2010-02-10

1) W modelu małosygnałowym diody pn jej rezystancja różniczkowa zależy od: 
a)amplitudy prądu prądu diody 
b)napięcia stałego w punkcie pracy 
c)amplitudy napięcia na diodzie oraz amplitudy prądu diody 
d)napięcia dyfuzyjnego (bariery) 
  
2) Transkonduktancja idealnego tranzystora MOS w zakresie pentodowym zależy od: 
a) napięcia stałego dren-źródło 
b)amplitudy prądu drenu 
c)współczynnika wzmocnienia prądowego β tranzystora 
d)stałego prądu drenu 
  
3) W zakresie podprogowym prąd drenu tranzystora MOS: 
a) zależy wykładniczo od napięcia bramka-źródło 
b)zależy potęgowo od napięcia bramka-źródło 
c)jest równy zeru dla napięć bramka-źródło mniejszych od napięcia progowego 
d)jest równy zeru dla napięć bramka-źródło większych od napięcia progowego 
  
4)Nowe dielektryki bramkowe w krzemowych układach scalonych powinny charakteryzować się: 
a)występowaniem zjawiska dyspersji częstotliwościowej dla małych częstotliwości 
b)dużą wartością względnej przenikalności elektrycznej 
c)małą wartością względnej przenikalności elektrycznej 
d)małą wartością rezystywności skrośnej 
  
5)Ograniczenia szybkości działania unipolarnych układów scalonych przy ich skalowaniu są wynikiem: 
a)wzrostem prądu drenu tranzystorów MOS w zakresie pentodowym 
b)wzrostem grubości dielektryka bramkowego 
c)maleniem koncentracji domieszek w podłożu 
d)większej liczby warstw metalizacji 
  
6)Procesem prowadzącym do powstania podłoża pasywnego z SiO Błąd! Nie podano nazwy pliku. w układach SOI jest: 
a)homoepitaksja 
b)heteroepitaksja 
c)dyfuzja 
d)implantacja 
  
7)Wzrost ruchliwości nośników można w układach scalonych uzyskać przez: 
a)silniejsze domieszkowanie obszarów półprzewodnika 
b)wykorzystywanie naprężeń mechanicznych 
c)pracę układu w wyższej temperaturze 
d)prace tranzystorów MOS w zakresie podprogowym 
  
8)Samocentrowanie bramki w scalonych układach MOS powoduje: 
a)wzrost pojemności bramka-źródło 
b)wzrost transkonduktancji tranzystora 
c)zmalenie pojemności dren-bramka 
d)zmalenie długości kanału 
  
9)Proces dyfuzji może być stosowany do : 
a)wytwarzania warstw dielektryka bramkowego SiO Błąd! Nie podano nazwy pliku. 
b)równomiernego domieszkowania podłoża 
c)wytwarzania obszarów drenu i źródła tranzystora MOS 
d)wytwarzania metalizacji obszaru bramki tranzystora MOS 
  
10)Rozdzielczość technologii półprzewodnikowych układów scalonych jest głównie ograniczona przez: 
a)proces litografii 
b)proces trawienia 
c)proces utlenienia 
d)proces wygrzewania 
  
11)W scalonych układach CMOS moc statyczna: 
a)rośnie wykładniczo ze wzrostem temperatury 
b)maleje z wprowadzeniem nowych technologii o lepszej rozdzielczości 
c)maleje wskutek wzrostu częstotliwości pracy układów 
d)rośnie wskutek wzrostu częstotliwości układów 
  
12)Inwertor CMOS składa się z: 
a)tranzystora npn oraz tranzystora pnp 
b)dwóch tranzystorów NMOS 
c)dwóch tranzystorów unipolarnych MOS normalnie wyłaczonych
d)dwóch tranzystorów polowych JFET o przeciwnym typie przewodnictwa w kanale 
  
13)Scalone układy ASIC: 
a)układy wytwarzane na specjalne zamówienie klienta 
b)układy wytwarzane przede wszystkim z węglika krzemu (SiC) 
c)układy wytwarzane jedynie z krzemogermanu 
d)układy wytwarzane głównie jako układy SSI (small scale intergration) 
  
14)Krzemogerman stosuje się przede wszystkim do wytwarzania: 
a)elementów pracujących w wysokich temperaturach 
b)elementów mocy, stosowanych w układach do przetwarzania energii elektrycznej. 
c)elementów mikrofalowych 
d)półprzewodnikowych czujników wielkości nieelektrycznej 
  
15)Tranzystory HEMT (high electron mobility transistor) to: 
a)elementy bipolarne 
b)elementy unipolarne ??? 
c)elementy optoelektroniczne 
d)elementy dużej mocy 
  
16)Arsenek galu posiada w stosunku do krzemu: 
a)większa wartość koncentracji samoistnej w temperaturze 300K
b)większa wartość przerwy energetycznej 
c)mniejszą wartość ruchliwości elektronów 
d)mniejsza wartość przerwy energetycznej 
  
17)W bipolarnych tranzystorach z krzemogermanu naprężenie mechaniczne powstają w dzięki: 
a)niedopasowaniu stałych sieci krzemogermanu i krzemu 
b)niedopasowaniu stałych sieci krzem i dwutlenek krzemu 
c)różnych szerokości przerwy energetycznej w germanie i krzemie 
d)powstanie silnego pola elektrycznego w bazie tranzystora 
  
18)Węglik krzemu (SiC) jest obecnie głównie wykorzystywany do konstrukcji: 
a)układów scalonych VLSI 
b)bipolarnych tranzystorów heterozłączowych 
c)układów cyfrowych dla zakresu mikrofal 
d)indywidualnych elementów mocy 
  
19)Współczynnika jakości układów cyfrowych to iloczyn: 
a)czas życia nośników i mocy statycznej 
b)czas przelotu nośników przez kanał i mocy dynamicznej 
c)czas propagacji i mocy statycznej 
d)czas propagacji i mocy dopuszczalnej 
  
20)W tranzystorach MESFET z arsenku galu obszaru kanału jest odizolowany od obszaru bramki: 
a)przez zaporowo spolaryzowane złącze pn 
b)przez warstwę dielektryka w postaci dwutlenku krzemu 
c)przez zaporowo spolaryzowane złącze metal-półprzewodnik 
d)przez warstwę dielektryka w postaci azotku krzemu