Umocnienie metali i
stopów
Umacnianie metali - wprowadzenie
Teoretyczna wytrzymałość monokryształów czystych metali ( G/30) jest o kilka
rzędów wielkości większa niż wyznaczona doświadczalnie dla rzeczywistych
monokryształów (od 10
-4
do 10
-8
G) – powód – obecność dyslokacji.
Przykład: G/30 dla aluminium wynosi 0,9 GPa, w rzeczywistości jest 0,78 MPa.
Jak można zwiększyć tą małą wytrzymałość? Recepta jest prosta – wyeliminować
dyslokacje (cienkie whiskersy) lub ograniczyć im możliwość ruchu.
Umacnianie metali = ograniczenie ruchu dyslokacjom
Whiskersy, monokryształy w postaci włókien o bardzo małych średnicach, posiadające
idealną budowę krystaliczną (czasami rzeczywiście bez dyslokacji), dysponują
wytrzymałością zbliżoną do tej teoretycznej.
Metale odkształcają się plastycznie przed ostatecznym zniszczeniem. Ta
plastyczna
deformacja metali występuje wskutek ruchu dyslokacji. Stosunkowa łatwość
ruchu
dyslokacji w metalach, będąca konsekwencją dość niskiej wytrzymałości wynika
ze
specyfiki wiązania metalicznego.
Wpływ typu wiązania międzyatomowego
na wytrzymałość materiału
Granica plastyczności – opór przeciw poślizgowi
(ruchowi) dyslokacji, który wzrasta wraz ze wzrostem
kierunkowości i sztywności wiązania między atomami.
Metody umacniania metali
• Umocnienie roztworowe (przez tworzenie roztworu
stałego),
Wewnętrzne pola naprężeń wokół rozpuszczonych atomów oddziałują
wzajemnie z polami naprężeń wokół dyslokacji
• Umocnienie granicami ziarn (przez rozdrobnienie
ziarna)
,
Granice ziarn jako blokady na drodze poruszających się dyslokacji
• Utwardzanie dyspersyjne,
Wewnętrzne pola naprężeń od cząstek dyspersyjnych oddziałują z polami
naprężeń wokół dyslokacji
• Utwardzanie wydzieleniowe,
Wydzielenia w osnowie matrycy z „mocnymi" strukturami krystalicznymi
działają jako blokady na drodze poruszających się dyslokacji
• Umocnienie odkształceniowe (dyslokacyjne),
Unieruchomione dyslokacje blokują ruch poruszającym się dyslokacjom
• Umocnienie przez przemianę martenzytyczną
(hartowanie),
Wykorzystanie przemian fazowych do otrzymywania drobnych silnie
odkształconych składników mikrostruktury
Przykłady umocnienia
roztworowego metali
Przykłady umocnienia
roztworowego metali
Umocnienie roztworowe
Możliwe oddziaływania pomiędzy dyslokacjami i obcymi rozpuszczonymi atomami:
Sprężyste
- Pole naprężeń wokół dyslokacji oddziałuje z polem naprężeń wokół obcego
atomu
Chemiczne
- Zmiana energii błędu ułożenia w obecności obcych atomów
Elektryczne
- oddziaływanie elektrostatyczne pomiędzy różnymi ładunkami dyslokacji i
obcego atomu (powstanie dipolu elektrycznego)
Geometryczne
- oddziaływanie poruszających się dyslokacji z lokalnymi zgrupowaniami obcych
atomów tworzących porządek bliskiego zasięgu
We wszystkich przypadkach wymienione interakcje pomiędzy dyslokacjami i
obcymi
rozpuszczonymi atomami umacniają metale na dwa sposoby:
- poprzez przyciąganie => mechanizm kotwiczenia dyslokacji przez grupujące
się w ich bliskim sąsiedztwie atomy
- poprzez odpychanie => dyslokacje muszą „przeciskać się” pomiędzy atomami
Oddziaływanie sprężyste dyslokacji z obcym
atomem
Możliwe zniekształcenia w sieci krystalicznej rozpuszczalnika
wywołane przez
obcy atom:
• Zniekształcenie symetryczne – atomy różnowęzłowe w
metalach o sieci A1 i A2 oraz atomy międzywęzłowe w
metalach o sieci A1,
• Zniekształcenie tetragonalne – atomy międzywęzłowe w
metalach o sieci A2, np. węgiel w żelazie .
