- 234
Ujemne rezystancje uzyskuje się w diodach tunelowych oraz generacyjnych (diody lani-nowo-przelotowe oraz diody Gunna). Diody tunelowe omówiono już, a diody | generacyjne będą rozpatrywane odrębnie w rozdziało 12 ze względu na specy. ficzny i nieomawiany dotychczas rodzaj zjawisk fizycznych w nich występujących.
W tym punkcie zatem z dużej rodziny diod mikrofalowych będą omówione tylko następujące :
— diody detekcyjne i mieszające (ostrzowe, Schottky’ego, zwrotne),
— diody o sterowanej impedancji (diody p-i-n).
Diody detekcyjne i mieszające są opisywane następującymi parametrami technicznymi .
Parametry charakterystyczne:
— napięcie UF przy określonym prądzie przewodzenia IF;
— prąd IR przy określonym napięciu wstecznym UR;
— pasmo częstotliwości pracy;
— czułość (dla diod detekcyjnych), przy czym istnieją trzy określenia czułości:! tangencjalne, prądowe i napięciowe; w katalogach najczęściej podaje się czułość tangencjalną (styczna);
— impedancja wejściowa;
— wejściowy współczynnik fali stojącej;
— straty przemiany (dla diod mieszających);
— impedancja wyjściowa dla częstotliwości pośredniej (dla diod mieszających);-
— współczynnik szumów.
Parametry graniczne:
— moc maksymalna ,
— energia przepalania,
— temperatura dopuszczalna.
Rozpatrzmy ważniejszo parametry techniczne, biorąc pod uwagę schemat zastępczy diod
detekcyjnych i mieszających, przedstawiony na rys. 4.50. W schemacie zastęp-1
/Y Rys. 4.50
_I Schemat zastępczy diod detokcyjuych i mieszających*
czym nie uwzględniono pojemności dyfuzyjnej, co wynika stąd, że „szybkie® diody detekcyjne i mieszające działają na nośnikach większościowych. Wszyst-1 kie elementy schematu zastępczego są znano z poprzednich rozważań.
Czułość diod detekcyjnych
Zdolność detektora do rozróżniania małych sygnałów na tle szumów własnych! jest określana przez czułość progową, którą najogólniej definiuje się jako mocł dysponowaną sygnału wejściowego, będącą pewną ustaloną krotnością moc; dysponowanej szumów detektora sprowadzonych do wejścia
-Pw.cz. = yP,z (4-58|