1. Elementy i obwody elektroniczne.
1.1 Rezystory, kondensatory, indukcyjności, symbole, oznaczenia
1.2 Rezystancja, impedancja, admitancja, źródła zasilania dc, ac
1.3 I i II prawo Kirchhoffa. Analiza prostych obwodów.
2. Właściwości materiałów półprzewodnikowych (pp) i ich wykorzystanie
2.1 Budowa półprzewodników, nośniki ładunku elektrycznego
2.2 Półprzewodnik samoistny i domieszkowany, modele pasmowe
2.3 Prądy unoszenia i dyfuzji; generacja i rekombinacja nośników
2.4 Wpływ temperatury na parametry pp.; charakterystyki termistora
2.5 Wpływ oświetlenia na pp., krawędz absorpcji; fotorezystor
2.6 Wpływ pola magnetycznego na parametry pp.; hallotron
3. Złącze p-n, diody półprzewodnikowe, układy prostownika i stabilizatora napięcia
3.1 Model pasmowy złącza p-n, pojęcie bariery dyfuzyjnej
3.2 Model pasmowy złącza p-n przy różnych polaryzacjach zewnętrznych
3.3 Charakterystyka I-U złącza idealnego; wzór Shockleya
3.4 Diody rzeczywiste. Przebieg charakterystyki I-U diod z różnych półprzewodników
3.5 Parametry katalogowe (dopuszczalne i charakterystyczne) diody
3.6 Współczynniki temperaturowe charakterystyki I-U złącza p-n. Termometr.
3.7 Wpływ oświetlenia na złącze p-n; charakterystyki fotodiody i ogniwa słonecznego
3.8 Obwód prądu stałego z diodą. Wyznaczanie prostej pracy i punktu pracy
3.9 Model zastępczy diody dla małych sygnałów zmiennych
3.10 Złącza metal - pp.; dioda Schottky'ego –różnice odniesione do zł. p-n
3.11 Analiza pracy układów prostowników 1- i 2-połówkowych z (i bez) filtrem C
3.12. Dioda Zenera. Stabilizator napięcia –zasada działania
3.13 Układy diod „obcinających” przebieg sinusoidalny
3.14 Polaryzacja (właściwy obszar charakterystyki I-U) wszystkich omawianych typów diod
4. Tranzystor bipolarny i układy wzmacniacza WE
4.1 Struktura fizyczna, symbole i oznaczenia tranzystora bipolarnego
4.2 Podstawowe rodzaje pracy i polaryzacji złącz tranzystora
4.3 Układy pracy aktywnej WE i WB oraz właściwa polaryzacja tranzyst. npn i pnp
4.4 Definicje wzmocnienia prądowego w układach WE, WB i WC