Parametry dynamiczne tranzystora PNFET

Wśród elementów schematu zastępczego wyróżnia się:

g

gs

– konduktancja wejściowa (o bardzo małej wartości, występującą

w obwodzie wejściowym G-S), która fizycznie jest konduktancją
różniczkową złącza p-n spolaryzowanego zaporowo,

g

gd

– konduktancja oddziaływania wstecznego (definiowaną podobnie),

g

ds

– konduktancja wyjściowa (występującą w obwodzie D-S), którą

wyznacza się ze stosunku przyrostu prądu drenu

∆∆∆∆

I

D

do przyrostu napięcia

drenu

∆∆∆∆

U

DS

, przy ustalonym napięciu bramki U

GS

.

W zakresie liniowym g

ds

przyjmuje dość duże wartości, a w zakresie nasycenia jest

bardzo małe.

g

m

– transkonduktancja, określana jest jako stosunek przyrostu prądu drenu

∆∆∆∆

I

D

do przyrost napięcia bramki

∆∆∆∆

U

GS

przy ustalonym napięciu drenu U

DS

.

Jest to jeden z najważniejszych parametrów tranzystorów polowych określający
właściwości wzmacniające tranzystora. Duże wartości transkonduktancji otrzymuje się
w tranzystorach z krótkimi kanałami i dla dużych ruchliwości nośników.

Występujące na schemacie zastępczym pojemności C

gs

oraz C

gd

są

składowymi pojemności złączowej złącza p-n (między bramką i kanałem).

Częstotliwość graniczna f

m

– jest to częstotliwość, przy której prąd płynący

przez pojemność wejściową jest równy prądowi dostarczanemu przez źródło
prądowe g

m

u

gs

.

Częstotliwość graniczna tranzystora JFET nie zależy od szerokości kanału. Jest większa
przy mniejszych długościach kanału i większych jego głębokościach. Duży wpływ na
częstotliwość ma przewodność kanału.

Tranzystory z kanałem typu n są „szybsze”, gdyż ruchliwość elektronów jest
większa od ruchliwości dziur.

Elektryczny schemat zastępczy tranzystora JFET dla małych

sygnałów i średnich częstotliwości.

G

C

gs

S

g

gs

g

ds

C

ds

g

gd

C

gd

g

m

u

gs

D

S