Metody cieplno - chemiczne wykorzystuja polaczone dzialania ciepla i osrodka - przede wszystkim chemicznie aktywnego wzgledem obrabianego tworzywa - w celu pokrycia go i nasycenia danym pierwiastkiem , badz substancja chemiczna - tak aby uzyskac zadane zmiany skladu chemicznego i struktury warstwy powierzchniowej. Metody te pozwalaja uzyskac warstwy wierzchnie i powloki ochronne o grubosci od kilkudziesieciu mikrometrow do kilku milimetrow. Wsrod metod obrobki cieplno - chemicznych mozna wyroznic nasycenie dyfuzyjne przebiegajace z udzialem czynnika znacznie przyspieszajacego i aktywizujacego procesy ( poprzez zwiekszenie adsorpcji czynnika tworzacego warstwe i uaktywnienie powierzchni ) - co powoduje ze proces ten trwa znacznie krocej , a okreslany jest mianem wspomaganego . Potocznie nazwa ta obejmuje sie metody CVD ( Chemical Vapour Deposition) czyli chemiczne osadzanie z fazy gazowej. Chemiczne osadzanie z fazy gazowej (CVD) znalazlo obecnie wiele zastosowan praktycznych do otrzymania roznych cienkich warstw na roznych podlozach i materialach . W tradycyjnym rozwiazaniu - sa to tzw. niewspomagane metody CVD , ktore sa prowadzone zazwyczaj przy cisnieniu atmosferycznym. Tradycyjne metody CVD wymagaja stosowania wysokich temperatur koniecznych do rozkladu gazowych reagentow (pirolizy) ( rzedu 900 - 1100 C lub wiekszych) i/lub do przebiegu reakcji chemicznych - umozliwiajacych tworzenie sie warstw, co znacznie ogranicza zakres ich wykorzystania. W metodzie CVD warstwa nowego materialu tworzy sie na powierzchni ogrzewanego podloza na wskutek reakcji chemicznych zachodzacych w fazie gazowej lub w fazie pary (g) :

AB_(g) + CD_(g)  AC_(s) +BD_(g) (R1)

Oczywiscie mechanizm powstawania warstw jest bardziej skomplikowany i skladaja sie na niego szereg reakcji , zachodzacych w fazie gazowej jak i na granicy faz cialo stale - gaz. Reakcje te sa determinowane termodynamicznie i kinetycznie. Zasadnicza role spelnia tutaj temperatura prowadzenia procesu. Oprocz tego na tworzenie sie warstw ( szybkosc osadzania ) i jej wlasciwosci wplywaja takie parametry procesu jak : cisnienie i sklad gazu wprowadzanego do ukladu , czystosc reagentow , przygotowanie powierzchni materialu, etc.

Jako zrodla pierwiastkow z ktorych tworzy sie warstwe stosuje sie rozne substraty gazowe jak i ciekle - zwane prekursorami, ktorymi moga byc wodorki, halogenki( glownie chlorki ), karbonylki a takze lotne zwiazki metaloorganiczne , krzemoorganiczne etc. Prekursory w formie gazu lub pary doprowadza sie do komory reaktora najczesciej za pomoca tzw. gazow nosnych ( jak np. argon , hel) jak i/lub gazow nosnych ktore moga brac udzial w reakcjach chemicznych prowadzacych do powstania warstw ( jak np. azot , metan , wodor , amoniak , tlen ) lub mieszaniny tych gazow

