232 (64)

232 (64)



- 232


Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania

źródło prądowe I(U) —odpowiadająco charakterystyce I (U) diody tunelowej, połączono równoległo z pojemnością Cj(U). Układ z uwzględnieniem tego schematu zastępczego diody tunelowej przedstawiono na rys. 4.48c, a najistotniejsze aspekty jego pracy ilustruje analiza graficzna na rys. 4.48d. Widać, że w czasie przejścia punktu pracy z 2 do 3 (włączanie) lub z 6 do 7 (wyłączanie) następuje I rozdzielenie prądu obciążenia iL na dwie składowe, tzn. prąd diody id oraz prąd przeładowania pojemności ic. Ponieważ przeładowanie pojemnośoi Cj jest tym szybsze, im większy jest prąd ic = iL — ij, zatem najkorzystniejsze warunki pracy diody tunelowej daje sterowanie prądowe (linia obciążenia niemal równoległe do osi napięcia). Układy przełączające z diodami tunelowymi umożliwiają otrzy- , mywanie impulsów o pikosekundowych zboczach.

Zastosowanie diody tunelowej w generatorach sygnałów sinusoidalnych ilustruje przykład prostego układu generującego, przedstawiony na rys. 4.49. Źródło U. przez ■

Ryg. 4.49

Generator napięcia sinusoidalnego z diodą tunelową: a) układ generatora; b) schemat zastępczy


pienia oscylacji jest odtłumienie obwodu L0, C0, czyli konduktancja obciążenia

sj diodv tune-


rezystor Rc polaryzuje diodę w odpowiednim punkcie pracy. Warunkiem wystą

powinna być mniejsza niż moduł ujemnej konduktancji dynamicznej diody lowej, \GL\ < | — gd\. Jak wynika ze schematu zastępczego tego układu, przedstawionego na rys. 4.49b, częstotliwość generacji jest określona częstotliwością rezonansu własnego obwodu L0, C0+Cj (pojemność C\ ma bardzo dużą wartość), zatem

/ =


1


2ny/L0(C0+Cj)


(4.57) I


Diody tunelowe są stosowane w generatorach i wzmacniaczach na zakres częstotliwości do kilkuset gigaherców. Jednak generatory i wzmacniacze z diodami tunelowymi nie zyskały szerokiego rozpowszechnienia ze względu na ich niektóre niedostatki j w porównaniu z „konkurencyjnymi” rozwiązaniami.

Wadą generatorów z diodami tunelowymi jest ich bardzo mała moc -wyjściowa, nie wystarczająca w większości przypadków do praktycznego wykorzystania tych generatorów. Zdecydowanie lepsze są pod tym względem generatory Gunna lub lawi-no wo-p rzeloto we.

Diody mikrofalowe (detekcyjne, mieszające oraz sterowane impedancje)    4.7

Diody7 mikrofalowa — jak wskazuje nazwa — są to diody przeznaczone do zastosowań w zakresie mikrofalowym, przy czym według obowiązujących norm za mikrofale uważa się falo elektromagnetyczne o długości mniejszej niż 1 m, czyli


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
220 (64) 220 Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania a) I p*.^CL Si-n* T 3b) jh Rys.
222 (86) - 222Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania (złącze skokowe), n < 0 (złącze
224 (68) - 224Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania wane bardziej rozbudowane układy wz
226 (61) - 226Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania tunelowych jako elementów o wspóln
228 (66) Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania- 228 Część urojona impedancji Z zawiera
230 (63) - 230Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania właściwości ma InSb. Diody tunelowe
234 (60) - 234Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania Ujemne rezystancje uzyskuje się w d
236 (57) - 236Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania rezystora równoważnego rezystancji
Diody półprzewodnikowe i ich zastosowanie 1.    Złącze pn 2.
CCI20110406007 ;: zzaje złączy półprzewodnikowych i ich zastosowanie iciwme a źródŁ _ aktujem
50 -lecie Polskiej Radiolokacji twa mikrofalowych przyrządów półprzewodnikowych, oraz ich zastosowań

więcej podobnych podstron