciał ST(uporząd dalekozas)i cieczy(płynność)
Faza nematyczna-brak uporz pozycyjnego,występuje uporz kierunkowe
Faza smektyczna-wyst pewien stopień uporz pozycyjnego: warstwy, uporz kierunk
Faza nematyczna chiralna(cholesterolowa)-skręt direktora nematycznego pomiędzy warstwami
Faza smektycznachiralna-łączy fazy smektycznej i fazy chiralnej
Możliwe drogi dyfuzji jonów: 1-wym tunele,2-wym płaszczyzny transportu,3-wym transport; minimalizacja ∆Hm (entalpii migracji nośnika)
Defekt-zaburzenie periodyczne uporządkowania AT w krysztale jest defektem;zaburzenie:poł AT, rodzaju AT, typ i rodzaj defektów zależy od mat, warunków(T) i sposobu, w jaki materiał został wytw
dzięki defektom:istnieje elektronika, metale ulegają odkształc plast i korozji wysokotemp, kryszt byłyby bezbarwne
dyslok krawędziowa-defekt sieci kryst polegający na wprow dodatk półpłaszcz sieciowej do kryszt niezaburz
linia dyslok-wzdł której kończy się dodatkowa płaszczyz sieciowa, jest prostopadla do płaszcz poślizgu,w pobliżu linii dyslok kryszt jest silnie odkszt,w wyniku czego zmieniają się właściw sprężyst
dyslok:plastyczne właśc ciał stałych, są to drogi szybkiej dyfuzji, mjsca energet korzystne dla zarodkowania nowych faz
hartowanie metali(kucie, walcowanie)-wprowadzamy zaburzenia sieci-dyslok,jeśli ich gęst jest wystarcz duża,to dyslok wchodzą Sb w drogę,uniemoż dalszy ich ruh i przez to czynią met mniej kowaln
dyslok kraw-mogą generować defekty pkt-mogą przyłączać lub uwalniać atomy(jony),co może mieć znaczenie dla właśc. Transp
opis dyslok:linie dyslokacji, wektor Burgersa(przesuwamy się o stałe sieci w prawo x-dół y-lewo x-góre y, jeśli trafimy do pkt pocz to jest to kryszt ideal)
gęstość dyslok-określa się linią dyslok, które przecinają jednostkę pow. Gęst ta =100/cm2 do1012/cm2
dyslok śrubowa-istotny wpływ na przebieg procesu krystalizacji(mniejsza en aktywacji)
dyslok mieszane-krawędziowe+śrubowe, w innych częściach kryszt
segregacja-wyrzucanie wszelkich obcych AT i międzywęź z wnętrz ziaren do obsz granic międzyziarn(swoisty śmietnik) w wys T
defekty termodyn nieodwracalne-gęst dyslok,ich rodzaj i config, struktura granic międzyziarn zależą od sposobu w jaki zostały one wprowadz do materiału
def pkt-jedyne termodyn odwracalne-ich stęż jest jednoznacznie określ przez podanie liczby niezależnyc od Sb param int(T,p,skład)
def pkt-wpływ na:przewodn El,właśc katalit,właśc. Półprzew, optyczne(zmieniają kolor kryszt)
∆Sk-człon decydujący o znaku ∆Gf, reprezent tendencję ukł do samorzutn osiągn max prawdopod termodyn-stanu max nieuporządk
W-prawdopod termodyn-liczba możliwych, rozróżniających sposobów, na jakie n defektów można rozmieścić w strukt, zaw N+n możliwych poł węzłowych $W = \frac{\left( N + n \right)!}{N!n!}$ osiągn min: $\left| \frac{d({H}_{f})}{\text{dn}} \right| = \left| \frac{d({TS}_{K})}{\text{dn}} \right|$
W wielofazowym ukł hetero gen stan równowagi wyraża się równością potencjałów chem każdego skł ukł we wszystkich fazach
Elektrolity stałe:przewodn czysto-jonowe,przewodzą poprzez 1 rodzaj jonów,zastos:ogniwa El-chem(źr en,sensory),separuje elektronowo elektrody ogniwa,idealne ogniwo(zewn prąd Elektronowy=wewn prąd jonowy),istn składowej El przewodn obniża wydajność ogniwa-źr en
Termodyn stabilność elektrolitu jest osiągana:dno pasma przewodn elektrolitu znajduje się powyżej obsadzonych stanów elektronowych w mat anodowym;wierzchołek pasma walenc elektrolitu leży poniżej nieobs ST elektr w mat kat;oznacza to że transfer El pomiędzy mat elektrodowymi a elektrolitem powinien być niemożliwy;jony ruchliwe są jonami pracującymi w ogniwie stałym;stabilność mechaniczna,szczelność;dobre właśc. Termomech;niski koszt mat i wytworz;okno elektrochem elektrolitu i mech przewodn:t=σ/σ≈1
