304 (27)

4o (1) otrzymamy po prostych przekształceniach algebraicznych

h 1.1 ^3cuCi 1 I7^+^^+rb^+1^Tffgl7-rb	0	^vi		- jwC, ^E r+j^sś%
1 ' ^rb	1 *^1 kII ^1 d_k ) ~^11	^V2	s	0
0	" k 7e^+lT^+3cuC2	^73		0
	4	L ^J		L 12)

(2)

A

,,śli podstawiaj dana do (2), to uzyskamy następujący _ak2ad równań

2,29 0 0,49 -1,67 0		^V1		'o,77 eJ39,8^0 B-
-1,67 2,54 -0,87		^V2	m	0
0 -43,48 4398 + j 16		^73.		0

stąd po rozwiązaniu

V₃ - 6,28 e^-J32’⁸¹° mV.

lartość symboliczną napięcia u₂(t) obliczymy z zależności

°2 * "^V3⁽R^ ⁺ J"^C2^^1cII^R3 “ ^{611 8}~^{J124036 mV}'

i wobec tego

U₂lt} = 611 ain(100t - 124°3^) mV.

Zadanie 3.58

u₂lt) = 7,17 sind0⁸t + 48°33) mV.

Zadanie 3»59

Traktując tranzystory T1 i T2 jako wialobiegunniki opisane macierzami ediitancyjnymi £ i możemy ułożyć równanie potencjałów węzłowych dla obtodu z rys. 3.59. Oznaczając węzły obwodu tak Jak na rys. 3.59 piszemy: 1) aacierz admitancyjną obwodu bez wielobiegunników

1	2	3
^Y1	0	-^Y1
0	*2	0
-^Y1	0	^Y1 ^+
3 r> +	«1.	^Y4 -

j^c₂

i + j«ok₄c₂ »

bw

1