amat urz kr161

dzeniu sygnału o częstotliwości 1700 kHz do siatki sterującej pierwszego mieszacza.

Pozostają do zestrojenia obwody w. cz. Najpierw ustala się częstotliwość pierwszej heterodyny w każdym z zakresów. Agregat kondensatorów strojeniowych należy całkowicie wkręcić i po ustawieniu kondensatora C₈ w połowie jego pojemności doprowadzić do siatki sterującej lampy pierwszej przemiany sygnał 7 MI-Iz (odbiornik ustawiony na zakres 7 MHz). Teraz stroi się rdzeniem cewki L₆ aż do wystąpienia sygnału na wyjściu odbiornika. W ten sam sposób stroi się heterodynę na pozostałych zakresach. W każdym zakresie ustala się górną granicę pasma kondensatorem dostrojczym C$. Obwody wejściowe w. cz., po uprzednim ustawieniu kondensatora dostrojczego C₇ i kondensatora C₂ na 70% pojemności, stroi się najpierw rdzeniami cewek L* i L₂, przy czym agregat główny kondensatorów powinien być całkowicie wkręcony. Następnie w górnej części pasma dostraja się obwody kondensatorem dostrojczym C₆ i kondensatorem C₂ do maksymalnego poziomu sygnału. Wszystkie te czynności strojeniowe należy wykonywać przy niewielkich amplitudach sygnału z generatora strojeniowego.

Teraz można włączyć obwód dodatniego sprzężenia zwrotnego w stopniu detektora anodowego. Właściwe sprzężenie cewki reakcyjnej (przed progiem powstania oscylacji) dobiera się przesuwając ją w stosunku do cewki siatkowej aż do uzyskania największego wzmocnienia układu. Strojenie BFO ogranicza się do ustalenia częstotliwości o 1000 Hz większej od 100 kHz za pomocą rdzenia cewki Lu- Po zestrojeniu obwodów wszystkie rdzenie zabezpiecza sic parafiną. Prawidłowo zestrojony odbiornik wykazuje czułość około i uV przy pomocy wyjściowej 25 mW na oporności 4 kO.

Lampy typu 6 AC 7 mogą być zastąpione lampami EF 85, lampy ECH 21 — lampami ECH 81, a triody 6J5 — miniaturowymi triodami EC 92.

Opisany odbiornik wykazał duże zalety, szczególnie przy DX-owej pracy telegraficznej i fonicznej.

14.22. Krótkofalowe odbiorniki bateryjne

Jeśli chodzi o zasadę działania, to krótkofalowe odbiorniki bateryjne nie odbiegają od odbiorników z lampami pośrednio żarzonymi napięciem z sieci elektroenergetycznej. Różnica uwidacznia się tylko w obwodach zasilania. Poza tym wydajność lamp bateryjnych w stosunku do sieciowych jest niewielka i tym się tłumaczy mniejsze wzmocnienie odbiorników bateryjnych przy tej samej liczbie stopni. Pewne trudności powstają w przypadku stosowania lamp bateryjnych w układach, w których czynny jest obwód katody na potencjale w. cz. Konieczne jest wtedy stosowanie dodatkowych dławików w obwodzie żarzenia lampy.

Krótkofalowe odbiorniki bateryjne to przeważnie proste układy o bezpośrednim wzmocnieniu. Wielolampowc układy z przemianą częstotliwości są mało ekonomiczne w zasilaniu.

Ostatnio w odbiornikach bateryjnych stosuje się coraz szerzej tranzystory. W ten bowiem sposób osiąga się większą ekonomio, zasilania układu (jedno źródło zasilające o niskim napięciu przy niewielkim poborze prądu), miniaturyzację, większą trwałość i wytrzymałość na wstrząsy.

Spotyka się także odbiorniki mieszane: lampowo-tranzystorowe. Tranzystory pracują w nich przeważnie w członie m. cz. Przy stosowaniu tranzystorów o dużych częstotliwościach granicznych, można dojść do ekonomicznego odbiornika krótkofalowego z przemianą częstotliwości nie ustępującego pod względem wskaźników jakościowych najlepszym odbiornikom lampowym.

Tranzystorowy odbiornik ()-V-l na pasmo 3,5 MHz

Skonstruowanie dobrze działającego odbiornika z dodatnim sprzężeniem zwrotnym w oparciu o łatwo dostępne tranzystory w. cz. typu OC 44 lub OC 45 nastręcza w praktyce wiele trudności. Znikają one przy zastosowaniu w takim układzie tranzystorów dyfuzyjnych o dużej częstotliwości granicznej. Natomiast przy stosowaniu normalnych tranzystorów warstwowych występują dwie zasadnicze trudności. Przede wszystkim na częstotliwościach tego rzędu podstawową rolę w układzie wspólnego emitera zaczyna odgrywać pojemność kolektor-baza. Staje się ona obwodem pojemnościowego ujemnego sprzężenia zwrotnego z obwodu wyjściowego kolektora do obwodu bazy, co oczywiście osłabia wzmocnienie układu. Druga trudność polega na spadku cieplnej stabilności generatora tranzystorowego przy wzroście częstotliwości oraz jego amplitudy drgań.

Praca tranzystora w układzie wspólnego emitera zapewnia największe wzmocnienie mocy w stosunku do innych układów, często wygodniejszych z punktu widzenia pojemności szkodliwych (np. w układzie wspólnej bazy pojemność C_k„ jest równoległa do obwodu wyjściowego tranzystora).    ⁴

W układzie jednoobwodowego odbiornika tranzystorowego (rys. 14-88) szkodliwa pojemność C_k0 stanowi część dzielnika pojemnościowego włą

czonego równolegle do głównego obwodu strojonego. Jednocześnie układ ten transformuje oporność wejściową tranzystora, zmniejszając obciążę-