Radioelektronik Audio-HiFi-Video 6/2001

Omawiaj¹c seriê

wzmacniaczy

operacyjnych ma³ej mocy

firmy Microchip

przypominamy

podstawowe parametry

i wa¿niejsze

charakterystyki

wzmacniaczy.

S

eria wzmacniaczy bardzo ma³ej mo-

cy firmy Microchip obejmuje uk³ady:

MCP606 (pojedynczy), MCP607

(podwójny), MCP608 (podwójny,

z mo¿liwoœci¹ wyboru uk³adu _ chip select),

MCP609 (poczwórny). Obudowy z rozmie-

szczeniem koñcówek tych wzmacniaczy

przedstawiono na rys. 1.

WZMACNIACZE

OPERACYJNE

MICROCHIP MCP60X

Obszar zastosowañ wzmacniaczy serii

MCP60X jest bardzo szeroki. Obejmuje zw³a-

szcza urz¹dzenia zasilane bateryjnie, m.in.

czujniki dymu i ognia, czujniki do ochrony obiek-

tów, przenoœne mierniki, oscyloskopy, plotery,

przyrz¹dy medyczne (glukometry, analizatory

sk³adu krwi), a tak¿e elementy systemów stero-

wania procesami produkcyjnymi takie jak nadaj-

r

PODZESPO£Y

24

Wzmacniacz pomiarowy z dwóch wzmacniaczy operacyjnych

Rys. 2. Typowe uk³ady pracy wzmacniaczy operacyjnych

Wtórnik napiêciowy

Konwerter pr¹d-napiêcie

Wzmacniacz nieodwracaj¹cy

Wzmacniacz odwracaj¹cy

Uk³ad ró¿niczkuj¹cy

Integrator

Wzmacniacz pomiarowy z trzech wzmacniaczy operacyjnych

U

wy

U

we

U

wy

U

wy

U

wy

U

we

U

we

U

R

U

we_

U

we_

U

we+

Wy

U

we+

U

wy

= I

S

R

2

/sC

1

U

wy

U

wy

U

wy

= U

we

U

we

U

wy

U

we

U

R

R

U

wy

we

=

+











1

2

1

U

R

R

U

wy

we

=

_

2

1

U

RC

dU

dt

wy

we

=

_

U

RC

U dt

wy

we

=

∫

_1

(

)

U

R

R

R

R

U

U

wy

F

G

we

we

= +











+

−

1

2

2

1

_

(

)

U

U

U

R

R

R

R

U

wy

we

we

G

R

=

+

+









 +

+

_

1

2

1

2

1

Parametry wzmacniaczy serii MCP606/607/608/609

Zakres napiêcia zasilaj¹cego

2,5

÷

5,5 V

Spoczynkowy pr¹d zasilaj¹cy (bez obci¹¿enia)

maks. 25

µ

A

Napiêcie niezrównowa¿enia

maks. 250

µ

V

Zmiany termiczne napiêcia niezrównowa¿enia

±

±

1,8

µ

V/

o

C

Wejœciowy pr¹d polaryzuj¹cy (T

A

= 25

o

C) 1 pA

Wejœciowy pr¹d polaryzuj¹cy (T

A

= _ 40

÷

85

o

C) 80 pA

Wejœciowy pr¹d niezrównowa¿enia

1 pA

Ró¿nicowa impedancja wejœciowa

10

13

Ω

II 6 pF

Wzmocnienie z otwart¹ pêtl¹ 100 dB

Iloczyn pasma i wzmocnienia

150 kHz

Margines fazy (przy C

L

= 60 pF)

62

o

Gêstoœæ widmowa napiêcia szumów (1 kHz) 38 nV/

√

Hz

Gêstoœæ widmowa pr¹du szumów (1 kHz) 3 fA//

√

Hz

Wspó³czynnik t³umienia wp³ywu zasilania 93 dB

Wspó³czynnik t³umienia sygna³u wspó³bie¿nego 91 dB

Wyjœciowy pr¹d zwarciowy 17 mA

Zakres temperatury pracy _40

÷

85

o

C

Zakres temperatury magazynowania _65

÷

125

o

C

Rys.1. Rozmieszczenie koñcówek wzmacniaczy serii MCP60X

NC _ koñcówki niepo³¹czone, CS _ wejœcie wyboru uk³adu (Chip Select)

25

Radioelektronik Audio-HiFi-Video 6/2001

DEFINICJE PARAMETRÓW

Czas ustalania napiêcia wyjœciowego

(settling time)

_ czas, w którym, po skokowej zmianie napiêcia wej-

œciowego, napiêcie na wyjœciu wzmacniacza osi¹ga

sw¹ koñcow¹ wartoœæ w okreœlonej strefie b³êdu usta-

lania (np. 10% wartoœci koñcowej).

