Natryskiwanie plazmowe
Jedną z wielu technik wytwarzania materiałów gradientowych jest natryskiwanie plazmowe. Metoda ta polega na wprowadzeniu w strumień plazmy, najczęściej proszkowego materiału, gdzie następuje jego nadtopienie ( lub całkowite stopienie), po czym zostaje on z dużą prędkością naniesiony na podłoże. Istnieją przy tym dwie zasadnicze możliwości prowadzenia procesu natryskiwania. Pierwszy polega na wykorzystaniu jednego palnika, do którego wprowadzana jest stopniowo zmieniana mieszanina proszków. W drugim wariancie, wykorzystuje się system palników, z których każdy zasilany jest innym proszkiem. Zwłaszcza zastosowanie kilku palników pozwala na łatwe i wydajne prowadzenie procesu[7][4].
Fizyczne osadzanie z fazy gazowej (ang. Physical Vapour Deposition) jest to metoda polegająca na odparowaniu targetu na skutek działania ciepła lub bombardowania jonami. Jednocześnie zostaje wprowadzony gaz nośny umożliwiający przenoszenie par targetu na przedmiot ulepszany. Proces PVD przebiega w warunkach wysokiej próżni w temperaturach od 150 do 500 °C.
Źródło: "http://pl.wikipedia.org/wiki/Fizyczne_osadzanie_z_fazy_gazowej"
Chemiczne osadzanie z fazy gazowej (ang. Chemical vapour deposition) polega na wprowadzaniu do komory reakcyjnej najczęściej gazowych substratów, gdzie na gorącym podłożu zachodzą odpowiednie reakcje chemiczne]. Tradycyjne metody CVD wymagają stosowania wysokich temperatur koniecznych do zajścia pożądanych reakcji (rzędu 900 - 1100 C lub nawet większych), umożliwiających tworzenie się warstw, co znacznie ogranicza zakres ich wykorzystania. Dla otrzymania produktów reakcji stosuje się różne substraty gazowe jak i też ciekłe - zwane prekursorami, którymi mogą być wodorki, halogenki (głównie chlorki), karbonylki a także lotne związki metaloorganiczne, krzemoorganiczne etc. Prekursory w formie gazu lub pary doprowadza się do komory reaktora najczęściej za pomocą tzw. gazów nośnych obojętnych (np. argon, hel) jak i/lub gazów nośnych które mogą brać udział w reakcjach chemicznych prowadzących do powstania warstw (np. azot, metan, wodór, amoniak) lub mieszaniny tych gazów.
Źródło: "http://pl.wikipedia.org/wiki/Chemiczne_osadzanie_z_fazy_gazowej"
Plazma to gaz zjonizowanych cząstek o dużej koncentracji - współwystępują w nim zjonizowane atomy oraz elektrony, jednak cała objętość zajmowana przez plazmę z "globalnego" punktu widzenia jest elektrycznie obojętna. W stanie plazmy znajduje się ponad 99% materii tej części Wszechświata, która znajduje się w obszarze dostępnym dla ludzkiej obserwacji. Opór elektryczny plazmy, inaczej niż w metalach, maleje ze wzrostem jej temperatury. Uważa się ją za czwarty stan skupienia materii.
Plazmę umownie podzielić można na dwa typy:
Plazma zimna - o temperaturze od ok. 4 000 do 30 000 K wytwarzana jest w plazmotronach. Pewne ilości plazmy zimnej występują w środkowej części jonosfery z jednej strony zwiększając zasięg radiostacji krótkofalowych z drugiej wymuszając pozaziemską komunikację radiową (np. z astronautami) na zwiększonych częstotliwościach radiowych.
Plazma gorąca - występuje np. w materii, gdy ta jest doprowadzona do temperatury od 30 000 do 1 000 000 K (wnętrza gwiazd).
Wprowadzenie określenia plazmy przypisuje się amerykańskiemu fizykochemikowi, nobliście Irvingowi Langmuirowi w 1928.