9693892152

b)    Zwiększenie parametru siatki krystalicznej /3 -NiCo wywiera duży wpływ na aktywację wodoru (jest to wynikiem większego promienia jonowego Mg) nie wpływa praktycznie biorąc na parametr siatki krystalicznej /J -Co.

c)    Obecność większych ilości Mg w siatce krystalicznej soli mieszanej prowadzi w wyniku utworzenia w procesie redukcji tlenku magnezowego do zdefektowanej jak również silnie rozdrobnionej struktury krystalicznej i powoduje duży wzrost powierzchni właściwej w przybliżeniu proporcjonalny do ilości Mg.

d)    Wymiary komórki sieciowej kryształu mieszanego UiCo/MgO silnie zmieniają się z zawartością Mg w układzie

3.    Sposób wytrącania oraz związana z tym zawartość Mg niewiele wpływa na aktywność katalizatorów UiCo/MgO. Ich aktywność zależy głównie od ilości Ni oraz temp. reakcji

4.    Większa zawartość Mg powoduje mniejszy spadek aktywności katalitycznej w czasie pracy oraz nieco wyższą aktywność w podwyższonych temp. katalizatorów z przewagą Co. Wydaje się więc, żo przyczyną spadku aktywności nie powinny być trudności w dyfuzji, a większe rozproszenie ale tywnej fazy Ni wśród MgO zwiększa odporność na rekryst lizycję.

5.    Katalizatory o dużej zawartości Ni a mniejszej zawartości Mg wykazują prawie niezależną aktywność od temp. redukcji, natomiast aktywność preparatów z przewagą Co

o dużych ilościach Mg zależy silnie od temp. redukcji. Potwierdza to wniosek o tworzeniu roztworu stałego CoO-MgO wynikający z analizy termograficznej i literatury.

6.    Na podstawie pomiarów adsorpcyjnych należy sądzić,że o adsorpcji wodoru decyduje w większym stopniu czynnik e-lektronowy niż strukturalny. Dla serii 0 stopień zapełnienia powierzchni ze wzrostem zawartości Ni w tych samych warunkach adsorpcji (T i p) maleje, ponieważ Ni posiada 0,6 a Co 1,7 dziur na 1 atom metalu. Ilość Mg w tych katalizatorach nie ulega dużym zmianom (15$>).

Trudniej jest wyjaśnić wzrost adsorpcji H_p na katalizatorach serii K. Dla 100^ Co stopień pokrycia powierzchni wodorem jest tu mniejszy co wskazywałoby na udział HgO w adsorpcji (MgO jest poniżej temp. 400 półprzewodnikiem typu p ).

71