224 (68)

224 (68)



- 224


Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania

wane bardziej rozbudowane układy wzmacniaczy parametrycznych, które nie narzucają tak krytycznych wymagań co do częstotliwości i fazy przebiegu pompującego. Na przykład w układzie dwuobwodowym (rys. 4.42) odpowiednie relacje fazowe ustalają się automatycznie. Obwód „górny” jest nastrojony na częstotliwość sygnału wzmacnianego fs i nosi nazwę obwodu sygnałowego. Obwód „dolny”, nazywany jałowym, pracuje przy częstotliwości tzw. sygnału jałowego fj. Oba obwody są sprzężone pojemnościowo przez waraktor, który jest zasilany przez separujący obwód szeregowy L, G sygnałem ze źródła pompującego. Istnieje przy tym ścisła zależność między częstotliwością sygnału pompującego /p a dwiema pozostałymi częstotliwościami

fP =/*+/]    (4.46)

Zmienną pojemność waraktora można zatem zapisać w postaci

C = [l+msin(a)p<-fy>)]-I(7o    (4.47)

przy czym m = A,C/C0 — wartość maksymalna względnej zmiany pojemności. Ładunek w waraktorze

(4.48)


Q = QŁ[cos cost + oos (ojjt +y)]

Napięcie na waraktorze u = Q/C jest superpozycją napięcia sygnału us o pulsacji ws i napięcia jałowego U] o pulsacji (Oj. Oczywiście jest jeszcze napięcie up ze źródła pompującego, które ma znacznie większą amplitudę niż us lub Uj i powoduje zmiany pojemności waraktora.

Po podzieleniu (4.48) przez (4.47) przy uwzględnieniu (4.46) otrzymuje się:

-*[


ooscoj + -i- m sincos<


cos (o)j t ) + — m sin (co,-1 +y>)


(4.49)


(4.50)


Moc dla poszczególnych sygnałów- można wyzrtaczyć jako wartość średnią’ iloczynu u ■ dQ/dt:

.    P, = co,{mQ\l±C0)

Pj = Mj(mQi/4C0)

oraz przy uwzględnieniu (4.46)

= Mp


mQi

40 0


Zasadę zachowania energii można zatem zapisać w postaci

Ip


oj


p


pL

OJs


(4.51)


Powyższe równanie określa bilans przekazywania mocy od źródła pompującego do obwodu sygnałowego i obwodu jałowego. W równaniach przyjęto, że fazy napięcia jałowego i napięcia pompującego są jednakowe. Takie postępowanie jest słuszne, gdyż obwód jałowy automatycznie „dostraja się” do fazy napięcia pompującego.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
220 (64) 220 Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania a) I p*.^CL Si-n* T 3b) jh Rys.
222 (86) - 222Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania (złącze skokowe), n < 0 (złącze
226 (61) - 226Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania tunelowych jako elementów o wspóln
228 (66) Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania- 228 Część urojona impedancji Z zawiera
230 (63) - 230Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania właściwości ma InSb. Diody tunelowe
232 (64) - 232Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania źródło prądowe I(U) —odpowiadająco
234 (60) - 234Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania Ujemne rezystancje uzyskuje się w d
236 (57) - 236Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania rezystora równoważnego rezystancji
Diody półprzewodnikowe i ich zastosowanie 1.    Złącze pn 2.
CCI20110406007 ;: zzaje złączy półprzewodnikowych i ich zastosowanie iciwme a źródŁ _ aktujem
50 -lecie Polskiej Radiolokacji twa mikrofalowych przyrządów półprzewodnikowych, oraz ich zastosowań
Image226 Ig Rys* 4.224. Synchroniczny rewersyjny licznik dwójkowy z przeniesieniami szeregowymi wane

więcej podobnych podstron