Gêstoœæ widmowa szumu

(input noise spectral den-

sity) _ wykres w¹skopasmowej wartoœci skutecznej

wejœciowego napiêcia (lub pr¹du) szumów [V/

√

Hz] lub

[A/

√

Hz] w funkcji czêstotliwoœci.

Graniczne wartoœci parametrów

(absolute maxi-

mum ratings) _ skrajne warunki, w których wzmacniacz

mo¿e pracowaæ bez nara¿enia na chwilowe lub d³u-

goczasowe uszkodzenie. Producenci nie gwarantuj¹

utrzymania katalogowych parametrów wzmacniacza

w warunkach granicznych.

Iloczyn wzmocnienia i szerokoœci pasma

(GBWP

_ gain bandwidth product) _ iloczyn szerokoœci pasma

i wzmocnienia z otwart¹ pêtl¹, we wzmacniaczach

o charakterystyce jednobiegunowej (opadaj¹cej z na-

chyleniem _20 dB/dekadê) ten iloczyn jest równy pa-

smu dla wzmocnienia 1.

Maksymalna szybkoœæ zmian napiêcia wyjœciowe-

go

(slew rate) _ maksymalna szybkoœæ zmian napiê-

cia na wyjœciu wzmacniacza mierzona przy wzmocnie-

niu 1 V/V i du¿ym sygnale wyjœciowym (np. równym

maksymalnemu napiêciu wyjœciowemu), wyra¿ana

w V/

µ

s.

Maksymalne napiêcia wyjœciowe

(output voltage

swing) _ najwiêkszy zakres zmian napiêcia na wyjœciu

(w stosunku do masy) mo¿liwy do uzyskania bez na-

sycenia wzmacniacza czyli bez obcinania przebiegu

wyjœciowego. Jest zwykle definiowany w okreœlonych

warunkach obci¹¿enia.

Margines fazy

(phase margin) _ ró¿nica miêdzy k¹-

tem 180

o

a k¹tem fazowym wzmocnienia z otwart¹ pê-

tl¹ w miejscu przeciêcia wykresu z lini¹ poziom¹ od-

powiadaj¹c¹ wzmocnieniu 0 dB. Przyjmuje siê, ¿e

wzmacniacze o dobrej stabilnoœci powinny mieæ mar-

gines fazy co najmniej 45

o

.

Napiêcie wspó³bie¿ne

_ napiêcie zmieniaj¹ce siê jed-

noczeœnie na obu wejœciach przy zachowaniu miêdzy

nimi sta³ej ró¿nicy potencja³ów.

Pasmo dla wzmocnienia 1

(unity gain bandwidth) _

szerokoœæ pasma wzmacniacza mierzona od pr¹du

sta³ego (f = 0) do czêstotliwoœci, przy której wzmocnie-

nie z otwart¹ pêtl¹ maleje do wartoœci 1 V/V.

Pasmo przenoszonej mocy

(full power response) _

maksymalna czêstotliwoœæ sygna³u sinusoidalnego

o du¿ej amplitudzie (równej maksymalnej katalogowej

wartoœci sygna³u wyjœciowego) przenoszonego bez

zniekszta³ceñ.

Pr¹d zasilaj¹cy spoczynkowy

(quiescent current) _

pr¹d pobierany przez wzmacniacz z zasilacza, gdy

wyjœcie wzmacniacza nie jest obci¹¿one.

Pasmo 3-decybelowe

(3 dB open loop bandwidth) _

szerokoœæ pasma wzmacniacza mierzona od pr¹du

sta³ego (f = 0) do czêstotliwoœci, przy której wzmocnie-

nie z otwart¹ pêtl¹ maleje o 3 dB w stosunku do war-

toœci dla pr¹du sta³ego.

Pr¹d zwarciowy

(short-circuit) _ maksymalny pr¹d

wyjœciowy wzmacniacza, gdy wyjœcie jest zwarte

z punktem o potencjale równym œredniemu napiêciu

na szynach zasilaj¹cych.

