3582284196

(np. 0,99)

M

Al_c jest nieco mniejsze niż AI_E bo:

-    w bazie zachodzi rekombinacja nośników wstrzykiwanych przez emiter (np.. dziur w p-n-p)

-    nośniki wstrzykiwane do bazy przez emiter stanowią część całego prądu emitera, który obejmuje też nośniki wstrzykiwane z bazy do emitera (elektrony w p-n-p)

117

współczynnik wzmocnienia prądowego

Układ OE: p =

a /

AI_c

A/,

AI ~ — A/,

(np.99)

Układ OC:

AI_B

A/ę + AI_u

/SJ B

(np. 100)

OE - bardzo duże wzmocnienie mocy (ok.20000)

OC - duża rezystancja wejściowa    (ok..200kQ)

OB duża częstotliwość pracy    (>MHz)

n8

Charakterystyki i parametry statyczne tranzystora bipolarnego

Układ OE:

Q _ _ Alę	a	(np.99)
AIB AIE — AIc	1 — a

0.98 1- 0.98