Pamięciami półprzewodnikowymi nazywamy cyfrowe układy scalone przeznaczone do przechowywania większych ilości informacji w postaci binarnej. Pojemnością pamięci nazywamy maksymalną ilość informacji, jaką możemy przechowywać w danej pamięci. Czasem dostępu do pamięci w przypadku operacji odczytu nazywamy czas, jaki musi upłynąć od momentu podania poprawnego adresu odczytywanego słowa w pamięci do czasu ustalenia się poprawnej wartości tego słowa na wyjściu pamięci, lub w przypadku operacji zapisu - czas jaki upłynie do momentu zapisania wartości do tego słowa z wejścia pamięci. Pamięcią o dostępie swobodnym nazywamy pamięć, dla której czas dostępu praktycznie nie zależy od adresu słowa w pamięci, czyli od miejsca, w którym jest przechowywana informacja. Pamięcią RAM nazywamy pamięć półprzewodnikową o dostępie swobodnym przeznaczoną do zapisu i odczytu. Pamięć RAM jest pamięcią ulotną, co oznacza, że po wyłączeniu jej zasilania informacja w niej przechowywana jest tracona. pamięci dynamiczne - DRAM, pamięci statyczne - SRAM. Adresem nazywamy niepowtarzalną liczbę (numer) przypisaną danemu miejscu (słowu) w pamięci w celu jego identyfikacji. Słowem w pamięci nazywamy zestaw pojedynczych komórek pamięci, do którego odwołujemy się pojedynczym adresem. Długością słowa w pamięci nazywamy ilość bitów w pojedynczym słowie. Organizacją pamięci nazywamy sposób podziału obszaru pamięci na słowa. Istnieją cztery podstawowe sposoby odświeżania pamięci dynamicznych RAM: - sygnałem RAS, - sygnałem CAS przed RAS, - odświeżanie ukryte, - autoodświeżanie. Tryby odstępu do pamięci: - tryb stronicowania - stosowany w celu przyspieszenia współpracy z pamięciami DRAM, - tryb seryjny - stosowany do współpracy pamięci głównej z pamięcią cache. Aby umożliwić szybką wymianę i rozbudowę pamięci DRAM, umieszczane są one w tak zwanych modułach. Obecnie spotykamy się z dwoma rodzajami modułów: SIMM o szerokości magistrali danych 32 bity oraz DIMM o 64-bitowej magistrali danych w których stosuje się układy SDRAM. Pamięć ROM jest pamięcią nieulotną, przeznaczoną tylko do odczytu. Nieulotność oznacza, że po wyłączeniu napięcia zasilania tej pamięci, informacja w niej przechowywana nie jest tracona Podstawowe typy pamięci ROM: - MROM - pamięci, których zawartość ustalana jest w procesie produkcji i nie moŜe być zmieniana. - PROM - pamięć jednokrotnie programowalna. Użytkownik może jeden raz zmienić zawartość tej pamięci. Obecnie nie używana. - EPROM - pamięć wielokrotnie programowalna. Kasowanie odbywa się drogą naświetlania promieniami UV. Kasowanie i programowanie wykonuje się poza systemem za pomocą specjalnych urządzeń. Pamięć ta wychodzi z użycia. - EEPROM - pamięć wielokrotnie programowalna metodą elektryczną. Kasowanie i programowanie odbywa się na drodze czysto elektrycznej. Pamięć NVRAM stanowi połączenie pamięci SRAM z pamięcią EEPROM. Może być ona zapisywana i odczytywana. Zapewnia to zachowanie zawartości tej pamięci po wyłączeniu napięcia zasilania. System pamięci cache składa się z trzech elementów: - banku danych pamięci cache, - katalogu pamięci cache, - sterownika pamięci cache.

