233

233



A HibUl. IM1U.1 .Vvu    r ), buui :uO

ISBN D4H1II ł-7. © by »N TOS >«}

7 12 TEORIA PASMOWA CIAŁA STAŁEGO METALE, PÓŁPRZEWODNIKI I IZOLATORY 233

kowalencyjne, w których uczestniczą jego cztery elektrony walencyjne. Piąty elektron pozostaje natomiast nie związany (schemat IV) i potrzebuje dostarczenia niewielkiej porcji energii, aby przemieścić się na sąsiedni atom krzemu, czyli stać się elektronem swobodnym (schemat V).

S's. -Sl

>0<>

IV

V

Atom arsenu dostarczający elektronów do pasma przewodnictwa nosi nazwę centrum donorowego. W obecności centrów donorowych liczba swobodnych elektronów jest znacznie większa od liczby swobodnych dziur, Swobodne elektrony stanowią zatem nośniki prądu decydujące o przewodnictwie. Mówimy wtedy o półprzewodniku elektronowym, czyli półprzewodniku typu n.

Inna sytuacja powstanie po wprowadzeniu atomów boru do sieci przestrzennej krzemu. Atom boru rozporządza tylko trzema elektronami walencyjnymi i może wytworzyć wiązania kowalencyjne tylko z trzema spośród czterech sąsiadujących z nim atomów krzemu (schemat VI). Do wytworzenia czwartego wiązania konieczne jest dostarczenie jeszcze jednego elektronu. Elektron taki może przejść z jednego z. sąsiednich wiązań Si—Si kosztem niewielkiego nakładu energii. Występuje wówczas brak elektronu pomiędzy dwoma atomami krzemu, a więc dziura elektronowa (schemat VII).

< •< >< x>C>

Ne

X >

XbXsY

>£< ^SiN ySx

VI

VII


>

Atom boru zdolny do przyjęcia elektronu stanowi w sieci germanu centrum akceptorowe. W obecności centrów akceptorowych liczba swobodnych dziur jest znacznie większa od liczby swobodnych elektronów i staje się czynnikiem decydującym o wielkości przewodnictwa elektrycznego próbki Mamy teraz do czynienia z przewodnictwem dziurowym czyli przewodnictwem typu p

Łatwość, z jaką centrum donorowe oddaje elektron do pasma przewodnictwa, pochodzi stąd, że energia elektronu obecnego w centrum donorowym jest niezbyt odległa od energii odpowiadającej dolnej krawędzi pasma przewodnictwa. Poziomy energetyczne elektronów nadmiarowych w centrach donorowych leżą zatem w górnej części pasma wzbronionego (rys. 7.21). Poziomy energetyczne centrów akceptorowych, na które są przyjmowane elektrony z pasma podstawowego, są położone natomiast u dołu pasma wzbronionego.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
A HibUl. IM1U.1 .Vvu    :u, r ), buui :uO ISBN D4H1II t-7. © by »N TOS >«} 12
20 A HibUl. IM1U.1 .Vvu .•»•»»«.--u, r ), buui :uO ISBN D4H1II t-7. © by »N TOS »*} 2 iĄDRO
A HibUl. IM1U.1 .Vvu    r ), buui :uO ISBN D4H1II ł-7. © by »N TOS >*} 69 3 5 OftB
A HibUl. IM1U.1 ,Vvu    r ), buui :uO ISBN D4H1II ł-7. © by »N TOS >«} 3 13 WŁAŚCI
A HibUl. IM1U.1 ,Vvu    r ), buui :uO ISBN D4H1II ł-7. © by »N TOS >*} 5 4 CHARAKT
A HibUl. IM1U.1 .Vvu    -u, r ), buui :uO ISBN D4H1II ł-7. © by »N TOS >*} 7 CIAŁO
A HibUl. IM1U.1 .Vvu    r ), buui :uO ISBN D4H1II ł-7. © by »N TOS »*} 7 9 SIECI PRZE
A HibUl. IM1U.1 .Vvu    r ), buui :uO ISBN D4H1II t-7. © by »N TOS >*} 226 7 CIAŁO
A HibUl. IM1U.1 .Vvu    --u, r ), buui :uO ISBN D4H1II ł-7. © by »N TOS >«} 7 15 W
A HibUl. IM1U.1 .Vvu    r ), buui :uO ISBN D4H1II ł-7. © by »N TOS »*} 350
A HibUl. IM1U.1 .Vvu    r ), buui :uO ISBN D4H1II ł-7. © by »N TOS >*} 370
A HibUl. IM1U.1 .Vvu    :u, r ), buui :uO ISBN D4H1II ł-7. © by »N TOS »*} 484 15 2W1
A HibUl. IM1U.1 .Vvu    :u, r ), buui :uO ISBN D4H1II ł-7. © by »N TOS »*} 48JŚ 15 2W
A HibUl. IM1U.1 .Vvu    r ), buui :uO ISBN D4H1II ł-7. © by »N TOS »*} 502 15 2W1Ą2KI
A HibUl. IM1U.1 .Vvu    :u, r ), buui :uO ISBN D4H1II *?. © by »N TOS »*} 15 13 ZASTO
A HibUl. IM1U.1 ,Vv»«    r ), buui :uO ISBN D4H1II ł-7. © by »N TOS >«} 12 UTLENIA
A HibUl. IM1U.1 ,Vv»«    --u, r ), buui :uO ISBN D4H1II ł-7. © by »N TOS >«} 12 8
A HibUl. IM1U.1 .Vvu    :u, r ), buui :uO ISBN D4H1II ł-7. © by WN TOS »*}64  &n
A HibUl. IM1U.1 .Vvu    -u, r ), buui :uO ISBN D4H1II t-7. © by WN TOS >*} 130

więcej podobnych podstron