Laboratorium Elektroniki cz II 3

Laboratorium Elektroniki cz II 3



104


Rys. 4.19. Schemat blokowy generatora z połową mostka Wiena


Rys. 4.20. Schemat blokowy generatora z mostkiem Wiena (por. rys. 4.17)


wiednio większym wzmocnieniu K'u. Schemat blokowy takiego układu, w którym wykorzystuje się już pełny mostek Wiena-Robinsona. pokazano na rys. 4.20a. Pętlę dodatniego sprzężenia zwrotnego tworzą tu gałęzie RC (szeregowa i równoległa), a pętlę ujemnego sprzężenia niezależnego od częstotliwości gałęzie rezystorowe (rezystory Rt i R2) - por. rys. 4.17.

Pętla ujemnego sprzężenia zwrotnego o transmitancji p„ powoduje przesunięcie w lewo charakterystyki amplitudowo-fazowej z rys. 4.18b, co w rezultacie prowadzi do uzyskania charakterystyki przedstawionej na rys. 4.21a.

Pełny mostek Wiena ma dla pulsacji rezonansu pozornego ca0 transmitancję P' równą:

ur=ua    ub_1    R2    (4.22}

u u    u 3    R,+R2

Mostek jest w równowadze, gdy Ur = 0, czyli gdy

Rz    = 1    (4.23)

R, +R2    3

a więc przy spełnieniu warunku — = 2 (rys. 4.21a). Jest to, oczywiście, przypadek.

R2

który nie może być wykorzystany do budowy generatora.

Mi sio!

o)    b)    ■


Rys. 4.21. Charakterystyki mostka Wiena: a) charakterystyki amplitudowo-fazowe, b) fazowe charakterystyki częstotliwościowe (1 - mostka Wiena, 2 - obwodu rezonansowego LC o dobroci Q = 10)

Generator o dobrych parametrach można uzyskać przy nieznacznym odstrojeniu mostka od stanu równowagi, co można zapisać następująco:

(4.24)


R, „

r7 s

gdzie 0 < e « 1.

Transmitancja wypadkowa dla pulsacji co0 wynosi wówczas

p'-r


1


1


1


1 +


R, 3 1 + (2 + e)


(4.25)


Układ jest więc bliski równowagi, a wypadkowe sprzężenie zwrotne jest dodatnie.

Charakterystyka fazowa układu jest tym bardziej stroma w okolicach punktu co0 (a więc tym większa jest dobroć fazowa Qf), im mostek Wiena jest bliższy stanowi zrównoważenia (stąd przyjęty warunek e « 1). Przykładowy przebieg częstotliwościowej charakterystyki fazowej rozstrojonego o e mostka Wiena przedstawiono na tys. 4.21b. Ważną zaletą tego układu jest fakt, że przesunięcie fazowe nie jest ograniczone jedynie do zakresu ±90°, ale rośnie do 180°. W wyniku tego dla harmonicznych częstotliwości drgań własnych f0 układ posiada ujemne sprzężenie zwrotne, a więc harmoniczne te są silne tłumione.

Układ generatora z mostkiem Wiena pracującym przy nieznacznym rozstrojeniu wymaga zastosowania wzmacniacza nieodwracającego fazy o dużym wzmocnieniu. Zauważmy bowiem, że gdy przykładowo e = 0,01, to tłumienie obwodu sprzężenia krotnego wynosi:


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Laboratorium Elektroniki cz II 3 24 5. Osie układu współrzędnych muszą być opisane, tzn obok osi
Laboratorium Elektroniki cz II 5 28 Rys. 1.2. Prostownik pełnookresowy z obciążeniem rezystancyjn
Laboratorium Elektroniki cz II 8 34 Rys. 1.8. Prostownik pełnookresowy obciążony obwodem równoleg
Laboratorium Elektroniki cz II 1 40 Rys. 1.13. Przykładowe charakterystyki statyczne diod prostow
Laboratorium Elektroniki cz II 3 Ćwiczenie 2 UKŁADY TYRYSTOROWE2.1.    Cel ćwiczen
Laboratorium Elektroniki cz II 3 Ćwiczenie 3 TRANZYSTOROWY WZMACNIACZ MOCY 3.1. Cel ćwiczenia W t
Laboratorium Elektroniki cz II 5 68 Rys. 3.2. Wzmacniacz przeciwsobny o symetrii komplementarnej
Laboratorium Elektroniki cz II 9 76 Rys. 3.11. Wzmacniacz klasy A jako układ sterujący: a) schema
Laboratorium Elektroniki cz II 0 78 Rys. 3.14. Wykorzystanie statycznego źródła prądowego jako ob
Laboratorium Elektroniki cz II 3 84 d)    Przebadać wpływ napięć zakłócających. W
Laboratorium Elektroniki cz II 3 124 to można stosować diody stabilizacyjne z zakresu napięcioweg
Laboratorium Elektroniki cz II 6 130 Rys. 5.12. Charakterystyka ogranicznika prądowego z redukcją
Laboratorium Elektroniki cz II 1 200 Rys. 9.12. Schematy do badania układów całkujących z wykorzy
Laboratorium Elektroniki cz II 3 224 dzie obok prądu nasycenia ls prądów generacyjnego i rekombin
Laboratorium Elektroniki cz II 3 204 operacyjnych. Istnieją też specjalizowane monolityczne lub h
Laboratorium Elektroniki cz II 7 112 2.    W celu ułatwienia porównania parametrów
Laboratorium Elektroniki cz II 0 58 2.2.3. Układ regulacji natężenia prądu obciążenia Na rys.2.10
Laboratorium Elektroniki cz II 7 92 Meissnera z tranzystorem pracującym w układzie OE z zasilanie
Laboratorium Elektroniki cz II 0 98 nym z ogniw typu RC lub CR (rys. 4.11). Pojedyncze ogniwo wpr

więcej podobnych podstron