Rezystancja i pojemnoœæ dla sygna³u ró¿nicowe-

go

(differential input resistance and capacitance) _ re-

zystancja i pojemnoœæ wystêpuj¹ce miêdzy wejœcia-

mi wzmacniacza z otwart¹ pêtl¹.

Rezystancja i pojemnoœæ dla sygna³u wspó³bie¿-

nego

(common-mode input resistance and capacitan-

ce) _ rezystancja i pojemnoœæ wystêpuj¹ca miêdzy

ka¿dym z wejœæ wzmacniacza a mas¹.

Rezystancja wyjœciowa z otwart¹ pêtl¹

(output re-

sistance, open loop) _ rezystancja widziana od stro-

ny wyjœcia wzmacniacza bez zewnêtrznego sprzê¿e-

nia zwrotnego, przy przy³o¿eniu miêdzy koñcówkami

wejœciowymi napiêcia równego napiêciu niezrówno-

wa¿enia.

Rezystancja wyjœciowa z zamkniêta pêtl¹

(output

resistance, closed loop) _ rezystancja widziana od stro-

ny wyjœcia wzmacniacza z zamkniêt¹ pêtl¹.

Równowa¿ne wejœciowe napiêcie (lub pr¹d) szu-

mów

(equivalent input noise voltage) _ taka wartoϾ

napiêcia (lub pr¹du) szumów na wejœciu ró¿nicowym,

jaka spowodowa³aby odtworzenie szumów na wejœciu

przy sprowadzeniu do zera wszystkich Ÿróde³ szumu

we wzmacniaczu.

Szum w¹skopasmowy

(spot noise) _ wartoϾ szu-

mów wzmacniacza w jednostkowym paœmie czêsto-

tliwoœci równym 1 Hz.

Wejœciowe napiêcie niezrównowa¿enia

(input off-

set voltage) _ napiêcie, jakie trzeba przy³o¿yæ miêdzy

wejœciami wzmacniacza z otwart¹ pêtl¹, aby na wyj-

œciu uzyskaæ napiêcie 0 V. Ten parametr jest miar¹ bra-

ku symetrii wzmacniacza.

Wejœciowy pr¹d niezrównowa¿enia

(input offset

current) _ ró¿nica pr¹dów polaryzuj¹cych w obu wej-

œciach.

Wejœciowy pr¹d polaryzuj¹cy

(input bias current) _

pr¹d p³yn¹cy w koñcówce wejœciowej wzmacniacza

przy jego prawid³owej pracy. Pr¹dy polaryzuj¹ce w obu

wejœciach nie s¹ równe, jako parametr podaje siê œre-

dni¹ arytmetyczn¹ obu pr¹dów.

Wspó³czynniki cieplne wejœciowego pr¹du i napiê-

cia niezrównowa¿enia

(input offset voltage and

current drifts) _ zmiany tych parametrów w funkcji

temperatury, wyra¿ane np. w

µ

A/

o

C i mV/

o

C.

Wspó³czynnik t³umienia sygna³u wspó³bie¿nego

WTSW

(CMRR _ common-mode rejection ratio) _

stosunek wzmocnienia sygna³u ró¿nicowego do

wzmocnienia sygna³u wspó³bie¿nego, na ogó³ wyra-

¿any w decybelach.

Wspó³czynnik t³umienia wp³ywu zasilania

(PSRR

- power supply rejection ratio) _ wp³yw zmian napiê-

cia zasilaj¹cego na pracê wzmacniacza, wyra¿any licz-

bowo jako stosunek zmiany napiêcia niezrównowa¿e-

nia do wywo³uj¹cej j¹ zmiany napiêcia zasilaj¹cego.

Podaje siê go w

µ

V/V lub dB.

Wymagany zakres temperatury

(specified tempera-

ture range) _ zakres temperatury, w którym wzmac-

niacz spe³nia wymogi okreœlone parametrami katalo-

gowymi.

Wzmocnienie napiêciowe z otwart¹ pêtl¹

(open

loop voltage gain) _ stosunek zmian napiêcia wyjœcio-

wego do wywo³uj¹cych je zmian wejœciowego sy-

gna³u ró¿nicowego, wyra¿ane w V/V lub w dB.

Zakres napiêcia wejœciowego

(input voltage range)

_ wartoœæ ró¿nicowego napiêcia wejœciowego obejmu-

j¹ca zakres, w którym wzmacniacz pracuje w liniowym

obszarze charakterystyki.