Wpływ obcych atomów na umocnienie roztworów
stałych
Metal
macierzysty
Typ obcego atomu
Koncentrac
ja obcych
atomów c
at
Stopień
umocnienia
d
o
/dc
at
Al (A1)
Atomy substytucyjne
10
-2
G/10
Cu (A1)
Atomy substytucyjne
G/20
Fe (A2)
Atomy substytucyjne
G/16
Nb (A2)
Atomy substytucyjne
G/10
Ni (A1)
Atomy międzywęzłowe
G/10
Cu (A1)
napromieniowana
Atomy międzywęzłowe
Cu
10
-4
9G
Fe (A2)
Atomy międzywęzłowe
C
5G
Nb (A2)
Atomy międzywęzłowe
N
5G
Oddziaływanie błędu ułożenia z obcymi atomami
–
„efekt Suzukiego”
Umocnienie występuje wtedy gdy obce atomy wykazują inną
rozpuszczalność
wokół błędu ułożenia niż w obrębie matrycy
Gdy obce atomy wykazują większą rozpuszczalność wokół BU:
A: (Stan nierównowagowy)
Dyslokacje i BU.
Obce atomy o takiej samej koncentracji c
o
w matrycy i wokół BU.
B: (Stan równowagowy)
Obce atomy o koncentracji c
o
w matrycy,
i c
1
( > c
o
) wokół BU (obce atomy dyfundują do BU).
W tym przypadku energia BU (na jednostkę powierzchni) jest mniejsza,
co powoduje poszerzenie „wstęgi” BU, a to z kolei powoduje:
Zmniejszenie napięcia liniowego dyslokacji
Zmniejszenie całkowitej energii dyslokacji
Wokół BU powstaje gradient koncentracji obcych atomów, co jest
źródłem
siły chemicznej blokującej ruch dyslokacji
Oddziaływanie elektryczne pomiędzy dyslokacją i
obcym atomem
• Podobny charakter oddziaływania do sprężystego
oddziaływania obcego atomu wywołującego odkształcenie
symetryczne sieci rozpuszczalnika, ale kilka razy mniejsze
(ok. sześciokrotnie)
• Gęstość elektronów przewodnictwa jest większa w obszarze
rozciąganym –poniżej dodatkowej półpłaszczyzny i mniejsza w
obszarze ściskanym – powyżej dodatkowej półpłaszczyzny.
• Efekt – tworzy się dipol elektryczny wzdłuż dyslokacji, który
oddziałuje z ładunkiem obcego atomu o odmiennej
wartościowości niż atom osnowy.
Efekty oddziaływania dyslokacji z obcymi
atomami
Blokowanie dyslokacji – obce atomy gromadzą się wokół dyslokacji
Blokowanie sprężyste – Atmosfery Cottrella, efekt wyraźnej R
pl
i
związane
z nią zjawisko starzenia odkształceniowego,
Blokowanie chemiczne – „Suzuki effect”,
Blokowanie elektrostatyczne – dipol elektryczny.
Utrudnianie ruchu dyslokacji – obce atomy stanowią bariery dla ruchu
dyslokacji:
Obce atomy jako silne rozproszone przeszkody,
Obce atomy jako słabe rozproszone przeszkody.
Mechanizm blokowania dyslokacji –
blokowanie sprężyste
Mała liczba przypadków, ale o wielkim
znaczeniu:
Miedzywęzłowe atomy C, N w żelazie i
innych
metalach o sieci A2
Luka oktaedryczna w
środku
ściany komórki sieci
A2
Odległość A-A jest mniejsza niż B-B, i określa
rozmiar atomu miedzywęzłowego.
Rzeczywiste stosunki promieni atomowych:
Efekt: każdy atom międzywęzłowy wytwarza
wokół siebie niesymetryczne pole
naprężeń (zniekształcenie tetragonalne
sieci)
Pola naprężeń o charakterze hydrostatycznym
i tnącym oddziałują zarówno z
dyslokacjami krawędziowymi jak i
śrubowymi.
Niedopasowanie, δ = ~ 10 % do 100%
A
155
,
0
.
int
host
r
r
62
,
0
Fe
C
r
r
52
,
0
Fe
N
r
r
Atmosfery Cottrella – „kotwiczenie” dyslokacji
Trzy cechy atomów międzywęzłowych w metalach o
sieci A2
czynią je bardzo silnie umacniającymi ośrodkami:
•Wytwarzają bardzo duże pola naprężeń sprężystych
wokół siebie
- dzięki umiejscawianiu się w pobliżu dyslokacji
obniżają ich energię
•wytwarzają pola naprężeń o charakterze
hydrostatycznym i tnącym
- kotwiczą w ten sposób dyslokacje krawędziowe i
śrubowe
•Mogą szybko dyfundować, nawet w temperaturze
pokojowej
- dlatego mogą „znajdować” dyslokacje w ciągu kilku
godzin lub dni.