2. PACVD/PECVD (ang.Plasma Assisted (Enhanced) Chemical Vapour Deposition).

Bardzo atrakcyjne i perspektywiczne wydaja sie metody nanoszenia cienkich warstw z wykorzystaniem plazmy niskocisnieniowej wyladowania jarzeniowego - czyli metody PACVD (ang. Plasma Assisted Chemical Vapour Deposition) , PECVD - ( Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition ). Metody te umozliwiaja zarowno osadzanie cienkiego filmu na materiale przewodzycym prad (wyladowanie stalopradowe , zmiennopradowe ) jak i na materialach nie przewodzacych prad elektryczny ( wyladowanie pradow czestotliwosci radiowej i niskiej ) . W swej istocie proces PACVD jest procesem CVD wspomaganym plazma wyladowania jarzeniowego , majacy na celu wytwarzanie twardych warstw powierzchniowych lub warstw wykazujacych specjalne wlasciwosci powierzchniowe i objetosciowe ( np. ochronne - antykorozyjne , tribologiczne , wysoka przewodnosc termiczne , odpornosc na scieranie etc. ). W procesie tym zachodza reakcje chemiczne w warunkach aktywacji elektrycznej srodowiska gazowego pod obnizonym cisnieniem. Ogolnie technika PACVD wykorzystuje zalety CVD ( min. rownomierne osadzanie warstw na roznych materialach , takze o skomplikowanych ksztaltach ) z rownoczesna eliminacja ich wad ( wysoka temperatura w ktorej zachodzi proces w technice CVD ). Stosowanie wyladowania jarzeniowego moze byc uzyte do wspomagania i przyspieszania procesow chemicznych wykorzystywanych w procesach CVD , oprocz tego pod wzgledem energetycznym proces osadzania jest korzystny poniewaz , ten rodzaj plazmy ( tj. plazma niskocisnieniowa) pobiera znacznie mniej energii niz inne rodzaje plazmy oraz zuzywa mniej energii w porownaniu z metodami termicznymi CVD. Zimna plazma powstajaca podczas wyladowania jarzeniowego w technikach PACVD dostarcza jednolity strumien czastek aktywnych chemicznie ( np. dodatnich jonow , neutralnych czastek , metastabilnych czastek , elektronow i fotonow ) ktorych energia i strumien moga byc kontrolowane. Na tworzenie sie warstwy wierzchniej mozna wplywac przez zmiane takich wielkosci jak : parametry pradowo - napieciowe wyladowania jarzeniowego , temperatura substratow , sklad chemiczny i cisnienie gazu , szybkosc przeplywu gazow (strumien) , wlot ( polozenie) substratow wzgledem elektrod i strumienia gazu oraz przez odpowiednie przygotowanie powierzchni obrabianej. Ogolnie w procesach tworzenia sie warstw wierzchnich mozna wyroznic etapy , ktore pozostaja w rownowadze dynamicznej :

	Reakcje chemiczne w srodowisku gazowym , ktore warunkuja dostarczenie reaktywnych czastek pierwiastkow tworzacych warstwe wierzchnia.
	Dyfuzja tych czastek do powierzchni materialu podloza
	Chemisorpcja ( adsorpcja ) i desorpcja tych czastek na podlozu obrabianego materialu
	Procesy dyfuzji (migracji) , przemiany fazowe , dysocjacja czy reakcje chemiczne zachodzace na powierzchni ciala stalego.

Rys. 1 Schematryczne przedstwienie procesów zachodzacych w technologiach PACVD

zalecane zastosowanie: zakłady remontowe, stocznie, warsztaty blacharki samochodowej, składnice złomu

charakterystyka profesjonalne urządzenie do cięcia plazmą powietrzną stali, miedzi, aluminium i ich stopów oraz materiałów, które są trudne lub niemożliwe do cięcia gazowego w stosunku do tradycyjnych metod cięcia metalu zapewnia wielkokrotnie wyższą prędkość zapewnia dużą gładkość powierzchni cięcia materiału, co dla wielu półfabrykatów eliminuje dalszą obróbkę mechaniczną wyposażony jest w jonizator umożliwiający bezdotykowe zajarzanie łuku zapewnia bardzo małą strefę oddziaływania termicznego posiada funkcję "TEST" do analizowania obecności minimalnego ciśnienia powietrza zasilającego dzięki chłodzeniu znacznie wydłużona żywotność palnika ekonomiczny w stosowaniu, poprzez wykorzystywanie powietrza jako gazu plazmotwórczego

dane techniczne	PLAZMASTER 140 W
Znamionowe napięcie zasilania	380V,3~PE,50HZ
Pobór mocy z sieci:
dla pracy 50% PJ50	44kVA
dla pracy 80% PJ80	29kVA
dla pracy 100% PJ100	15kVA
Prąd zasilania:
dla pracy 50% PJ50	66A
dla pracy 80% PJ80	44A
dla pracy 100% PJ100	23A
Prąd cięcia:
dla pracy 50% PJ50	140A
dla pracy 80% PJ80	115A
dla pracy 100% PJ100	75A
Napięcie biegu jałowego:
dla zakresu 35A	200V
dla zakresu 55A	255V
dla zakresu 140A	310V
Grubość cięcia:
dla zakresu 75A	do 25mm
dla zakresu 75A i Uz=380V-10%	do 6mm
dla zakresu 115A	do 35mm
dla zakresu 140A	do 50mm
Cięcie jakościowe	do 35mm
Maksymalna grubość cięcia dla Al i Cu	do 35mm
Prędkość cięcia:
dla zakresu 75A i grub=3mm	8m/min
dla zakresu 75A i grub=15mm	0,6m/min
dla zakresu 115A i grub=5mm	8m/min
dla zakresu 115A i grub=20mm	0,6m/min
dla zakresu 140A i grub=10mm	5m/min
dla zakresu 140A i grub=35mm	0,4m/min
Ciśnienie powietrza zasilającego	0,45-1,0MPa
Zużycie powietrza	1,5-2,5m3/min
Stopień ochrony obudowy	IP21
Klasa izolacji transformatorów	F
Masa	200kg
Wymiary: szerokość/wysokość/długość	620x800x800mm
Klasa ochrony przeciwporażeniowej	(I)
Ilość cieczy chłodzącej	4l

---