Zakres napiêcia wspó³bie¿nego

(common-mode

input voltage range) _ minimalna i maksymalna war-

toœæ napiêcia wspó³bie¿nego na wejœciach wzmacnia-

cza, przy których wzmacniacz pracuje w obszarze

liniowym charakterystyki.

Zakres temperatury magazynowania

(storage tem-

perature range) _ maksymalny zakres temperatury,

w której mo¿na przechowywaæ wzmacniacz bez oba-

wy jego uszkodzenia.

Zakres temperatury pracy

(operating temperature

range) _ zakres temperatur, w których wzmacniacz

mo¿e pracowaæ prawid³owo, chocia¿ niekoniecznie

musi utrzymywaæ wszystkie parametry katalogowe.

niki inteligentne i programowane sterowniki.

Wzmacniacze s¹ stosowane w uk³adach wyma-

gaj¹cych du¿ej rezystancji wejœciowej, np.

w przedwzmacniaczach fotodiod i mierników pH,

detektorach podczerwieni, w dok³adnych inte-

gratorach, wzmacniaczach ³adunkowych piezo-

elektrycznych.

Wzmacniacze s¹ wytwarzane udoskonalon¹

technologi¹ CMOS firmy Microchip, dziêki której

uzyskuje siê du¿e wzmocnienie oraz du¿y ilo-

czyn wzmocnienia i pasma przy ma³ych pr¹dach

polaryzuj¹cych. Od strony wejœcia, wzmacnia-

cze s¹ uk³adami pe³nozakresowymi (rail-to-ra-

il), a wiêc maksymalny zakres zmian napiêcia

wyjœciowego mo¿e byæ równy zakresowi napiê-

cia na szynach zasilaj¹cych. Wzmacniacze s¹

stabilne nawet przy wzmocnieniu 1.

Typowe uk³ady pracy wzmacniaczy opera-

cyjnych przedstawiono na rys. 2, przypomi-

namy te¿ definicje parametrów.

_20 dB/dek

1/

ββ

1/

ββ

A

OL

A

OL

A

OL

A

OL

1/

ββ

1/

ββ

_20 dB/dek

_20 dB/dek

_20 dB/dek

Czêstotliwoœæ [Hz]

Czêstotliwoœæ [Hz]

Czêstotliwoœæ [Hz]

Czêstotliwoœæ [Hz]

Wzmocnienie [dB]

Wzmocnienie [dB]

Wzmocnienie [dB]

Wzmocnienie [dB]

_40 dB/dek

_20 dB/dek

_40 dB/dek

_20 dB/dek

_20 dB/dek

_40 dB/dek

_40 dB/dek

Przeciêcie

20 dB/dek

Przeciêcie

30 dB/dek

Przeciêcie

40 dB/dek

Przeciêcie

40 dB/dek

a)

b)

c)

d)

Rys. 3. Stabilnoœæ wzmacniaczy operacyjnych a, b _ uk³ady stabilne, c, d _ uk³ady niestabilne

r

PODZESPO£Y

Radioelektronik Audio-HiFi-Video 6/2001

26

P

Prra

ak

kttyyc

czzn

ne

e rra

ad

dyy d

do

ottyyc

czz¹

¹c

ce

e

w

wzzm

ma

ac

cn

niia

ac

czzyy o

op

pe

erra

ac

cyyjjn

nyyc

ch

h

zz p

po

ojje

ed

dyyn

nc

czzyym

m zza

assiilla

an

niie

em

m

Wskazówki ogólne

1. Nale¿y siê upewniæ, czy ujemna koñcówka

zasilania (zwykle jest to koñcówka MASA) jest

do³¹czona do Ÿród³a lub masy o ma³ej rezy-

stancji wyjœciowej. Ponadto trzeba siê upew-

niæ, czy napiêcie dodatnie dostarczane przez

Ÿród³o zasilaj¹ce ma wartoœæ w³aœciw¹ w sto-

sunku do napiêcia na koñcówce zasilania

ujemnego.

2. Trzeba bardzo starannie zaprojektowaæ sy-

stem uziemienia, zw³aszcza w obwodach za-

wieraj¹cych nie tylko uk³ady analogowe, lecz

tak¿e cyfrowe. Jeœli w uk³adzie jest bardzo

wiele uk³adów cyfrowych, to jest wskazane

wykonanie oddzielnych mas i doprowadzeñ za-

silania dla uk³adów cyfrowych i analogowych.