Wyraźna granica plastyczności i zjawisko
starzenia odkształceniowego
Mechanizm utrudniania ruchu dyslokacji – siły
działające
na poruszającą się dyslokację
Klasyfikacja przeszkód ograniczających ruch dyslokacji:
Silne i słabe przeszkody – zależy to od kąta do jakiego może wygiąć się dyslokacja zanim
przedrze się przez nie,
Rozproszone i skupione – zależy to od tego czy siła ich oddziaływania ogranicza się do
małego odcinka linii dyslokacji (siła skupiona), czy też rozkłada się równomiernie na
większej jej długości (siła rozłożona)
Rozłożone siły od obcych atomów:
Siły rozłożone od obcych atomów mogą wyginać dyslokacje w łuk o promieniu R:
R=Gb/
i
Gb/2
i
,
gdzie:
i
- wewnętrzne naprężenie ścinające wytworzone przez każdy obcy atom w osnowie
Silne oddziaływanie (od silnych przeszkód) sprawia że R , a słabe że R - średnia
odległość między obcymi atomami
Obce atomy jako silne rozproszone przeszkody –
oddziaływanie dalekiego zasięgu
Silne rozproszone przeszkody – obce atomy wywołujące tetragonalne zniekształcenie sieci
rozpuszczalnika.
Jeśli R< λ, linia dyslokacji może się dość mocno wyginać, znajdując kształt o minimalnej
energii, przy przedzieraniu się przez szyk centrów naprężeń wokół obcych atomów.
Linia dyslokacyjna ma tendencję do omijania przeszkód po jednej na raz.
„Silne oddziaływania" kontrolują kształt linii dyslokacyjnej.
Obce atomy jako słabe rozproszone przeszkody –
oddziaływanie bliskiego zasięgu
Słabe rozproszone przeszkody – obce atomy wywołujące symetryczne zniekształcenie sieci
rozpuszczalnika.
Jeśli R > λ, linia dyslokacyjna nie może wyginać się dość mocno tak, aby przemknąć pomiędzy obcymi
atomami.
Dyslokacje poruszają się segmentami o długości (L) znacznie większej niż średnia odległość miedzy
obcymi
atomami λ.
Napięcie liniowe dyslokacji (T= Gb
2
) ma silny wpływ na kształt linii dyslokacyjnej.
Umocnienie roztworowe – mechanizm
utrudniania
ruchu dyslokacji
Wzrost naprężenia uplastyczniającego wywołanego przez obce atomy:
gdzie:
L – efektywna odległość pomiędzy obcymi atomami w osnowie rozpuszczalnika
f
max
– maksymalna siła oporu działająca na poruszającą się dyslokację,
b – wektor Burgersa
Przybliżone obliczenia siły oporu f
max
(wykonane przez Fleischera) dla:
Tetragonalnego zniekształcenia mieszczą się w zakresie: Gb
2
/5 to Gb
2
/10;
Symetrycznego zniekształcenia mieszczą się w przedziale: Gb
2
/100 to Gb
2
/120
.
Według teorii Friedela-Fleischera:
o
Gc
1/2
;
Według teorii Nabarry
:
o
Gc
2/3
;
gdzie:
- współczynnik proporcjonalności:
dla zniekształcenia tetragonalnego: jest mniejszy od jedności, ale rzędu wielkości z zakresu od 0,1 do 1,0;
dla zniekształcenia symetrycznego: jest dużo mniejszy od jedności, oszacowany (przez Fleischera) jako:
s3/2
/700
(0,4
s
<3 dla monokryształów stopów miedzi);
G – moduł sprężystości poprzecznej,
c – atomowa koncentracja obcych atomów
L
b
f
max
0
Wytrzymałość umocnionych roztworów
Efekt umocnienia, a zrazem
wytrzymałość roztworu, jest
proporcjonalny do:
1. Ilości obcych atomów (c- ich
koncentracji w roztworze)
2. Stopnia niedopasowania, δ
(r
s
-r
m
/r
m
)
3. Modułu sprężystości
poprzecznej rozpuszczalnika (G)
Wytrzymałość umocnionych roztworów
Efekty umocnienia roztworowego czystego aluminium (Al) przez wybrane pierwiastki stopowe.
Wytrzymałość/zawartość składnika
R
pl
/% składnika
R
m
/% skladnika
Składnik
Różnica promieni
atomowych,
r
x
-r
A
/r
A
, %
MPa/at%
MPa/wt%
MPa/at%
MPa/wt%
Zn
-7.0
6.6
2.9
20.7
15.2
Cu
-10.5
16.2
13.8
88.3
43.1
Mg
+11.9
18.6
17.2
51.0
50.3
Si
-18.2
9.3
9.2
40.0
39.6
Mn
-21.7
-
(a)
30.3
-
(a)
53.8
(a) 1%at Mn nie rozpuszcza się w Al