ROM (Read Only Memory) Pamięć tylko do odczytu, w normalnych warunkach nie zapisywalna. Nie traci zawartości po odłączeniu zasilania. RAM (Random Access Memory) Pamięć o dostępie swobodnym, można ją zapisywać i odczytywać. Traci zawartość po odłączeniu zasilania. DRAM (Dynamic RAM) Pamięć dynamiczna, wymagająca cyklicznego odświeżania zawartości komórek. SRAM (Static RAM) Informacja zawarta w tej pamięci jest podtrzymywana przez nie przerwanie płynący prąd spoczynkowy. Dzięki temu wyeliminowano konieczność odświeżania, co znacznie skróciło czas dostępu. FPM DRAM (Fast Page Mode) Wychodzący obecnie z uŜycia DRAM, charakteryzujący się stosunkowo długim czasem dostępu - najczęściej 70 ns. Komórki pamięci zorganizowane są w grupy (strony), w myśl zasady iż najczęściej odczytywana jest następna komórka, a dostęp do komórek znajdujących się na tej samej stronie jest znacznie szybszy niż w innym przypadku. Może optymalizować odczyt danych, które występują na tej samej stronie (row). EDO DRAM (Extended Data Out) Obecnie najbardziej popularny, czas dostępu wynosi do 50 ns. Funkcjonuje podobnie do FPM, może jednak wyznaczać kolejny adres zaraz po rozpoczęciu odczytu poprzedniej komórki. Taki rezultat osiągnięto dzięki zmodyfikowaniu sygnału CAS i nie blokowaniu wyjść (data-out) w czasie transmisji (przy wysokim zboczu CAS). SDRAM (Synchronous DRAM) Sukcesor EDO, synchronizuje się z taktem zegara systemowego. Dane przesyłane są w seriach (burst). BEDO RAM (Burst EDO RAM) Połączenie techniki "Burst" i EDO RAM, zawierające dwustopniowy potok (pipeline). CAS (Column Address Strobe) „bramkowanie adresu kolumny” lub „wybór adresu kolumny”. Adresy te odnoszą się do kolumny fizycznych komórek pamięci w tablicy kondensatorów używanych w dynamicznej pamięci RAM (DRAM). CAS latency (CL), „czas oczekiwania CAS” Oznacza czas (liczbę cykli zegara) jaki upływa między wysłaniem przez kontroler pamięci żądania dostępu do określonej kolumny pamięci a odczytaniem danych z tej kolumny na wyprowadzeniach modułu pamięci. DIMM (Dual-Inline Memory Module) Moduły pamięci na karcie ze 168 stykami. Pracują z szyną adresową o szerokości 64 bitów. SIMM (Single-Inline Memory Module) Standard konstrukcyjny o 32 stykach; szyna danych ma szerokość zaledwie 8 bitów. Pojęcie to czasem używane jest również w odniesieniu do modułów PS/2. PS/2 moduł 72 stykowy standard konstrukcyjne używany w pamięciach EDO RAM i FPM RAM. Dostęp odbywa się poprzez szynę adresową o szerokości 32 bitów. Cache Szybka pamięć buforowa, zwana też pamięcią podręczną, w której tymczasowo i "na zapas" przechowywane są dane z innego wolniejszego nośnika danych. Cache Hit Sytuacja występująca, gdy żadne przez CPU dane i adresy są już w Cache'u. Ponieważ nie jest potrzebny wtedy dostęp do (właściwej) pamięci wydajność komputera wzrasta. Cache Miss Okoliczności występujące gdy żadanych przez procesor danych lub adresów nie ma w buforze. Niezbędny jest dostęp do (właściwej) pamięci co spowalnia pracę CPU. Direct Mapped jedna z technologii wykonania pamięci buforowej. W tym przypadku dane przyjmowane są tylko z określonego zakresu pamięci operacyjnej. Powoduje to niekiedy pogorszenie wydajności systemu. Write-Back Jeden z trybów zapisu danych z pamięci buforowej do pamięci operacyjnej. W trybie tym dane przepisywane są z bufora z opóźnieniem: trafiają tam dopiero wtedy, gdy "muszą", czyli gdy bufor jest przepełniony lub gdy procesor lub inne urządzenie próbuje bezpośrednio odwołać się do pamięci operacyjnej. Write-Through Każda zmiana zawartości bloku cache'u zostaje natychmiast zapisana w pamięci operacyjnej. Metoda ta jest bezpieczniejsza (nie ma ryzyka wystąpienia rozbieżności pomiędzy zawartością pamięci buforowej i operacyjnej), ale i nieco wolniejsza, więc większość systemów stosuje Write- Back.

---