3. Zasilania wzmacniacza trzeba odsprzêgaæ

kondensatorami umieszczonymi mo¿liwie jak

najbli¿ej koñcówek wzmacniacza. Dla wzmac-

niaczy CMOS zaleca siê stosowanie konden-

satorów 0,1

µ

F. Zasilanie trzeba te¿ odsprzê-

g¹æ kondensatorem 10

µ

F.

4. Doprowadzenia do koñcówek wejœciowych

upewniaj¹c siê, czy margines fazy w uk³adzie

z zamkniêt¹ pêtl¹ sprzê¿enia zwrotnego jest

wiêkszy ni¿ 45

o

.

Problemy stopnia wyjœciowego

Bardzo ryzykowne jest stosowanie pojemno-

œciowego obci¹¿enia wzmacniacza. Nale¿y

dok³adnie sprawdziæ, czy wzmacniacz mo¿e

pracowaæ z przewidywanym obci¹¿eniem.

StabilnoϾ wzmacniacza

Warunki stabilnoœci wzmacniacza operacyj-

nego pracuj¹cego z ujemnym sprzê¿eniem

mo¿na okreœliæ badaj¹c punkt przeciêcia wy-

kresów wzmocnienia z otwart¹ pêtl¹ oraz

wielkoœci 1/

β

(odwrotnoœci transmitancji uk³a-

du sprzê¿enia zwrotnego) w funkcji czêstotli-

woœci. Warto przypomnieæ, ¿e np. dla uk³adu

wzmacniacza odwracaj¹cego

β

= R1/(R1 +

R2). Uk³ad jest stabilny jeœli wzajemne nachy-

lenie dwóch wymienionych charakterystyk

w punkcie przeciêcia jest mniejsze ni¿

40 dB/dekadê (rys. 3).

(mn)

n

Za dostarczenie materia³ów dziêkujemy firmie GAM-

MA, tel./fax [phone], www.gam-

ma.pl, e-mail: info

@

gamma.pl. Firma ta oferuje uk³ady

Microchipa.

wzmacniacza powinny byæ mo¿liwie jak naj-

krótsze.

5. Trzeba zachowaæ ostro¿noœæ pamiêtaj¹c, ¿e

wzmacniacze ze wzglêdu na bardzo du¿¹ re-

zystancjê wejœciow¹ s¹ wra¿liwe na ³adunki

elektrostatyczne.

Problemy stopnia wejœciowego

1. Nale¿y dok³adnie sprawdziæ, jaki jest dopu-

szczalny zakres napiêcia wejœciowego wzmac-

niacza. W przypadku przekroczenia tego za-

kresu napiêcie na wyjœciu wzmacniacza stanie

siê równe jednemu z napiêæ na szynach zasi-

laj¹cych.

2. Jeœli projektuje siê uk³ad o du¿ym wzmoc-

nieniu, to trzeba koniecznie uwzglêdniæ na-

piêcie niezrównowa¿enia wzmacniacza. Jest

ono wzmacniane wraz z sygna³em u¿ytecznym

i mo¿e zdominowaæ wynikowy sygna³ uzyski-

wany na wyjœciu.

Pasmo

1. Jeœli na wyjœciu otrzymuje siê sygna³ zmien-

nopr¹dowy o wartoœci mniejszej od spodziewa-

nej, to zapewne nale¿y zastosowaæ wzmac-

niacz o szerszym paœmie czêstotliwoœci.

2. Niestabilnoœæ mo¿na w najprostszy sposób

usun¹æ w³¹czaj¹c kondensator równolegle

z rezystorem w pêtli sprzê¿enia zwrotnego.

