23458

Druga część ćwiczenia dotyczy dwu modeli dla tej samej i konkretnej technologu. Ekstrakcja parametrów została dokonana w samej „odlewni krzemu”. Biblioteka CAQ.LIB

porównanie modelu LEVEL_2 i BSIM3v2:

ze wzrostem dokładności modelowania rośnie komplikacja opisu matematycznego oraz liczba parametrów modelu... przyjrzyj się zawartości pliku z modelem bsim3v2.

polecenie 4:

Wyznacz rodziny charakterystyk przejściowych Ids(Vgs) w zakresie nasycenia dla tranzystora NMOS (PMOS) dla dwóch modeli tranzystora, wykorzystaj teraz LEVEL_2 i BSIM3v3. Analizy, jak poprzednio, wykonaj dla jednego zestawu wymiarów tranzystorów np. W/L=25u/2u. Zwróć uwagę na przebieg charakterystyki w zakresie przejściowym pomiędzy słabą a silną inwersją oraz przy przejściu w zakres degradacji ruchliwości nośników, jeśli nie widzisz szczegółów to spróbuj wykreślić D(log(I_Ds(V_Gs))) oraz D(Ids(Vgs))? Dlaczego „gładkie” zachowanie pochodnej jest ważne dla popr awnej symulacji układów wykorzystujących tranzystory MOS?

Sprawdź czy zwielokrotnienie obu rozmiarów tranzystora (np. 2.5u/2u i 25u/20u) daje taki sam prąd drenu przy zachowaniu tych samych napięć. Spróbuj wyjaśnić otrzymany wynik.

pojemności pasożytnicze tranzystora MOS dla LEVEL_2: (2 PMOS)

w tym punkcie powinniśmy powrócić do parametrów AD, AS, PD, i PS, ale na początek... nie wprowadzajmy żadnych zmian.

polecenie 5:

Policz korzystając z modelu kondensatora płaskiego pojemność Cox (na podstawie wymiarów kanału tranzystora oraz parametrów TOX oraz e^, = 3.9x 10"^,2F/m).

polecenie 6:

Używając analizy OP wyznacz war tości pojemności Cos, Cod, Cbd, Cbs dla tranzystora NMOS w zakresie liniowym i nasycenia.

polecenie 7:

Określ wielkości współczynników A i B dla zakresu nasycenia i liniowego pojemności pasożytniczych: C_GS =C_GS0-W+A*C_ox, C^ =C_GD0-W + B-C^.

polecenie 8:

Zastanów się dlaczego pojemności Cbd, Cbs maja wartości zerowe? Jakiego typu są to pojemności? Co zrobić aby uzyskać bliższą rzeczywistości reprezentację tranzystora z niezerowymi wartościami pojemności? (przyjmij minimalną szerokość dyfuzji drenu i źródła dla używanego procesu równą 0.8pm.)

-2-