płotkowe koło

I    .Typowy pionowy tranzystor bipolarny ma następujące profile rozkładu domieszek:

Ajskokowe złącze emiterowe, liniowe złącze kolektorowe

2. Typowy boczny tranzystor bipolarny ma następujące profile rozkładu domieszek:

D) oba złącza liniowe

3. Aby tranzystor NPN pracował w zakresie aktywnym normalnym złącza jego muszą mieć polaryzację:

A)    UCB>0 i UEB<0

4. Który parametr tranzystora bipolarnego decyduje o moŚliwości uzyskania wzmocnienia napięciowego:

B)    gm

5. Napięcia przebicia złączy typowego epiplanamego tranzystora bipolarnego są równe:

A)    UEB(BR) 7V, UCB(BR)»7V

6. Typowa wartość współczynnika pp tranzystorów warstwowych NPN małej mocy jest równa:

B)    50-600

7. Współczynniki pp i aa tranzystora bipolarnych są powiązane zaleŚnością:

B) b-.^

8. Kolektor tranzystora w zakresie aktywnym normalnym mośe być dla prądów stałych traktowany jako zacisk źródła:

B)    prądowego z konduktancją wewnętrzną uwarunkowaną efektem Earie'go

9. Współczynnik p tranzystora bipolarnego zmienia się przy wzroście prądu kolektora następująco:

Djwzrasta w zakresie bardzo małych prądówjest praktycznie niezaleśny w zakresie średnich wartości prądu i maleje w zakresie bardzo duśych wartości prądu.

10. W konfiguracji pracy tranzystora o wspólnym emiterze:

C) baza jest elektrodą wejściową, kolektor wyjściową

II    .Gdy oba złącza tranzystora mają polaryzację wsteczną, tranzystor jest w stanie:

C) odcięcia

12Prąd bazy w zakresie aktywnym w warunkach statycznych zależy od napięcia UBE:

B)    wykładniczo

13. Który zestaw parametrów jest wystarczający do pełnego opisu charakterystyk statycznych idealnego tranzystora bipolarnego i nie zawiera nadmiaru:

A) pp, ICEO, B) aaN, aal, IS, C) aa, ICBO, ICEO, D) aaN, aal, ICBO, ICEO.

14. Moc admisyjna tranzystora dla Ta>300K zmienia się przy wzroście temperatury otoczenia następująco:

C)    maleje

15.    Jakie relacje są pomiędzy CE i CC w typowym punkcie pracy zakresu aktywnego normalnego:

B)    CE»CC

16. Efekt Earle'go opisuje zmiany:

A)IC przy zmianie UCE spowodowane modulacją grubości bazy

17. Minimalny zestaw elementów małosygnałowego układu zastępczego idealnego tranzystora bipolarnego dla małych częstotliwości składa się z:

A) gbe i gm

18. Rezystancje szeregowe tranzystora bipolarnego mają zwykle wartości:

A)    rEE<rCC«rBB

19Jak zmienia się UBE przy stałym prądzie kolektora w zakresie aktywnym normalnym przy wzroście temperatury:

B)    maleje o ok. 2mV/K

20. Która z pojemności tranzystora decyduje o zależności h21 e(f):

B) CE

21 .Przesterowanie bazy tranzystora w kierunku przewodzenia powoduje:

Ajwzrost czasu przeciągania i zmalenie czasu włączenia

22. Prąd ICEO tranzystora zmienia się przy wzroście temperatury następująco:

A) wzrasta wykładniczo,    B) maleje wykładniczo,

C)    wzrasta liniowo,    D) nie zmienia się.

23.    Jak fT zmienia się przy wzroście prądu IC w zakresie aktywnym normalnym:

A) praktycznie nie zmienia się

24. Czego dotyczy efekt Millera w tranzystorze PN

Ajwzrostu pojemności wejściowej tranzystora pracującego w układzie WE 25,Od jakich czynników zaleśy wartość maksymalnej częstotliwości generacji tranzystora:

A) tylko fT,    B) fT i gm,    C) fT, rBB i CjC,    D)fTih21E.

25. Współczynnik szumów (F) tranzystora ze wzrostem częstotliwości:

A) nie zmienia się,    B) wzrasta,

C)    maleje, D) maleje w zakresie małych częstotliwości, jest stały w zakresie średnich częstotliwości i wzrasta w zakresie duśych częstotliwości.

26. Czym odróżniają się tranzystory Darlingtona od klasycznego pionowego tranzystora bipolarnego:

A) duśym F,    B) duśym fT, C) dużym h21E,    D) małym ICEO.

27. Czym odróżniają się tranzystory Schottky'ego od klasycznego pionowego tranzystora bipolarnego:

A) małym F,    C) małym czasem przeciągania (magazynowania),

D)    małym UBEF, D) duśym fT.

Rosrlązanie:

Gdy elektrony poruszają się z prędkością nasycenia natężenie prądu drenu w obszarze Różniczkując tę zależność względem f'_5S* otrzymujemy wielkość nnnskonduktancii