62 wzory

:    ,v.

X = —— - efekt modulacji długości kanału

^ .-ł

b= --r-KUp-u^ju*- j-U,/]    •

franskonduktancja:

dla obszaru triodowego

2./

DSS

-u,

(1

u

&

u.

)

■“ “ /’

Warunek na nasycenia tranzystora : U_{j_s = U_2S - Up

,v-. cc- -

/

nc^y-t

\^nai

W V

— [(U_gs-U_t

iD ^_ M-n Q>x

Tranzystory NMOS:

napięcie progowe 1

)Uds —Uds' ] - ob. triodowy u_n - ruchliwość elektronów

Cox - poj. jednostkowa materiału izolacyjnego

K_n’ = p_n Cox - współczynnik propagacji

1 W    ₂

id - — K_n’ — ( U_gs - Uj )    - ob. nasycenia

1 , W    ,

io - — K* -j~( Ugs - Uj )" ( 1 + XUds )-z uwzględnieniem wpływu modulacji długości kanału Modele małosygnałowe:

Model typu T

G '_s⁼⁰

o

-o

D

-O

D |

A

¹ k • ^ I^K* T

' \

' 9X

ss

y

V:

/

G

O—

+

\L

GS

•W

r_Q

u-

a.

ŁS

A

Tvrvstor czterowarstwowt

Ja

^ J0302

l-(a, +a₂)

- prąd wpływający wypływający z tyrystora