PRAWDA CZY FAŁSZ??

1. Pólprzewodnik samoistny ma w przybliżeniu taką samą koncentrację

swobodnych elektronów i dziur - P

2. Si i GaAs są półprzewodnikami prostą przerwą energetyczną - F

3. Półprzewodniki ze skośną przerwą energetyczną bywają stosowane do produkcji diod LED - F

4. Krzem typu 'p' otrzymuje się dzięki dodatkowemu wprowadzaniu atomów z V grupy układu okresowego-F

5. Ge(x)Si(1-x) jest półprzewodnikowym związkiem chemicznym - F

6. Przy polaryzacji złącza w kierunku przewodzenia prąd jest sumą nośników prądu nośników większościowych i mniejszościowych- F

7. Przy polaryzacji słabo domieszkowanego złącza w kierunku zaporowym, prąd praktycznie nie zależy od przyłożonego napięcia - P

8. Prąd płynący w złączu p-n zależy od kwadratu temperatury i przyłożonego napięcia - F

9. Szerokość warstwy zaporowej złącza jest tym szersza im większy jest stopień

domieszkowania - P

10. Obszary bazy, kolektora i emitera mają takie same rozmiary - F

11. W tranzystorze przy braku prądu bazy (Ib=0) nie płynie również prąd kolektora

(Ic=0) - P

12. Zjawisko przejścia tunelowego nośników przez złącze zachodzi bez zmiany ich energii - P

13. Diodę Zenera stosuje się do stabilizacji prądu - F

14. W tranzystorze polowym prąd drenu tworzą tylko elektrony lub tylko dziury - P

15. Tranzystor w stanie aktywnym ma złącze BE spolaryzowane w kierunku zaporowym, a złącze BC w kierunku przewodzenia F