3. Trzeba sprawdziæ obliczenia stabilnoœci

Fizycy z Laboratoriów Bella firmy Lucent

Technologies skonstruowali mikroskopijn¹

huœtawkê poruszaj¹c¹ siê pod wp³ywem

du¿ej i wszechobecnej si³y, której istnienie

przewiduje mechanika kwantowa. Wynik

eksperymentu stanowi potwierdzenie teorii

sprzed 50 lat i mo¿e mieæ zastosowanie

w praktyce. Eksperyment, dowodzi znacze-

nia, jakie dla projektowania uk³adów me-

chanicznych w nanoskali maj¹ s³abo je-

szcze poznane zjawiska fizyczne. Pozwala

to mieæ nadziejê, ¿e umo¿liwi¹ one kon-

struowanie niezwykle precyzyjnych czujni-

ków. Mikroskopijna huœtawka jest najnow-

szym osi¹gniêciem fizyków prowadz¹cych

prace nad uk³adami mikroelektromecha-

nicznymi (MEMS), czyli miniaturowymi uk³a-

dami niezbêdnymi do budowy ró¿nych urz¹-

dzeñ _ od skomplikowanych prze³¹czni-

ków optycznych, u¿ywanych w nowocze-

snych sieciach teleinformatycznych, a¿ po

si³owniki wyzwalaj¹ce poduszki powietrz-

ne. Zgodnie z zasadami mechaniki kwanto-

wej, nawet w pustej przestrzeni (pró¿ni) wy-

stêpuje pewna energia, znana jako energia

pró¿ni lub energia punktu zerowego. Model

ten ró¿ni siê od klasycznego rozumienia

pró¿ni jako ca³kowicie pustej przestrzeni,

w której brak jakiejkolwiek energii. W opisie

kwantowym, w pró¿ni unosz¹ siê chmury

wirtualnych fotonów wytwarzaj¹cych bezu-

stannie oscyluj¹ce pola elektromagnetycz-

ne. W 1948 r. holenderski fizyk Hendrik Ca-

simir przewidzia³, ¿e energia pró¿ni powin-

na powodowaæ wzajemne przyci¹ganie siê

dwóch, umieszczonych bardzo blisko siebie,

niena³adowanych p³ytek metalowych. Fizy-

cy dokonali pierwszego precyzyjnego pomia-

ru tej zagadkowej ”si³y Casimira” dopiero

w 1997 r. Fizycy z Laboratoriów Bella doszli

niedawno do wniosku, ¿e si³a Casimira mo-

¿e zostaæ wykorzystana do wychylania elek-

tromechanicznej mikrohuœtawki. Skonstru-

owali wiêc huœtawkê, za któr¹ pos³u¿y³a

miniaturowa metalizowana p³ytka zawie-

szona na zawiasach równolegle do po-

wierzchni p³ytki krzemowej. Nastêpnie tu¿

nad huœtawkê opuœcili wisz¹c¹ na drucie po-

z³acan¹ kulê _ wtedy uk³ad eksperymental-

ny uzyska³ cechy zbli¿one do uk³adu dwóch

równoleg³ych p³ytek; zgodnie z teori¹ Casi-

mira huœtawka zosta³a przyci¹gniêta do ku-

li. Oznacza to, ¿e zjawiska mechaniki kwan-

towej odgrywaj¹ istotn¹ rolê w uk³adach

mikroelektromechanicznych, w których od-

leg³oœæ miêdzy poszczególnymi elementa-

HUŒTAWKA PORUSZAJ¥CA SIÊ POD WP£YWEM SI£Y KWANTOWEJ

mi mierzy siê w nanometrach. Opis ekspe-

rymentu mo¿na znaleŸæ na stronie interne-

towej Science Express Web pod adresem:

http://www.sciencemag.org/featu-

re/express/expresstwise.shl.

Laboratoria Bella zatrudniaj¹ 30 tys. pra-

cowników w 30 krajach i s¹ najwiêkszym na

œwiecie oœrodkiem badawczo-rozwojowym

zajmuj¹cym siê telekomunikacj¹ oraz naj-

wa¿niejszym œwiatowym Ÿród³em nowych

rozwi¹zañ. Od 1925 r. Laboratoria Bella do-

kona³y ponad 28 tys. wynalazków. Odegra-

³y kluczow¹ rolê w wynalezieniu lub w udo-

skonaleniu najwa¿niejszych osi¹gniêæ dwu-

dziestego wieku, w tym tranzystorów, sieci

cyfrowych i przetwarzaniu sygna³ów, lase-

rów i systemów telekomunikacji œwiat³owo-

dowej, satelitów telekomunikacyjnych, mo-

demów, telefonii komórkowej, elektronicz-

nych central telefonicznych i systemu to-

nowego wybierania numerów telefonicz-

nych. Naukowcy z Laboratoriów Bella otrzy-

mali szeœæ Nagród Nobla w dziedzinie fizy-

ki, dziewiêæ Narodowych Medali Nauki USA

i szeϾ Narodowych Medali Techniki USA.

Wiêcej informacji o laboratoriach Bella mo¿-

na znaleŸæ na stronach http://www.bell-

labs.com.

(cr)