Elektrolity stałe:fluorki,tlenki,chlorki
∆Hg słabo zal od temp
Model Drudego:El.walenc w met jako gaz El porusz się swobodnie po całej obj ciała;El napotykają jony met, z którymi się zderzają i rozpraszają w różnych kier;śr droga między zderzeniami(droga swobodna)jest porówn z odl między jonami, jest rzędu 1Å
λ=h/p, p=mv
rozpraszanie El nie odbywa się na jonach ale na zaburzeniach idealnej periodyczności sieci(domieszki,defekty struktury,termiczne drgania sieci(fonony)) w niskich temp zanikają drgania termiczne sieci-fonony
potencjał chem el≡poziom Fermiego EF
sposoby opisu El walenc:teoria pola krystal-każdy el jest zlokalizow na AT i posiada en bliską tej na odpow. Dyskretnym poziomie atomowym);teoria pasmowa-oddziaływania pomiędzy sąsiednimi AT są na tyle duż, iż każdy El pozostaje pod wpływem potencjału periodycznego ukł AT i staje się zdelokal,rozpatruje się dynamikę pojedynczego El w periodycznym polu jonów oaz w śr polu pozostałych El)
polaron-stan zlokalizowanych El spułapkowanych przez zaburzenie sieci;promień polaronu nie przekracza stałej sieci-mały polaron
pojawieniu się polaronów(w kryszt jonowych i polarnych) towarzyszy wzrost masy efektywnej nośników, nawet do 100 me
Rc=[3,20-0,05m-0,03(Z-ZTi)-0,04s(s+1)]Å RM-M<RC właśc. Metaliczne RM-M>RC –właśc niemetal.
Polimery: mała gęstość, izolacyjne właśc. Cieplne i elektr(wyjątek-polimery przewodzące prąd El), słabo odbijają światło i często są przezroczyste, wiele polim jest giętkich i odkształcalnych, nie nadają się do pracy w podwyższonej temp
Polimery:plastomery(charakt się wydłużen przy rozerwaniu zwykle nieprzekraczającym 200%:polim termoplast,polim utwardzalne), elastomery(cechują się skłonnością do dużych odkształceń sprężystych-powracają do pierwotnej postaci po dużych odkszt)
Polim zwykle z ropy naft. Monomery łączone są w makrocząstki podczas polikreacji(polimeryzacja,kopolimeryzacja, polikondensacja, poliaddycji)
Ceramika: średnia\duża gęstość,często izol własn cieplne i El (z wyjątkiem niektórych mat z gr ceramiki specjalnej), mat ceramiczne często cechują się dużą twardością, lecz też dużą kruchością(niska odporność na pękanie), duża gr mat nadaje się do pracy w wys temp
Ceramika-mat nieorg niemet,wytwarzana w wysokotemp procesach związanych z przebiegiem nieodwracalnych reakcji.(również szkło i beton)
Mat ceramiczne: ceram inżynierska,cermetale,ceram porowata, szkła, ceram szklana
Kompozyty:dzielimy ze wzgl na osnowę metalową, polimerową lub ceramiczną
Wykresy Ashby’ego-porównanie różnych własności podst gr mat, obszerne bazy danych zaw inf o różnych mat i ich właśc
Odporność na kruche pękanie KK-ciągliwość mat
Wytrzymałość-granica plastyczności(metale,stopy, polimery),wytrzymałość na ściskanie(ceramika),na rozerwanie(elastomery), na rozciąganie(kompozyty)
Moduł sprężystości wzdłużnej zależy od sztywności wiązań międzyat
Dobór mat: stabilny cieplnie, chem, mech w war eksploat, nominalne napręż kontaktowe nie powinny przekraczać gran spręż mat, twardość mat wyższa od czynnika ścierającego (w war zużycia ściernego), war użytk muszą być dostos do możliw zastos mat
Energochłonność właściwa – iloczyn en na wytworzenie mat odniesiona do 1kg i gęst
Inne badane własności:statyczne,dynamiczne,zmęczeniowe, obciążenie stałe i długotrwałe (wszystkie bad w różn temp)
Udarność(próby dynam, zginanie udarowe)-polega na złamaniu jednym uderzeniem młota wahadłowego Charpy’ego próbki z karbem podpartej swobodnie na obu końcach i pomiarze pracy jej złamania. Wynik-zużyta praca K na złamanie próbki.
Udarowa próba rozciągania(młot opadowy)
Proces pękania: zarodkowanie (inicjacja) pęknięć, rozprzestrzenianie się (propagacja) pęknięć o wielkości krytycznej lub większej