KOLOKWIUM CZĘŚĆ 1

1. Do wytwarzania dielektryków stosujemy metody: a) Czochralskiego b) CVD c) utlenianie termiczne

2. Kontakt omowego do półprzewodnika typu n powstanie jeżeli praca wyjścia z metalu w stosunku do pracy wyjścia półprzewodnika będzie a) mniejsza b) większa c) taka sama

3. W procesie dyfuzji ze skończonego źródła domieszki a) powierzchnia podłoża b) głębokość złącza c) suma liczby atomów domieszki w podłożu i na jego powierzchni

4. W procesie implantacji głębokość wnikania atomów domieszki zależy od: a) dozy jonów b) energii wiązki c) powierzchni podłoża

5. W litografii stosuje się rezysty: a ) pozytywowe b) negatywowe c) metaliczne

6. Do półprzewodników elementarnych zaliczamy a) krzem b)german c) cynk

7. Do półprzewodniku typ n występuje duża koncentracja: a) dziur w paśmie walencyjnym b) dziur w paśmie przewodnictwa c) elektronów w paśmie walencyjnym

8. Kryształy objętościowe można wytwarzać: a) ze stopu b) metodą LPE c) z PECVD

9. Heteroepitaksja to osadzenie warstwy krzemu na podłożu: a) Si b) SiC c) SiGe

10. Warstwy epitaksjalne półprzewodników złożonych można wytwarzać metodami: a) AFM b)MOVPE c) MBE

11. Większość podłoży krzemowych wytwarzana jest metodą: a) Czochralskiego b) Birdgmana c) MOVPE

12. Do półprzewodników z szeroką przerwą wzbronioną zaliczamy: a) SiC b) GaAs c) GaN

13. Węglik krzemu w technologii przyrządów półprzewodnikowych jest stosowany: a) do wytwarzania procesorów b) do wytwarzania tranzystorów mocy c) do wytwarzania laserów ultrafioletowych

14. Warstwy Si₃N₄ stosuje się jako: a) pokrycia narzędziowe b) warstwy pasywujące przyrządów elektronicznych c) ścieżki przewodzące układów scalonych

15. Proces utleniania termicznego krzemu typowo prowadzony jest typowo w temperaturze: a) > 1300 C b) <900 C c) 900-1200

16. W procesie dyfuzji ze skończonego źródła domieszki stała się: A) koncentracja domieszki na powierzchni podłoża b) głębokość złącza c) suma liczby atomów domieszki w podłożu i na jego powierzchni

17. Wygrzewanie poimplantancyjne stosuje się w celu: a) aktywacji domieszki b) zmiany szerokości przerwy wzbronionej c) regeneracji struktury krystalicznej

18. Z wymienionych technik litograficznych najemniejsze wymiary wzorów można uzyskać stosując: a ) jonolitografie b) litografię DVC c ) elektronolitografie

19. W mikro- i nano- elektronice wiązkę elektronową stosuje się do: a) do trawienia b) wytwarzania masek do fotolitografii c) nanolitografii

20. W technice RIE stosuje się: a) zjonizowane gazy nie reagujące z materiałem b) bezwodniki alkoholi c) zjonizowane gazy reagujące z materiałem

21. Warstwa trawi się anizotropowo tj.: a) tylko prostopadle do powierzchni b) z różną szybkością w różnych kierunkach c) z jednakową szybkością w różnych kierunkach

22. W półprzewodniku domieszkowanym typu n występuje duża koncentracja a) głębokich poziomów w paśmie zabronionym b) elektronów w paśmie walencyjnym c) domieszek donorowych

23. W modelu pasmowym półprzewodnika wyróżniamy a) pasmo przewodnictwa b) obszar złącza c) kontakty prostujące

24. Do półprzewodników złożonych zaliczamy: a) diament b) węglik krzemu c) fosforek indu

25. W półprzewodniku typu p występuje duża koncentracja a) dziur w paśmie walencyjnym b)elektronów w paśmie przewodnictwa c)elektronów w paśmie walencyjnym

26. W modelu pasmowym półprzewodnika wyróżniamy: a) pasmo przewodnictwa b) pasmo walencyjne c) przerwę wzbroniona

27. Większość podłoży półprzewodników złożonych wytwarzana jest metodą: a) Birdgmana b) Czochralskiego c) MOVPE

28. Podłoża do wytwarzania przyrządów elektronicznych muszę być materiałami: a) Izolatorami b) amorficznymi c) monokryształami

29. Heteropitaksja to osadzenie warstwy arsenku galu na podłożu: a) Si b) SiC c) SiGe

30. W metodzie MOVPE jako źródła stosuje się a) wodne roztwory b) związki metalograficzne c) gazy

31. Proces dyfuzji typowo prowadzony jest w temperaturze a) ~1000 C b) <900 C c)>1300

32. W procesie implantacji głębokość wnikania atomów domieszki zależy od a) dozy b) energii procesu c) powierzchni podłoża

33. Przy mokrym trawieniu stosuje się a) roztwory reagujące z trawionym materiałem b) zjonizowane gazy c) domieszki

34. Warstwa trawi się izotropowo tj.: a) równomiernie we wszystkich kierunkach b) z różną szybkością w różnych kierunkach c) równolegle do powierzchni

35. Techniką CVD można osadzać a) dielektryki b) metale c) warstwy monokrystaliczne

36. Technika PVD pozwala bazuje na: a) odparowywaniu metalu w próżni c) reakcji chemicznej c) jonowym rozpylaniu target

37. Osadzanie elektrolityczne nie umożliwia wytwarzania: a) nanometrowych warstw dielektrycznych b) mikrometrowych warstw metali c) warstw półprzewodników

38. Kontakt Schotky’ego półprzewodnika typu n powstanie jeżeli praca wyjścia z metalu w stosunku do pracy wyjścia z półprzewodnika będzie: a) taka sama b) mniejsza c) większa