220 (64)

220

Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania

a)

I p*

.^CL

Si-n*

T

3

^b) jh

Rys. 4.39

Struktura (a) i szkic konstrukcji typowego waraktora (b)

1 — izolator ceramiczny; 2 — płyt Si ze złączem p-n; 3 — elektrody

Jeżeli rezystancja szeregowa R_s jest bardzo mała, to ograniczenie maksymalnej częstotliwości pracy waraktowa jest spowodowane zjawiskiem rezonansu szeregowego obwodu, jaki tworzy indukcyjność doprowadzeń L_s wraz z pojemnością Cj

(4.43)

fgr ~

Dodatkowego wyjaśnienia wymaga zagadnienie najważniejszej charakterystyki diody pojemnościowej, jaką jest zależność Cj(U). Wiadomo z teorii złącza p-n, że

(4.44)

przy czym: m = 1/2 dla złącza skokowego lub 1 /3 dla złącza liniowego; rp_B — napięcie dyfuzyjne, równe ok. 0,7 V dla złącza krzemowego.

Większość współcześnie produkowanych diod pojemnościowych są to dyfuzyjne złącza krzemowe lub stopowe złącza z Ga As, można je zatem aproksymować modelem złącza liniowego lub skokowego. Jednak ze względu na efektywnie przestroją ' pojemności interesujące jest poszukiwanie takich rozwiązań konstrukcyjno--technologicznych, które umożliwiłyby uzyskanie jak największego nachylenia

P⁺    N

Rys. 4.40

Rozkład koncentracji domieszek w złączu p⁺-n, w którym N_D = Bxⁿ

charakterystyki Oj (U). Weźmy złącze p⁺-n, w którym profil domieszkowani w^r obszarze N jest opisany ogólną zależnością N_D = Bx". Na rysunku 4.40 przed-stawiono trzy charakterystyczne przypadki, tj. n = 1 (złącze liniowe), »=0