T4 pytania opracowanie final


TTL (Transistor-Transistor Logic) ą klasa cyfrowych układów scalonych.
CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) ą szczególna technologia
półprzewodnikowa, która wymaga bardzo małego zasilania.
Parametry statyczne bramek: Parametry dynamiczne bramek:
UCC ą napięcie zasilania; tpLH ą czas propagacji do stanu 1 na
UIH ą napięcie wejściowe w stanie 1; wyjściu, jest to czas mierzony od chwili
UIL ą napięcie wejściowe w stanie 0; osiągnięcia przez zbocze przebiegu
UOH ą napięcie wyjściowe w stanie 1; wejściowego wartości 1,5 V do chwili,
UOL ą napięcie wyjściowe w stanie 0; kiedy napięcie na wyjściu wzrośnie od
IIH ą prąd wejściowy w stanie 1; poziomu L do wartości 1,5 V;
IIL ą prąd wejściowy w stanie 0; tpHL ą czas propagacji do stanu 0 na
IOH ą prąd wyjściowy w stanie 1; wyjściu, jest to czas mierzony od chwili
IOL ą prąd wyjściowy w stanie 0; osiągnięcia przez zbocze przebiegu
IOS ą prąd wyjściowy zwarcia; wejściowego wartości 1,5 V do chwili,
ICCL ą prąd zasilania w stanie 0 na kiedy napięcie na wyjściu zmniejszy się
wyjściu; od poziomu H do wartości 1,5 V;
ICCH ą prąd zasilania w stanie 1 na tp ą średni czas propagacji tp = (tpLH +
wyjściu; tpHL) / 2;
N ą obciążalność bramki; ttLH ą czas narastania impulsu
PS ą straty mocy w bramce. wyjściowego;
ttHL Ä… czas opadania impulsu
wyjściowego.
1. Skale integracji (stopnie scalenia) układów scalonych ą przykłady układów
odpowiadajÄ…cych tym skalom (stopniom scalenia).
małej skali integracji (dziesiątki tranzystorów; SSI ą small scale of integration);
średniej skali integracji (setki tranzystorów; MSI ą medium scale of integration);
dużej skali integracji (dziesiątki tysięcy tranzystorów; LSI ą large scale of integration);
wielkiej skali integracji (setki tysięcy tranzystorów; VLSI ą very large scale of integration);
ultrawielkiej skali integracji (miliony tranzystorów; ULSI ą ultra large scale of integration);
gigantycznej skali integracji (setki milionów tranz.; GLSI ą giant large scale of integration).
2. Typowe i graniczne wartości napięć zasilania, napięć wejściowych i wyjściowych oraz
czasów propagacji dla bramek TTL i CMOS serii 4000, 74C00, 74AC00, 74ACT00.
TTL CMOS (4000, 74C00) CMOS (74AC00, 74ACT00)
Parametr
MIN NOM MAX MIN NOM MAX MIN NOM MAX
Napięcie zasilania [V] 4,5 5 5,5 3 18 2 6
Napięcie wejściowe w stanie wysokim [V] 2 0,1 1
Napięcie wejściowe w stanie niskim [V] 0,8 0,1 1
Napięcie wyjściowe w stanie wysokim [V] 2,4 3,4 2,5 3,8
Napięcie wyjściowe w stanie niskim [V] 0,2 0,4 0,4 0,4
Czas propagacji [ns] 3,5 Ä… 9 125 3
3. Definicje i typowe wartości napięć i prądów w standardowej bramce TTL: UIH, IIH, UIL, IIL,
UOH, IOH, UOL, IOL. Podać podstawowe parametry układów scalonych CMOS serii 4000 (np.
4007UBP): VDD (napięcie zasilania), tp, UIL, UIH, PD (moc rozpraszana) i porównać je z
odpowiednimi parametrami bramki standardowej TTL.
Tabelka z poprzedniego zadania oraz:
TTL (SN7400): IIH = max 40 źA, IIL = max -1,6 mV, IOH = max -0,4 mA, IOL = max 16 mV;
CMOS (4000B): PD = 0,001 mW.
4. Współczynniki obciążalnoÅ›ci wejÅ›cia (ang. Ä… fan-inº) i obciążalnoÅ›ci wyjÅ›cia (ang. Ä… fan-
outº) i ile one wynoszÄ… dla bramki TTL i bramki CMOS serii 4000? Charakterystyki
przejściowe UO=f(UI) i poboru prądu ze zródła zasilania ICC=f(UI) dla bramek TTL i
IDD=f(UI) dla bramek CMOS, marginesy odporności na zakłócenia i sens wprowadzenia
takich marginesów.
obciążalność wejścia ą liczba mówiąca, ile razy dane wejście stanowi większe obciążenie niż
wejście standardowe (typowo TTL ma 1, lub 2 wejścia, zaś CMOS ą 4 dla NOR, 6 dla NAND);
obciążalnośc wyjścia ą liczba mówiąca iloma standardowymi wejściami można obciążyć dane
wyjście (dla TTL zazwyczaj 10, zaś dla CMOS do 50).
Margines zakłóceń ą określa dopuszczalną wartość amplitudy sygnału zakłócającego, która nie
powoduje jeszcze nieprawidłowej pracy układu. Minimalne gwarantowane wartości to MHmin =
MLmin = 0,4 V. W praktyce są większe: MHmin = 2,1 V, zaś MLmin = 1,2 V.
5. Co oznaczajÄ… okreÅ›lenia Ä… bramka z wyjÅ›ciem aktywnymº (ang. Ä… totem-pole outputº),
Ä… bramka z otwartym kolektoremº (ang. Ä… OC-output, Open-Collector outputº) bramka z
wyjściem trójstanowym (ang. Tri-state output)? Narysować schematy i podać zalety takich
wyjść.
