Spektroskopia Auger’a

Proces Auger’a

Zależność wydajności procesu Auger’a

i emisji promieniowania X od liczby atomowej

Zależność wydajności promieniowania

X od energii wiązania elektronu

Auger- pierwiastki

Porównanie spektroskopii Auger’a i XPS

LEED (1)

Dyfrakcja elektronów powolnych

Davisson i Germer: doświadczalne obserwacje zjawiska dyfrakcji elektronów –

potwierdzenie równania Schrödingera i jednoczesna
konfirmacja równania de Broglie’a.

Energia cząstek dla długości fali 1Å

elektron: 150 eV
foton: 12,4 eV
neutron: 0,08 eV

LEED (2)

LEED-przykłady (3)

SEM

Secondary Electron Microscopy

Mikroskopia Elektronów Wtórnych

Zdjęcie HREM kryształu CdTe

SEM

Zdjęcia struktur polimerowych

Membrana polipropylenowa

Krystality PANI na powierzchni membrany

ISS

Ion Scattering Spectroscopy

Spektroskopia Rozpraszania Jonów

2

2

/

1

2

2

2

2

1

sin

cos

















































o

s

s

o

o

o

M

M

M

M

M

E

E

E

o

, M

o

+

+

E

1

, M

o

M

o

- He, Ne, Ar

E

o

- (200-5000)eV

ISS -czułość

ISS- przykładowe wyniki

SIMS

gdzie: A=2,4, B=80, C- stała równa dla wszystkich pierwiastków,

n- ilość zerwanych wiązań, X- elektroujemność.

S zależy od;

stopnia utlenienia, pracy wyjścia elektronu,

potencjału jonizacji, masy jonów, kąta wybicia
jonu, temperatury, energii jonów, efektów

`

neutralizacyjnych, kinetyki jonizacji, stabilności
wybitych jonów.





2

/

exp

X

nM

B

I

CA

S

s





M

o

- He, Ne, Ar

E

o

- (200-10000)eV

Secondary Ion Mass Spectroscopy

Spektroskopia Masowa Jonów Wtórnych

M

o

+

+

M

s

SIMS- czułość

S zależy od;

stopnia utlenienia
pracy wyjścia elektronu,
potencjału jonizacji
masy jonów
kąta wybicia jonu
Temperatury
energii jonów
efektów neutralizacyjnych
kinetyki jonizacji
stabilności wybitych jonów.

1,0
0,3

0,1

0,03

S

det

0 10 26 100 130

M

Wykres zależność czułości detektora
MS, S

det

, od masy atomowej dla jonów

gazów szlachetnych oraz metali

SIMS – przykłady wyników

Analiza powierzchni Si (100)

Analiza krzyształu Si(100) na głębokości 6 Å

Porównanie wyników otrzymanych

technikami SIMS i ISS

(Powierzchnia Au zanieczyszczona Cr

2

O

3

)

Porównanie technik ex situ

xx

11