Bramka z wyjściem aktywnym ą bramka mająca na wyjściu wzmacniacz przeciwsobny.
Wyjście wtedy jest utrzymywane w stanie wysokim lub niskim przez włączony tranzystor
bipolarny lub polowy tranzystor MOS. Niemal wszystkie układy cyfrowe mają tego typu
wyjście (tzn. z obciążeniem aktywnym, w przypadku układów TTL używa się również terminu
angielskiego totem-pole), ponieważ daje ono małą wartość impedancji wyjściowej w obu
stanach i większą odporność na zakłócenia niż np. pojedynczy tranzystor z pasywnym
obciążeniem rezystancyjnym. W przypadku układów CMOS rozwiązanie to zapewnia również
mniejszÄ… moc zasilania.
Bramka z otwartym kolektorem ą bramka, w której obwodzie wyjściowym nie ma rezystora
obciążającego tranzystor wyjściowy. Obciążenie RL jest dołączane na zewnątrz bramki i
zapewnia wysoki poziom napięcia wyjściowego, gdy tranzystor T3 jest odcięty. Stosowane są do
realizacji połączeń szynowych, tzn. połączeń
wielu wyjść układów cyfrowych sterujących
wspólnie wejściami innych układów. Wadą
tych układów jest duża rezystancja wyjściowa,
zwiększająca czas propagacji przy obciążeniu
pojemnościowym. Wartość rezystora
obciążenia dobierana jest tak by zapewnić
wartość napięcia w stanie wysokim 2,4 V oraz
0,4 V dla stanu niskiego.
Bramka z wyjściem trójstanowym ą układ przeznaczony do realizacji połączeń szynowych
(magistrali danych) lecz o znacznie lepszych parametrach czasowych niż układy z OC.
Charakteryzuje się występowaniem trzeciego stanu, tzn. stanu dużej rezystancji wyjściowej.
Dodatkowe wejście OE (output enable) umożliwia przełączanie układu do stanu dużej
rezystancji wyjściowej.
6. Co oznaczają symbole: H, L, S, LS, F, AS, ALS występujące w oznaczeniu bramki TTL,
np. UCY74S00N, i czym tak oznaczone bramki różnią się od bramki standardowej?
SÄ… to odmiany bramki TTL:
H (High speed) ą wersja szybsza od standardowej, ale o większym poborze mocy;
L (Low power) ą wersja o małym poborze mocy, ale wolniejsza od standardowej;
S (Schottky) Ä… odmiana szybka, której tranzystory zawierajÄ… dodatkowoÄ… diodÄ™ Shottky©ego
włączoną równolegle do złącza kolektor-baza i zabezpieczającą tranzystor przed
nasyceniem;
LS (Low power Schottky) ą wersja S o znacznie niższym poborze prądu, zbliżonym do
standardowej bramki, główna seria układów TTL, stosowana w większości zastosowań;
F (Fast) Ä… nowoczesna, najszybsza seria TTL;
AS (Advanced Schottky) ą ulepszona seria S, charakteryzuje się jeszcze większą szybkością
działania;
ALS (Advanced Low power Schottky) ą unowocześniona seria LS, z mniejszym poborem
mocy.
Co oznaczają symbole AC, ACT, HC, HCT, C ą występujące w oznaczeniach układów
scalonych, np. 74ACT00.
SÄ… to rodzaje bramek CMOS:
AC ą Advanced CMOS, z parametrami między TTL serii S a F;
ACT ą Advanced CMOS Logic (zbliżone szybkością do TTL serii AS);
HC ą High Speed CMOS, szybkość i obciążalność wyjść zbliżona do TTL serii LS;
HCT ą wersja CMOS ściśle odpowiadająca układom TTL serii LS;
C Ä… podstawowa.
Czym będą różniły się bramki oznaczone: 7400, 74C00, 74AC00, 74ACT00?
Będą się różniły: napięciem zasilania, mocą rozpraszaną, czasem propagacji, maksymalną
częstotliwością pracy, poborem prądu i szybkością działania. TTL ma większy pobór prądu niż
układy wykonane w technologii CMOS, ale układy tego typu są szybsze.
7. Zbudować 2-wejściową bramkę (narysować schemat): a) NAND-CMOS, b) NOR-CMOS,
napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk
przejściowych użytych tranzystorów.
Charakterystyka tranzystora N Charakterystyka tranzystora P


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Pytania opracowane na Matysiaka (1)
pytania opracowane obrazy
Hydro pytania opracowane
Pytania opracowanie Burkiewicz
ptw pytania opracowane do siwka
Egzamin pytania opracowane
Przykładowe pytania i opracowania na egzamin pytania na egzamin psychologia
Pytania opracowane na silniki
Pytania z opracowaniem na egzamin z Mechaniki Gruntów
UTF 8 LOG0 zagadnienia i opracowanie(FINAL)
Aumon Pytania opracowane
PZ PYTANIA OPRACOWANE
Marketing Opracowane Pytania Egzaminacyjne 2009 Furtak (46)
glajcar opracowane pytania z wejściówek
PRAWO RZYMSKIE opracowane pytania problemowe
patomorfologia opracowane pytania opisowe egzamin
Wytrzymałość Materiałów SIMR egzamin teoretyczny opracowane pytania

więcej podobnych podstron